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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法-CN201210142613.X无效
发明人：雷海波;董颖 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法，包括：将器件晶片的两面定义为镜面、背面，对器件晶片的镜面进行绝缘双极型晶体制作常规的光刻、注入形成注入层，刻蚀出对准标注的沟槽，所述沟槽深度大于器件注入退火后所形成注入层深度本发明绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法能降低绝缘栅双极型晶体管晶片制作时对设备硬件精度的要求。
一种绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法

[实用新型]非对称瞬态电压抑制转子变频调速控制装置-CN201120206606.2有效
发明人：周巍;葛运周;杨焕红 -专利权人：天津中电博源科技有限公司
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H02P27/06 文献下载
摘要：它采用的升压斩波电路是由绝缘栅双极型晶体管IGBT、瞬态电压抑制二极管VS1-2、升压二极管D和升压电容2C连接组成的非对称瞬态电压抑制斩波电路，瞬态电压抑制二极管VS1的2端与逆导型绝缘栅双极型晶体管IGBT的C极相连、1端与逆导型绝缘栅双极型晶体管IGBT的E极相连，瞬态电压抑制二极管VS2的1端与升压二极管D的正极相连、2端与升压二极管D的负极相连。
对称瞬态电压抑制转子变频调速控制装置

[发明专利]一种非线性负载模拟装置-CN201710665644.6有效
发明人：张勇;李春 -专利权人：重庆博昂科技有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种非线性负载模拟装置，包括整流桥、阻容配对簇、二极管簇、直流固态继电器簇、绝缘栅双极型晶体管和触发控制单元；所述整流桥对被测逆变器输出的交流电进行全波整流，变为脉动直流电；所述二极管簇、阻容配对簇、直流固态继电器簇依次连接于整流桥的输出端；所述绝缘栅双极型晶体管连接在直流固态继电器簇的并联点下端，对阻容配对簇与整流后的脉动直流电进行通断控制；所述触发控制单元连接于整流桥的输出端之间，用于控制绝缘栅双极型晶体管的接通和关断
一种非线性负载模拟装置

[实用新型]直流电流铁路智能排流装置-CN200720037262.0无效
发明人：李威;王禹桥;杨雪峰 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2007-04-30 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： B61L1/18 文献下载
摘要：该排流装置有排流器和检测控制器组成，排流器与检测控制连接；排流器的埋地金属结构物的一个连接点与参比电极连接，埋地金属结构物的另一个连接点通过分流电阻和绝缘栅双极型晶体管与负母线连接，绝缘栅双极型晶体管的栅极和漏极均与检测控制器连接；检测控制器的放大器的输出端通过AD转换器(IC2)与单片机(IC1)连接，放大器(IC7、IC8、IC9)的输入端与埋地金属结构物连接点连接；单片机(IC1)通过晶体管与IGBT混合驱动集成电路连接，IGBT混合驱动集成电路与绝缘栅双极型晶体管连接。该排流装置，能对埋地金属结构物上的一点的检测结果通过绝缘栅双极型晶体管接通、断开排流通路和调节排流量，省时省力，效果好，具有广泛的实用性。
直流电流铁路智能装置

[实用新型]电磁炉散热结构-CN201020171790.7有效
发明人：陆英武 -专利权人：东莞市步步高家用电器有限公司
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： F24C15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电磁炉散热结构，所述散热结构设置于电磁炉的底壳内，用于对所述电磁炉的绝缘栅双极型晶体管和桥堆进行散热。其中所述散热结构包括第一散热器以及第二散热器，所述绝缘栅双极型晶体管可拆卸地安装在所述第一散热器上，所述桥堆可拆卸地安装在所述第二散热器上，所述第一散热器和第二散热器均安装在所述底壳内。由于本实用新型的电磁炉散热结构包括第一散热器和第二散热器，所述绝缘栅双极型晶体管和桥堆分别安装在所述第一散热器和第二散热器上，在散热及温升过程中，有效避免了所述绝缘栅双极型晶体管和桥堆之间的热量传递，容易达到不同温升的要求
电磁炉散热结构

[发明专利]一种自驱动阳极辅助栅绝缘栅双极型晶体管-CN201710088554.5有效
发明人：陈文锁;蒲贤洁;廖瑞金;曾正;邵伟华;李辉 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种自驱动阳极辅助栅绝缘栅双极型晶体管；所述自驱动阳极辅助栅绝缘栅双极型晶体管采用阳极自驱动辅助栅的设计结构，在保证器件较小的关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性，获得更好的导通态损耗与关断态损耗之间的折衷关系；并且，所述阳极辅助栅结构采用自驱动设计，能够消除常规辅助栅极阳极结构对额外驱动电路的要求。
一种驱动阳极辅助绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种基于IGBT实现控制的方法-CN201910909742.9有效
发明人：徐之文;薛英杰;邱瑞鑫;车兰秀 -专利权人：广州华工科技开发有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于IGBT实现控制的方法，于功率半导体模块技术领域，包括DSP控制器、绝缘栅双极型晶体管芯片、续流二极管芯片以及电流检测器；DSP控制器耦接在电流检测器上，用于接收电流检测器检测的电流信号与控制信号；绝缘栅双极型晶体管芯片的一端还耦接有变频器，流二极管芯片一端还耦接有不间断电源。对流过绝缘栅双极型晶体管芯片与续流二极管芯片的电流值，进而可以控制电流通过向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通，向门极电压消除沟道，切断基极电流，进而避免GBT内元件受损。
一种基于 igbt 实现控制方法

[发明专利]一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法-CN201610039763.6有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;王林凡;肖添;胡镜影;杨婵;王盛 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述横向绝缘栅双极型晶体管以薄硅层SOI基作为衬底，采用浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构。这种新型薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管在保证器件较小的关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性；此外，该器件采用的浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构可以采用集成电路制造工艺的浅槽隔离工艺实现
一种薄硅层 soi 横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200710199484.7无效
发明人：金子佐一郎;国松崇 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：在对横式绝缘栅双极晶体管具有过电流保护机能的半导体装置中，降低过电流保护机能起作用电流值的偏差。并联连接由栅极电压可控制的主开关元件的横式绝缘栅双极晶体管(1)、和电流检测用横式绝缘栅双极晶体管(10)。电流检测用横式绝缘栅双极晶体管(10)的基础区域(109)、和横式绝缘栅双极晶体管(1)的发射极区域(106)电连接。电流检测用横型绝缘栅双极晶体管(10)的发射极区域(108)、和横式绝缘栅双极晶体管(1)的发射极区域(106)通过电流检测电路(7)的感应电阻(4)电连接。
半导体装置

[发明专利]等离子显示驱动芯片用高低压器件及制备方法-CN200910212764.6有效
发明人：易扬波;李海松;王钦;刘侠;陈文高 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子显示驱动芯片用高低压器件及制备方法，所述器件由高压N型横向绝缘栅双极型晶体管、高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、高压二极管和低压器件构成；所述制备方法为：在P型衬底上制作埋氧层，淀积P型外延层，制作高压器件的高压N阱和高压P阱，高压N型横向绝缘栅双极型晶体管和高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的P型体区，各低压阱。本发明所述芯片结构具有芯片功耗低，芯片面积小，可靠性高的优点，而且能够兼容标准低压互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造工艺。
等离子显示驱动芯片低压器件制备方法

[发明专利]包括第一和第二场截止区部分的绝缘栅双极型晶体管和制造方法-CN201811443365.6在审
发明人： O.J.施普尔伯;M.屈恩勒;W.勒斯纳;C.P.桑多;C.魏斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及包括第一和第二场截止区部分的绝缘栅双极型晶体管和制造方法。实施例涉及一种在半导体主体中制造绝缘栅双极型晶体管的方法。在半导体衬底上形成第一导电类型的第一场截止区部分。在完成所述绝缘栅双极型晶体管时，沿所述半导体主体的厚度的多于30%的垂直延伸，所述漂移区中的掺杂浓度小于10¹³ cm^‑3。
截止区绝缘栅双极型晶体管第一导电类型半导体主体漂移区制造衬底半导体掺杂

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管均流输出电路-CN201310136045.7有效
发明人：李泽宏;吴明进;刘广涛;蒋汇;曾智 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管均流输出电路，解决由于IGBT自身电学特性，特别是饱和压降参数不一致导致的不均流问题。本发明的技术方案是，绝缘栅双极型晶体管均流输出电路，由N个模块并联组成，N为整数，N≥2；其中每个模块包括：电流变化采样单元、电流还原单元、不均流运算单元、驱动信号补偿单元、驱动单元和IGBT。本发明的绝缘栅双极型晶体管均流输出电路，可以对具有不同电学特性的IGBT并联进行动态均流和静态均流，特别适合电学特性差别较大的IGBT进行并联均流，具有普适性。
绝缘栅双极型晶体管输出电路

[发明专利]场终止绝缘栅双极型晶体管的制备方法-CN201210250474.2有效
发明人：张硕;芮强;王根毅;邓小社 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种场终止绝缘栅双极型晶体管的制备方法，属于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术领域。该制备方法中，包括步骤：提供已经基本形成场终止绝缘栅双极型晶体管的正面结构的晶片；在所述晶片的正面结构上沉积正面保护层；将所述晶片翻转使其背面朝向正面注入机，并使用该正面注入机对所述晶片的背面的场终止层进行离子注入掺杂以形成集电极层
终止绝缘栅双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种改进的整流器电路-CN201110348018.7无效
发明人：陆峰 -专利权人：陆峰
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H02M7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的整流器电路，包括交流输入和直流输出，其特征在于：所述交流输入与电感连接，所述电感与霍尔传感器连接，所述霍尔传感器与绝缘栅双极型晶体管连接，所述绝缘栅双极型晶体管并联有电容和直流输出，所述交流输入还与过零检测电路连接，所述霍尔传感器还与电流检测电路连接，所述绝缘栅双极型晶体管还并联有电压检测电路，所述过零检测电路、电流检测电路和电压检测电路分别与教学管理系统连接所述教学管理系统包括加密分析程序和脉冲宽度调制
一种改进整流器电路

[发明专利]一种集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管-CN201210333321.4无效
发明人：张金平;李巍;夏小军;安俊杰;张灵霞;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件和功率集成电路技术领域。本发明在传统的绝缘栅双极型晶体管结构的基础上，在器件终端集电极区域引入一层连续或不连续的介质层。当器件关断时，由于终端集电极区域空穴注入的减少，可使器件终端等位环附近的电流集中现象得到有效的抑制，从而抑制和消除由于电流集中引起的热击穿和动态雪崩击穿，从而有效改善绝缘栅双极型晶体管的关断能力，提高器件的可靠性
一种集电极终端具有介质绝缘栅双极型晶体管

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