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[发明专利]具有A1系Ⅲ族氮化物单晶层的层叠体的制造方法、通过该制法制得的层叠体、使用该层叠体的A1系Ⅲ族氮化物单晶基板的制造方法及氮化铝单晶基板-CN200880124855.8无效
发明人：永岛彻;箱守明;高田和哉;石附正成;纐纈明伯;熊谷义直 -专利权人：国立大学法人东京农工大学;株式会社德山
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：利用下述层叠体的制造方法，提供可适合作为制造Al系III族氮化物单晶自立基板的基底基板来使用的、表面由Al系III族氮化物的单晶构成、且没有裂纹、翘曲的基板。所述制造方法包括以下工序：(1)准备基底基板的工序，所述基底基板具有由与构成欲形成的Al系III族氮化物单晶层的材料不同的材料的单晶构成的表面；(2)在所准备的基底基板的单晶面上形成厚度为10nm～1.5μm的Al系III族氮化物单晶层的工序；(3)在Al系III族氮化物单晶层上形成厚度为Al系III族氮化物单晶层的100倍以上的非单晶层而不破坏Al系III族氮化物单晶层的工序；及(4)将基底基板除去的工序
具有 a1 氮化物单晶层层叠制造方法通过制法使用单晶基板氮化铝单晶基板

[发明专利]Ga2O3系单晶基板及其制造方法-CN201480010964.2有效
发明人：佐佐木公平 -专利权人：株式会社田村制作所
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：提供一种Ga2O3系单晶基板及其制造方法，该Ga2O3系单晶基板包括既抑制晶体质量的下降又具有高电阻之Ga2O3系单晶。根据本发明的一个实施方式，上述制造方法包括：将Fe添加至Ga2O3系原料中，培育含有比从上述Ga2O3系原料混入之施主杂质的浓度高的上述Fe之Ga2O3系单晶(5)；以及从Ga2O3系单晶(5)切出Ga2O3系单晶基板。
ga sub 系单晶基板及其制造方法

[发明专利]半导体基板、半导体元件以及半导体基板的制造方法-CN201880046032.1在审
发明人：仓又朗人;渡边信也;佐佐木公平;八木邦明;八田直记;东胁正高;小西敬太 -专利权人：株式会社田村制作所;株式会社希克斯;国立研究开发法人情报通信研究机构
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：提供一种半导体基板(1)，其是由单晶Ga2O3系基板(10)与多晶基板(11)接合而成的，单晶Ga2O3系基板(10)的厚度薄于多晶基板(11)的厚度，多晶基板(11)的断裂韧性值高于单晶Ga2O3系基板(10)的断裂韧性值。
半导体元件以及制造方法

[发明专利]层叠体及其制造方法-CN200980102299.9无效
发明人：纐纈明伯;熊谷义直;石附正成;永岛彻;箱守明;高田和哉 -专利权人：国立大学法人东京农工大学;株式会社德山
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种晶面的曲率半径大的Al系III族氮化物单晶自立基板，其是AlN等III族氮化物单晶自立基板，其可适合用于形成紫外发光元件等半导体元件，该自立基板如下获得：在由蓝宝石等无机物质的单晶构成的基底基板上形成厚度3～200nm的Al系III族氮化物单晶薄膜层后，在含有氨气的还原性气体气氛中在800～1600℃下加热处理，在所得层叠基板的基底基板与Al系III族氮化物单晶薄膜层的界面处形成空隙，接着在上述Al系III族氮化物单晶薄膜层上形成III族氮化物单晶厚膜，将其分离，从而获得自立基板；所述无机物质在惰性气体中800℃下不会实质性分解，而在800～1600℃下与氢气等还原性气体接触而分解并生成挥发性物质。
层叠及其制造方法

[发明专利]半导体基板、半导体元件以及半导体基板的制造方法-CN202211664306.8在审
发明人：仓又朗人;渡边信也;佐佐木公平;八木邦明;八田直记;东胁正高;小西敬太 -专利权人：株式会社田村制作所;株式会社希克斯;国立研究开发法人情报通信研究机构
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：提供一种包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板，其特征在于，包含将包括Ga2O3系单晶的单晶Ga2O3系基板的接合面与包括多晶体的多晶基板的接合面接合而成的接合基板，上述多晶基板是多晶SiC基板、多晶金刚石基板、多晶Si基板、多晶Al2O3基板、多晶AlN基板中的任意一基板，上述单晶Ga2O3系基板的厚度比上述多晶基板的厚度薄，通过遵循JIS R 1607的断裂韧性试验得到的上述多晶基板的断裂韧性值为
半导体元件以及制造方法

[发明专利]半导体基板、以及外延晶片及其制造方法-CN201680073555.6有效
发明人：后藤健;熊谷义直;村上尚 -专利权人：株式会社田村制作所;国立大学法人东京农工大学
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：提供一种能够通过HVPE法以高的生长率生长包括β‑Ga2O3系单晶的外延层或者能够生长表面形态良好的包括β‑Ga2O3系单晶的外延层的、包括β‑Ga2O3系单晶的半导体基板、具有该半导体基板和外延层的外延晶片及其外延晶片的制造方法。作为一实施方式，提供一种半导体基板(11)，其被用作通过HVPE法进行外延晶体生长用的基底基板，包括β‑Ga2O3系单晶，以与β‑Ga2O3系单晶的[100]轴平行的面为主面(12)。
半导体以及外延晶片及其制造方法

[发明专利]磁性石榴石单晶膜形成用基板及其制造方法、光学元件及其制造方法-CN200480008878.4无效
发明人：内田清志;坂下幸雄;大井户敦 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-01-28 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：一种制造用以使磁性石榴石单晶膜液相外延生长的磁性石榴石单晶膜形成用基板2的方法。首先，形成由对用以使液相外延生长使用的熔剂不稳定的石榴石系单晶构成的衬底基板10。接着，在衬底基板10的至少一个结晶培养面上形成由对熔剂稳定的石榴石系单晶薄膜构成的缓冲层11。在该衬底基板10上形成缓冲层11时无需主动地加热基板，用溅射法等薄膜形成法在衬底基板10上形成缓冲层11。
磁性石榴石单晶膜形成用基板及其制造方法光学元件

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201580046342.X有效
发明人：佐佐木公平;东胁正高;黄文海 -专利权人：株式会社田村制作所;国立研究开发法人情报通信研究机构
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：半导体元件(10)具备：包括包含受主杂质的β‑Ga2O3系单晶的高电阻基板(11)；形成在高电阻基板(11)上的未掺杂β‑Ga2O3系单晶层(12)；以及侧面被未掺杂β‑Ga2O3系单晶层(12)包围的n型沟道层(13)。未掺杂β‑Ga2O3系单晶层(12)作为元件分离区域。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]制造ZnO单晶的方法、由此得到的自支撑ZnO单晶晶片、以及自支撑含Mg的ZnO系混合单晶晶片和用于其的制造含Mg的ZnO系混合单晶的方法-CN200980110142.0无效
发明人：关和秀幸;小林纯;宫本美幸;大桥直树;坂口勲;和田芳树 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社;独立行政法人物质·材料研究机构
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：将作为溶质的ZnO与溶剂混合使该溶质熔解后，使所得熔液与种晶基板直接接触，连续地或间歇地提起前述种晶基板，从而通过液相外延生长法可将ZnO单晶生长在前述种晶基板上。此外，将作为溶质的ZnO和MgO与溶剂混合使该溶质熔解后，使所得熔液与种晶基板直接接触，连续地或间歇地提起前述种晶基板以通过液相外延生长法使含Mg的ZnO系混合单晶生长，其后，通过研磨或蚀刻除去基板，研磨或蚀刻前述单晶的液相外延生长的-c面侧，从而可得到上述自支撑含Mg的ZnO系混合单晶晶片。
制造 zno 方法由此得到支撑晶片以及 mg 混合用于

[发明专利]Ga2-CN202110088120.1有效
发明人：佐佐木公平;东胁正高;黄文海 -专利权人：株式会社田村制作所
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：3系单晶基板；以及形成在上述高电阻β‑Ga2O3系单晶基板的主面上的β‑Ga2O3系外延单晶层，上述β‑Ga2O3系外延单晶层包含Sup>cm‑3的不希望的施主杂质和/或受主杂质的高电阻未掺杂β‑Ga2O3系单晶层；以及侧面和底面被上述高电阻未掺杂β‑Ga2O3系单晶层包围的第1n型沟道层和第2n型沟道层，上述高电阻未掺杂β‑Ga2O3系单晶层是使上述第1n型沟道层和上述第2n型沟道层电绝缘的元件分离区域。
ga base sub

[发明专利]Ga2-CN201810990934.2有效
发明人：佐佐木公平 -专利权人：株式会社田村制作所
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C30B13/10 文献下载
摘要：提供一种Ga2O3系单晶基板，该Ga2O3系单晶基板包括对含有5×1017cm‑3以下的作为施主杂质的Si的Ga2O3系单晶掺杂了规定量的作为受主杂质的Fe而成的掺杂Fe的Ga2O3系单晶，上述掺杂Fe的Ga2O3系单晶中的上述Fe的浓度比上述Si的浓度高，上述掺杂Fe的Ga2O3系单晶中的上述Fe的浓度为5×1017cm‑3～1.5×10<
ga base sub

[发明专利]外延碳化硅单晶基板及其制造方法-CN201280008889.7有效
发明人：蓝乡崇;柘植弘志;胜野正和;藤本辰雄;矢代弘克;伊藤涉 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种在碳化硅单晶基板上具有堆垛层错少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板及其制造方法。是在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上、以合计低于10个/cm2地含有通过光致发光在400nm～600nm的波长处发光的堆垛层错的方式、在碳化硅单晶基板上使碳化硅外延层生长而得到的外延碳化硅单晶基板，此外，本发明的制造方法是形成外延层时所用的硅系的材料气体为氯硅烷、同时碳系的材料气体为烃气体、在1600℃以上且1700℃以下的生长温度下，通过使C/Si比在0.5以上且1.0以下、生长速度在1μm/小时以上且3μm/小时以下来形成外延层的外延碳化硅单晶基板的制造方法。
外延碳化硅单晶基板及其制造方法

[发明专利]含镁ZnO系混合单晶及其层压体和它们的制造方法-CN200880008873.X无效
发明人：关和秀幸;小林纯;大桥直树;坂口勲 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社;独立行政法人物质·材料研究机构
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：根据本发明，可以提供含镁ZnO系混合单晶，其特征在于，其包含带隙(Eg)为3.30＜Eg≤3.54eV的含有Mg的ZnO系半导体，且膜厚为5μm以上。另外，根据本发明，可以提供根据液相外延生长法制造含镁ZnO系混合单晶的方法，其特征在于，通过将作为溶质的ZnO和MgO与作为溶剂的PbO和Bi₂O₃(或者PbF₂和PbO)混合并熔解，然后使基板与所得熔体直接接触，从而使含镁ZnO系混合单晶在基板上生长。
含镁 zno 混合及其层压它们制造方法

[发明专利]β-Ga2-CN201480053760.7有效
发明人：后藤健;佐佐木公平;绞缬明伯;熊谷义直;村上尚 -专利权人：株式会社田村制作所;国立大学法人东京农工大学
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：提供能够高效生长出高质量且大口径的β‑Ga2O3系单晶膜(β‑Ga2O2O3系单晶膜的晶体层叠结构体。>O3系单晶膜的生长方法，包含将Ga2O3系基板10暴露于氯化镓系气体和含氧气体，在Ga2O3系基板10的主面11上使β‑Ga2O3系单晶膜12以900℃以上的生长温度生长的工序。
ga base sub

[发明专利]一种氮化镓单结晶基板的制造方法-CN202110215631.5在审
发明人：山本晓;张海涛;刘良宏;许彬;庞博 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种氮化镓单结晶基板的制造方法，旨在解决现有技术制造氮化镓单晶基板存在结晶缺陷的问题，包括以下步骤：S1、选取铝镁酸钪(ScAlMgO4)作为衬底；S2、通过MOCVD有机金属气相生长法在所述衬底上生长GaN系缓冲层；S3、通过HVPE气相生长法在所述GaN系缓冲层上外延生长GaN单晶层；S4、将所述GaN单晶层切片，形成GaN单结晶基板；S5、研磨抛光；S6、洗净。在本发明中，因为GaN基板的晶格常数和热膨胀系数同ScAlMgO4基板基本一致,所以通过MOCVD方法在ScAlMgO4基板上低温生长GaN系缓冲层，在作为第二阶段生长的GaN系缓冲层上通过HVPE法高温生长GaN单晶层，实现无位错、无结晶缺陷的高品质GaN结晶的制造。
一种氮化结晶制造方法

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