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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202210533576.9在审
发明人：郑赞熙;郭东勋;朴世泉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置及其操作方法。本公开涉及一种电子装置。一种存储器装置包括：多个存储器单元，其联接到多条字线；电压发生器，其生成要施加到多条字线的编程相关电压；地址解码器，其将编程相关电压传送到多条字线；以及操作控制器，其控制电压发生器和地址解码器，以将编程电压施加到多条字线中的被选字线，将第二通过电压施加到邻近被选字线的相邻字线，将第一通过电压施加到除了被选字线和相邻字线之外的其余字线，并且在第一时段期间将接地电压施加到被选字线并且将第一通过电压施加到相邻字线。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储器装置及该存储器装置的操作方法-CN202210392764.4在审
发明人：黄盛炫;郑载烨;朴世泉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置及该存储器装置的操作方法。该存储器装置包括存储块，在该存储块中多个单元页联接至每条字线。存储器装置还包括外围电路，该外围电路被配置为在被选单元页的验证操作期间，根据执行编程操作的次序来调整向字线当中的被选字线施加验证电压的时间点。存储器装置进一步包括控制逻辑电路，该控制逻辑电路被配置为向外围电路发送用于调整输出验证电压的时间点的操作码。
存储器装置操作方法

[发明专利]存储器设备和操作该存储器设备的方法-CN202110869887.8在审
发明人：李宗勋;朴世泉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开涉及存储器设备和操作该存储器设备的方法。存储器设备可以包括多个存储器单元、外围电路和控制逻辑。外围电路可以对多个存储器单元执行编程操作，并且可以执行编程验证操作，编程验证操作对应于在编程操作中编程的多个编程状态，每个编程验证操作包括至少一个验证循环。控制逻辑可以控制外围电路以执行验证脉冲施加操作，并且在目标验证循环计数超过对应于目标编程状态的基准计数时，可以控制外围电路以执行附加验证脉冲施加操作，并且控制逻辑可以基于验证脉冲施加操作的结果和附加验证脉冲施加操作的结果，确定对应于目标编程状态的编程验证操作的失败。附加验证脉冲施加操作的验证电压高于验证脉冲施加操作的验证电压。
存储器设备操作方法

[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法-CN202110890252.6在审
发明人：金声璞;林奎南;朴世泉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本技术涉及一种半导体存储器装置及其操作方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个存储器块；外围电路，该外围电路用于对所述多个存储器块中的所选存储器块执行编程操作；以及控制逻辑，该控制逻辑用于控制所述外围电路在所述编程操作期间在编程电压施加操作和编程验证操作之间执行解捕获操作，并且所述外围电路在所述解捕获操作期间向连接到所选存储器块的源极线施加正设定电压。
半导体存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储器系统、存储器控制器及其操作方法-CN202110419026.X在审
发明人：崔元载;朴世泉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储器系统、存储器控制器及其操作方法。本技术涉及一种电子装置。一种用于提高数据可靠性的存储器系统包括：存储器装置，其包括多个页；以及存储器控制器，其被配置成纠正通过读取多个页当中的选定页而获得的读取数据中的错误，并且基于读取数据中包括的错误位的数量来确定是否对选定页执行刷新操作。存储器控制器包括：正常读取操作控制器，其被配置成控制对选定页的读取操作并且确定读取数据中的错误位的数量；纠错执行组件，其被配置成纠正读取数据；以及数据恢复控制器，其被配置成当读取数据中的错误被纠正时，基于读取数据中的错误位的数量来控制对选定页的刷新操作。
存储器系统控制器及其操作方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202010546240.7在审
发明人：李宗勋;朴世泉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：存储器装置及其操作方法。根据操作方法的存储器装置可包括：多个页，其联接到公共字线并且被配置为由不同的选择线依次选择；编程操作控制器，其被配置为对所述多个页当中的要首先编程的第一页执行编程操作；以及起始循环管理器，其被配置为生成关于在对第一页的编程操作期间与包括在第一页中的存储器单元的阈值电压所形成的多个编程状态中的每一个对应的编程验证开始的编程循环的起始循环信息。编程操作控制器还被配置为基于起始循环信息对所述多个页当中的要在第一页之后编程的第二页执行编程操作。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器件及其高速缓存编程方法-CN201110426284.7有效
发明人：金有声;朴世泉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器件的高速缓存编程方法，包括以下步骤：将当前编程操作的数据编程到存储器单元阵列中；判断当前编程操作是否已执行到编程完成的阈值点；以及在当前编程操作已执行到编程完成的阈值点时接收下一个编程操作的数据。
非易失性存储器及其高速缓存编程方法

[发明专利]执行故障测试、块管理、擦除以及编程的方法-CN200810111048.4有效
发明人：王钟铉;张棌圭;朴世泉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-06-10 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本申请公开了在具有无熔丝和PMOS晶体管的块开关的非易失性存储器件中使用的用于执行故障测试、块管理、擦除操作以及编程操作的方法。一种用于在非易失性存储器件中执行故障测试的方法包括：对存储单元块执行故障测试；当存储单元块为好块时，在与对应块相关联的块信息贮存器中存储好块信息；以及对所有存储单元块重复所述执行步骤和存储步骤。
执行故障测试管理擦除以及编程方法

[发明专利]非易失性存储器件的页缓冲器和编程方法-CN200810111047.X有效
发明人：梁彰元;王钟铉;朴世泉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-06-10 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种页缓冲器，一种非易失性存储器件的编程方法以及一种非易失性存储器件的多级单元编程方法。页缓冲器包括第一寄存器、第二寄存器以及数据I/O单元。第一寄存器暂时存储待编程到第一存储单元块组中包括的单元中的数据，或者读取和存储对应存储单元的数据。第二寄存器暂时存储待编程到第二存储单元块组中包括的单元中的数据，或者读取和存储对应存储单元的数据。数据I/O单元将特定数据输入到第一寄存器和第二寄存器，或者输出第一寄存器和第二寄存器中存储的数据。
非易失性存储器缓冲器编程方法

[发明专利]在闪存装置中编程的方法-CN200810000296.1有效
发明人：卢由钟;朴世泉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-01-30 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种在闪存装置中编程方法。该方法包括：通过将第一存储单元的第一编程电压施加到字线，对耦合到偶数位线的第一存储单元进行编程；通过第一验证电压验证第一存储单元是否被编程，并在第一存储单元未被编程的情况下使用比第一存储单元的第一编程电压以步长电压顺序增加的编程电压对第一存储单元进行编程，通过将第二存储单元的第一编程电压施加到字线，对耦合到奇数位线的第二存储单元进行编程，以及通过高于第一验证电压的第二验证电压验证第二存储单元是否被编程，并且在第二存储单元未被编程的情况使用比第二存储单元的第一编程电压以步长电压顺序增加的编程电压对第二存储单元进行编程。
闪存装置编程方法

[发明专利]非易失性存储装置以及对其中的多级单元进行编程的方法-CN200710138072.2无效
发明人：王钟铉;朴世泉;朴成勋 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明的非易失性存储装置包括页面缓冲器，该页面缓冲器具有位线选择电路，第一寄存器，第二寄存器，数据比较电路，第一位线电压控制器以及第二位线电压控制器。位线选择电路选择性耦接某一位线至感测节点。第一寄存器与第二寄存器储存给定的数据。数据比较电路比较储存于第一寄存器中的数据与储存于第二寄存器中的数据，并传送比较结果至感测节点。第一位线电压控制器依据储存于第一寄存器中的数据的电压电平，施加低电平的电压至位线。第二位线电压控制器依据储存于第二寄存器中的数据，施加高电平的选择的第一电压至位线。
非易失性存储装置以及中的多级单元进行编程方法

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