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[发明专利]晶圆缺陷密度获得方法、测试方法及半导体装置形成方法-CN201410007099.8有效
发明人：陈亚威 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供的晶圆缺陷密度获得方法、测试方法及半导体装置形成方法，通过获得所述晶圆上各芯片的各导电层的致命缺陷率，并根据每个芯片的各导电层的致命缺陷率获得致命缺陷率系数，进而结合所述致命缺陷率系数及理论缺陷密度计算模型获得修正缺陷密度计算公式，再根据所述修正缺陷密度计算公式获得所述晶圆的缺陷密度，如此通过结合不同种类芯片信息对缺陷密度评估方式进行修正以提升评估准确性，从而增加合格品产量，提升利润。
缺陷密度获得方法测试半导体装置形成

[发明专利]一种故障诊断方法和故障诊断装置-CN202211564312.6在审
发明人：王宪一;叶甜春;罗军;李彬鸿 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子（广州）有限责任公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：在该故障诊断方法中，利用获取到的晶圆的缺陷信息和晶圆的故障位元信息，筛选出晶圆的致命缺陷，即筛选出导致晶圆中位元故障的晶圆缺陷；之后，根据获取到的晶圆的缺陷诊断结果信息，确定出造成致命缺陷的原因。由于致命缺陷是导致位元故障的晶圆缺陷，所以造成致命缺陷的原因即为导致位元故障的原因，因此本申请提供的故障诊断方法可以及时诊断出导致晶圆中位元故障的原因。
一种故障诊断方法装置

[发明专利]智能型的缺陷校正系统与其实施方法-CN201711086885.1有效
发明人：吕一云 -专利权人：敖翔科技股份有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种智能型的半导体缺陷校正的系统与其实施方法，其方法包括：接收制造工厂送出的多个缺陷数据，接收一集成电路设计公司的IC设计布局图数据，并对多个缺陷数据进行缺陷坐标转换校正及缺陷影像校正后，用关键区域分析来分析校正后的缺陷数据及设计布局图形，用以提升关键区域分析的准确度和藉以精准判断各个缺陷影像造成断路或短路型失败的致命缺陷指数；再根据致命缺陷指数及缺陷讯号参数，区分致命缺陷为高风险缺陷、中风险缺陷及低风险缺陷等，达成提升智能型的缺陷校正系统与其实施方法准确度和精准判别致命缺陷之目的
智能型缺陷校正系统与其实施方法

[发明专利]半导体厂缺陷操作系统及装置-CN201810786547.7有效
发明人：吕一云;蔡瑞圳 -专利权人：敖翔科技股份有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：一种半导体厂缺陷操作系统，经由『半导体厂缺陷操作系统』来立即处理多个缺陷数据；接着，进行坐标校正、缺陷尺寸校正及使用关键区域分析来分析，产生致命缺陷数据文件；之后由集成电路设计公司进行故障分析及产生失败致命缺陷数据，以产生新的设计布局图数据；之后，再藉由网络将新的设计布局图数据及失败致命缺陷数据回传至半导体厂，此『半导体厂缺陷操作系统』乃是集成电路设计公司及半导体厂相互付出暨回馈缺陷数据及解决缺陷根本原因，以达到提升良率之目的
半导体缺陷操作系统装置

[发明专利]缺陷分类法则建立方法、缺陷分类与致命缺陷判断方法-CN201210560801.4有效
发明人：吕一云 -专利权人：敖翔科技股份有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种缺陷分类法则建立方法、缺陷分类与致命缺陷判断方法，该缺陷分类法则建立方法，步骤描述如下。将作为例子的具有致命缺陷的多个缺陷分类图像和所有缺陷、图形和背景工艺材料信息输入至制造工具。制造工具取得每一输入图像的缺陷、图形与背景的图像特征、工艺特征与图像关联性(relativity)特征，其中输入的图像包含作为例子的具有致命缺陷的多个缺陷分类图像。根据每一输入图像的缺陷、图形与背景的图像特征、工艺特征与图像关联性特征建立缺陷分类法则。本发明可以把制造效率与产量提高数倍。
缺陷分类法则建立方法致命判断

[发明专利]晶圆良率分析方法及系统-CN201210087749.5有效
发明人：陈亚威 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种晶圆良率分析方法，包括以下步骤：将各个芯片根据功能划分为多个功能区域；分别对各个芯片进行表面检测，根据检测到的缺陷在芯片中的所属功能区域，得到一个或多个功能区域的缺陷信息；分别对各个芯片进行良率测试，得到芯片良率信息；将一个或多个功能区域的缺陷信息与所述芯片良率信息进行比较分析，得到按芯片一个或多个功能区域划分的无污损的合格芯片，有污损的合格芯片，无污损的不合格芯片及有污损的不合格芯片的信息，并计算出芯片一个或多个功能区域的致命缺陷率；通过芯片一个或多个功能区域的致命缺陷率得到芯片整体的致命缺陷率，并由所述芯片整体的致命缺陷率预测出晶圆良率。
晶圆良率分析方法系统

[发明专利]具有系统检查的多泵系统-CN201880032889.8在审
发明人：徐文泰;张文滕;廖朝达;赖信成;李传宏;卢明辉 -专利权人： LT照明（台湾）有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： F04D13/08 文献下载
摘要：减轻常规泵系统设计中的以下四个致命缺陷的设计解决方案；所述四个致命缺陷即：(1)单个泵设计中出现可能导致高成本的水损害的意外泵故障；(2)在溢流情况下致命的高压触电事故的威胁；(3)电网停电以及没有能量供应来支持所需的泵送功率而导致水损害在本公开中描述的原理中，提出的设计可以完全减轻上述四个致命的设计问题。
具有系统检查

[发明专利]基于势函数的移动终端系统安全测评方法-CN201310320803.0有效
发明人：蒋屹新;文红;唐杰;董旭柱;郭晓斌;李鹏;陈华军 -专利权人：南方电网科学研究院有限责任公司;电子科技大学
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于势函数的移动终端系统安全测评方法，它包括：测试端根据移动终端的测试数据生成测试用例；根据测试用例对移动终端的各项安全指标执行测试，得到移动终端存在的安全威胁与安全缺陷；分析各安全威胁与安全缺陷之间的关系及终端已有的安全威胁与安全缺陷将带来的新的威胁与缺陷；进一步进行安全威胁与安全缺陷的威胁值确定，建立安全威胁与安全缺陷节点图；势函数计算并根据势函数计算结果，确定致命威胁节点；分析测试结果并生成测试报告，对致命威胁节点提出修复建议。本发明充分考虑了不同安全威胁和安全缺陷之间的关系，利用势函数找到致命威胁，对移动终端的不同安全威胁和安全缺陷进行客观评价，安全测评准确度高。
基于函数移动终端系统安全测评方法

[发明专利]一种缺陷扫描机台及其缺陷自动分类方法-CN201711394096.4在审
发明人：胡向华;何广智;顾晓芳;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种缺陷扫描机台及其缺陷自动分类方法，所述缺陷扫描机台包括：GDS数据库建立单元，用于加入GDS数据库，并于数据库中定义不同区域，根据不同区域定义不同类型缺陷；缺陷扫描单元，用于扫描目标晶圆以捕获缺陷；缺陷比对单元，用于于扫描过程中实时将捕获到的缺陷于所述GDS数据库进行比对；缺陷分类单元，根据所述缺陷比对单元的比对结果确定缺陷所处区域，进而根据预先定义确定相应的区域的缺陷类型以实现缺陷的自动分类，本发明实现致命缺陷与非致命缺陷的自动分类。
自动分类缺陷扫描机台数据库比对单元致命缺陷捕获数据库建立单元缺陷扫描单元比对结果区域定义缺陷分类缺陷类型扫描过程扫描目标预先定义比对晶圆与非

[发明专利]基板制造方法、基板制造系统及显示器制造方法-CN200810089668.2有效
发明人：舆石亮;川部英雄;向井畅彦;筒井亚希子 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了由多个配线图案在基体上形成的基板的制造方法、基板制造系统以及显示的制造方法，其中，该基板制造方法包括：第一检查步骤，通过分别对于多个配线图案执行电气检查来识别具有电气短路或断路的不良配线图案；第二检查步骤，通过光学检查检验基体上的缺陷的相对位置和缺陷的类型和尺寸中的至少一个；匹配部，将第一检查步骤的结果与第二检查步骤的结果进行匹配，并识别具有电气短路或断路的致命缺陷；以及第三检查步骤，通过光学检查检验致命缺陷在像素中的相对位置和有效范围。通过本发明，可以显著提高配线图案的致命缺陷的位置识别的成功率，以及可以减少配线图案的缺陷修复的生产时间。
制造方法系统显示器

[发明专利]一种化合物半导体致命缺陷分析系统和分析方法-CN201710737010.7有效
发明人：郭渊 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种化合物半导体致命缺陷分析系统和分析方法，当生产批次完成某金属层的工艺制造后，该生产批次将进入电性测试机台进行电性测试，同时通过缺陷扫描机台对该金属层的表面进行缺陷扫描，数据采集系统将实时从两个机台上获取该生产批次的关键电性参数的电性测试数据和缺陷扫描数据，然后通过匹配分析检验模块生成关键电性参数良率Map和缺陷分布Map，采用图形叠加运算的方式，搜索出与致命缺陷参考模型相似的晶圆，并在搜索出的晶圆的叠加Map上突出显示与致命缺陷参考模型相似的位置区域，为工艺整合工程师是否进行工艺线生产暂停提供数据支撑，为工艺、设备工程师是否进行工艺改进、机台维护保养提供理论依据。
一种化合物半导体致命缺陷分析系统方法

[发明专利]用于自动识别半导体装置中基于缺陷的测试覆盖间隙的系统及方法-CN202180081064.7在审
发明人： D·W·普利斯;R·J·拉瑟;C·伦诺克斯;K·榭曼;林璿正;T·格鲁斯;M·冯登霍夫;O·唐泽拉;N·纳拉辛汗;B·萨维尔;J·拉赫;J·鲁滨逊 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：自动识别半导体装置中基于缺陷的测试覆盖间隙包含：基于由一或多个半导体制造子系统获取的具有多个半导体裸片的一或多个半导体装置的表征测量来确定所述一或多个半导体装置上的多个明显致命缺陷；基于由一或多个测试工具子系统获取的测试测量来确定通过至少一个测试的至少一个半导体裸片；使所述表征测量与所述测试测量关联以确定通过所述至少一个测试的所述至少一个半导体裸片上的至少一个明显致命缺陷；及基于通过所述至少一个测试的所述至少一个半导体裸片上的所述至少一个明显致命缺陷来确定所述一或多个半导体装置上针对基于缺陷的测试覆盖的一或多个间隙区域
用于自动识别半导体装置基于缺陷测试覆盖间隙系统方法

[发明专利]基于致命缺陷修正的缺陷扫描方法-CN201310630279.7有效
发明人：何理;许向辉;郭贤权;陈超 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明一种基于致命缺陷修正的缺陷扫描方法，通过将芯片置于缺陷扫描机台上进行扫描，提取芯片内所有缺陷的特征信息；将所有缺陷的特征信息输入到缺陷数据库，获取每一个缺陷所对应的修正系数k，其中，该缺陷数据库根据缺陷的所有特征信息对芯片良率的影响赋予不同的修正系数k；统计芯片上所有经修正的缺陷数量之和，与所述芯片的控制标准值w相比较，判断芯片上的缺陷是否正常，其在以缺陷数量来判断芯片缺陷是否正常的前提下，引入致命缺陷这一修正因素更精确和快速的判断芯片缺陷是否正常
基于致命缺陷修正扫描方法

[发明专利]深次微米半导体器件中致命缺陷的确认方法-CN200510023151.X有效
发明人：郭志蓉;潘敏;秦天;陈险峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-01-06 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：深次微米半导体器件中致命缺陷的确认方法，包括：步骤S101，用TEM定性定位检测半导体器件样品，确定半导体器件检测样品中是否存在硅晶体缺陷/位错缺陷，并确定缺陷的类型。步骤S102，如果半导体器件中存在缺陷，样品用本发明的扫描电子显微镜(SEM)检测样品腐蚀处理溶液腐蚀处理检测样品；步骤S103，用扫描电子显微镜(SEM)检测样品的剖面，可以确定缺陷存在的膜层位置，和确定缺陷是否是致命缺陷
微米半导体器件致命缺陷确认方法

[发明专利]晶圆良率分析方法和装置-CN201510044709.6有效
发明人：杨健;陈思安;朱瑜杰;方三军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：待测晶圆包括多个待测芯片；获取根据预先统计的芯片上多个区域的历史杀伤率，其中，多个区域与历史杀伤率一一对应；将获取的历史杀伤率作为待测芯片上多个区域对应的杀伤率，杀伤率用于表示与杀伤率对应的区域的存在致命缺陷的概率；根据待测芯片上多个区域对应的杀伤率计算待测晶圆对应的致命缺陷率；以及由致命缺陷率计算待测晶圆的良率。
晶圆良率分析方法装置

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