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[实用新型]一种太阳能电池及其背电极-CN201920398772.3有效
发明人：孙暮雪 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种太阳能电池及其背电极，该背电极包括：上下设置的背金属层和背金属阻挡层，还包括：设置在所述背金属阻挡层和所述背金属层之间且能够与所述背金属层相接触的表面产生位错强化的背金属界面整合层本实用新型实施例提供的太阳能电池及其背电极，通过在背金属阻挡层和背金属层之间设置背金属界面整合层，减少了背金属层的表面缺陷，提高了背金属界面整合层和背金属层接触界面的稳定性，有效阻挡背金属层中的金属扩散入外延层
背金属层太阳能电池背电极金属阻挡层金属界面整合层本实用新型表面缺陷金属扩散上下设置使用寿命外延层良率位错阻挡

[发明专利]Ge基双栅型InGaAs nMOSFET器件及其制备方法-CN202011485480.7在审
发明人：唐晓雨;花涛;刘玉杰;赵毅 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ge基双栅型InGaAs nMOSFET器件及其制备方法，所述器件包括Ge衬底、隔离介质层、背栅金属层、背栅介质层、InGaAs薄膜、顶栅介质层、顶栅金属层和源漏区域；Ge衬底上方依次设有隔离介质层、背栅金属层，背栅金属层设有背栅电极，背栅金属层上方设置一层背栅介质层，背栅介质层的上方设置InGaAs薄膜，InGaAs薄膜设有源漏区域，InGaAs薄膜上方依次设置顶栅介质层、顶栅金属层，顶栅金属层设置顶栅电极本发明使用金属键合的方法将InGaAs薄膜转移到Ge衬底上，工艺简单可行，增强器件可靠性；双栅InGaAsnMOSFET结构提高栅极对沟道调控能力。
ge 基双栅型 ingaas nmosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN202110063559.9有效
发明人：何键华;杨文奕;杜伟;王硕 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种太阳能电池，包括依次叠加的电池本体；P型接触层，P型接触层远离电池本体一侧表面，设置有沟槽；背绝缘层，背绝缘层设置于所述沟槽内；背金属层，背金属层上设有与沟槽相匹配的齿。本发明太阳能电池，由于P型接触层和背金属层之间设置部分覆盖的背绝缘层，降低了P型接触层和背金属层接触界面上的寄生损失；由于P型接触层、背绝缘层和背金属层的非平面的结构，提高了光在吸收层里的光学路径长度，
一种太阳能电池及其制备方法

[发明专利]平面天线及其制造方法-CN201010106494.3无效
发明人：许峰铭;吴佩芬;吴裕源 -专利权人：富港电子(东莞)有限公司;正崴精密工业股份有限公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种平面天线及其制造方法，该平面天线包括一绝缘层、一金属辐射体、一第一背胶层及一第二背胶层。金属辐射体设置于绝缘层顶面，第一背胶层介于绝缘层与金属辐射体之间并将绝缘层与金属辐射体黏接在一起，第二背胶层黏附于绝缘层底面。所述平面天线的制造方法包括如下步骤：a.以金属片冲裁出金属辐射体；b.以背胶材料裁切出形状略同于金属辐射体的第一背胶层；c.将第二背胶层黏贴于绝缘层的底面，将第一背胶层黏贴于绝缘层的顶面，从而形成绝缘层组合；及d.将金属辐射体黏附于绝缘层组合的顶面。
平面天线及其制造方法

[发明专利]Micro-LED芯片及其制造方法-CN201911284951.5有效
发明人：蒋振宇;闫春辉 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种Micro‑LED芯片及其制造方法，该Micro‑LED芯片包括：第一金属背衬层；第一LED单元，附着且电连接于第一金属背衬层上；第一平坦化层，附着于第一金属背衬层上，并使得第一LED单元远离第一金属背衬层的一侧外露；第二金属背衬层，附着于第一LED单元外围的第一平坦化层上；第二LED单元，附着且电连接于第二金属背衬层上，其中第二LED单元在第一金属背衬层上的投影与第一LED单元在第一金属背衬层上的投影彼此错开。
micro led 芯片及其制造方法

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN202110880560.0在审
发明人：陈胜雄;高章瑞;杨国男;刘逸群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：第一互连结构包括多个前侧金属层。第二互连结构包括多个背侧金属层，其中每个背侧金属层包括根据对角布线来布线的金属导体。在一些实施例中，背侧互连结构可以包括另一背侧金属层，此背侧金属层包括根据混合曼哈顿对角布线来布线的金属导体。各种技术可以用于在背侧互连结构中的金属导体与一或多个前侧金属层上的单元之间布线信号。
集成电路及其制造方法

[发明专利]一种电路板背钻方法和具有背钻孔的电路板-CN201410112188.9有效
发明人：丁大舟;刘宝林;缪桦 -专利权人：深南电路有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种电路板背钻方法和具有背钻孔的电路板，以解决现有背钻技术会造成大量铜屑导致背钻孔堵孔的技术问题。方法包括提供多层板，所述多层板从第一面到第二面依次包括第一外层金属层，第1层至第n层内层线路层，以及第二外层金属层，其中，第1层至第m层内层线路层的背钻孔区域具有蚀刻形成的无金属窗口，m小于n且m和n均为正整数；在所述多层板上加工金属化通孔，使第m+1层至第n层内层线路层中需要层间互连的多层线路层通过所述金属化通孔相互连接；从所述多层板的第一面，对所述金属化通孔进行背钻，背钻的深度介于第m层和第m+1层内层线路层之间，形成的背钻孔大于所述金属化通孔但小于所述无金属窗口。
一种电路板方法具有钻孔

[发明专利]一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池-CN201810027467.3在审
发明人：陈达明;高纪凡;刘成法;陈奕峰;王子港;张学玲;杨阳 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，包括：P型硅基体，该P型硅基体的背表面具有金属接触区域和非金属接触区域；隧穿氧化层，设置于所述P型硅基体背表面的非金属接触区域上；局域背场，设置于所述P型硅基体背表面的金属接触区域上；多晶硅薄膜层，设置于所述隧穿氧化层上；共晶层，设置于局域背场上；介质膜钝化层，设置在所述多晶硅薄膜层以及非金属接触区域上；金属正电极，设置在局域背场上；金属负电极，设置在多晶硅薄膜层上本发明为采用以P型晶体硅作为衬底，结合钝化接触技术制备得到全背电极太阳能电池，大大提升了P型晶体硅也在全背电极太阳能电池技术方面的应用前景。
一种基于钝化接触技术电极太阳能电池

[实用新型]一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池-CN201820049318.2有效
发明人：陈达明;高纪凡;刘成法;陈奕峰;王子港;张学玲;杨阳 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，包括：P型硅基体，该P型硅基体的背表面具有金属接触区域和非金属接触区域；隧穿氧化层，设置于所述P型硅基体背表面的非金属接触区域上；局域背场，设置于所述P型硅基体背表面的金属接触区域上；多晶硅薄膜层，设置于所述隧穿氧化层上；共晶层，设置于局域背场上；介质膜钝化层，设置在所述多晶硅薄膜层以及非金属接触区域上；金属正电极，设置在局域背场上；金属负电极，设置在多晶硅薄膜层上本实用新型为采用以P型晶体硅作为衬底，结合钝化接触技术制备得到全背电极太阳能电池，大大提升了P型晶体硅也在全背电极太阳能电池技术方面的应用前景。
全背电极太阳能电池多晶硅薄膜层非金属接触背表面钝化金属接触区域本实用新型隧穿氧化层金属负电极金属正电极局域背场钝化层共晶层介质膜衬底制备应用

[发明专利]带金属衬背的荧光层及其形成方法和图像显示装置-CN01818094.9无效
发明人：田中肇;中凙知子;伊藤武夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-10-31 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01J29/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种带金属衬背的荧光层，该带金属衬背的荧光层具有荧光层与金属衬背层接触面积的比例为30％以上的附着度。在FED中，能够抑制发光亮度降低(膜烧坏)，改善亮度特性。再者，通过将金属衬背层的膜厚设为5至100nm，且光透过率低于10％，可获得反射性强且高亮度的显示。这种带金属衬背的荧光层，是在透光性基板内表面所形成的荧光层上，可使用转印膜将金属膜转印而形成。
金属荧光及其形成方法图像显示装置

[实用新型]一种背电极接触电池组件-CN201320009847.7有效
发明人：缪燕;董寅中;夏正月;杨灼坚;董经兵;乔虹桥;顾斌锋;滕奎龙;谢烜 -专利权人：太仓海润太阳能有限公司
申请日： 2013-01-09 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背接触太阳能电池组件，包括背接触电池、背电极、介电层、导电金属带，所述的背电极设于背接触电池上，所述的背电极通过导电金属带串联连接，所述的介电层上设有向下贯通的孔，所述的孔的大小与背电极相对应，所述的背电极嵌入介电层的孔内，介电层设于背电极的外缘。采用本实用新型通过采用导电金属带串联连接背电极，达到了背电极之间的连接关系，又由于导电金属带与背接触电池其他不需要连接的部分采用介电层保持绝缘，不会因为导电金属带微小的偏移造成与电池片背面不需要的连接的地方连接
一种电极接触电池组件

[发明专利]一种芯片结构以及制作方法-CN202211696939.7在审
发明人：张华健;唐晨;郭冠军;马祥柱;蔡和勋 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片结构以及制作方法，所述芯片结构包括：芯片本体；位于芯片本体一侧的背金堆叠膜层；背金堆叠膜层包括：在第一方向上依次设置的第一背金膜层、第二背金膜层以及第三背金膜层；第一方向垂直于背金堆叠膜层，且由芯片本体指向背金堆叠膜层；第一背金膜层的材料、第二背金膜层的材料以及第三背金膜层的材料为纯金属材料；在该芯片结构中，背金堆叠膜层中每一层背金膜层的材料都是纯金属材料，由于纯金属材料无杂质，在形成的过程中减少了背金膜层上的背金颗粒，从而解决了由于背金颗粒造成的切割碎晶的问题。
一种芯片结构以及制作方法

[发明专利]一种双光栅高效太阳能电池-CN202010112026.0有效
发明人：孙堂友;石卉;曹乐;李海鸥;傅涛;刘兴鹏;陈永和;肖功利;李琦;张法碧;刘云;涂杰 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明公开了一种双光栅高效太阳能电池，所述双光栅高效太阳能电池包括晶硅表面纳米结构光栅、背金属纳米结构光栅、吸收层和背金属层，所述晶硅表面纳米结构光栅位于所述吸收层的上表面，所述背金属纳米结构光栅位于所述背金属层的上表面，所述吸收层位于所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅之间，所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅具有不同侧壁轮廓，所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅中的纳米结构按照自组装
一种光栅高效太阳能电池

[发明专利]用于背接触式光伏模块的组件-CN201210514833.0无效
发明人：刘泽琳;穆敏芳;余科;P·博伊德尔 -专利权人：杜邦公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H02S40/34 文献下载
摘要：一种用于形成背接触式光伏模块的组件包括集成式背板，所述集成式背板包括基板、粘接至基板的前表面的导电金属线路、和粘接至导电金属线路的背侧绝缘层。背侧绝缘层具有穿过背侧绝缘层的多个开口，所述多个开口与导电金属线路以及与背接触式太阳能电池背侧上的电接点对齐。前板和前封装剂层设置在背接触式太阳能电池的前表面上。背侧绝缘层或前封装剂层具有与背接触式太阳能电池外轮廓互补的凹形开口。当背接触式太阳能电池被接纳在凹形开口中时，背接触式太阳能电池背侧上的电接点与穿过背侧绝缘层的开口以及导电金属线路对齐。
用于接触式光伏模块组件

[发明专利]一种太阳能盖板及显示装置-CN202310672368.1在审
发明人：李源;吴德生 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能盖板，包括透明盖板、PV图案层和透明介质层，所述PV图案层包括：透明前电极层，设置于所述透明盖板上；PV光伏层，设置于所述透明前电极层上；金属背电极层，设置于所述PV光伏层上；所述透明介质层设置于所述金属背电极层上，用于降低所述金属背电极层的表面反射率。该太阳能盖板通过在金属背电极层上设置透明介质层，利用所述透明介质层来降低所述金属背电极层的表面反射率，以改善显示屏在搭载太阳能盖板后的色偏问题。本发明还公开了一种显示装置，包括上述太阳能盖板。
一种太阳能盖板显示装置

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