本实用新型公开了一种LED灯蓝宝石片衬底结构,包括蓝宝石片衬底,所述蓝宝石片衬底的顶部设置有GaN结晶生长基槽,所述 GaN结晶生长基槽的顶部等距离规则排列有锥形槽体,所述蓝宝石片衬底的中间位置内部安装有玻璃板,所述玻璃板的上表面和下表面均固定连接有微透镜,所述蓝宝石片衬底的底部设置有金属反光层,GaN结晶生长基槽给在蓝宝石片衬底顶部生长的GaN重结晶提供生长环境,在向上生长的过程中,最终横向生长超过锥形槽体的顶部,增强了光的散射,显著提高的光的提取率,且在不影响GaN结晶生长质量的前提下,提高 LED 芯片的发光亮度,在蓝宝石片衬底的底部设置有金属反光层,能给改善蓝宝石片衬底的反射率。