“第二金属层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11436356个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]基于显示面板的金属层结构、显示面板及电子设备-CN201920026708.2有效
发明人：林建伟;王欢;庄崇营;李林 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于显示面板的金属层结构、显示面板及电子设备，涉及显示面板制造技术领域。该金属层结构包括：基板，以及在基板上依次设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、导电层，第一金属层靠近第二金属层的边缘设置有第一凸起结构、第二金属层靠近第一金属层的边缘设置有第二凸起结构，第一凸起结构和第二凸起结构之间用于尖端放电，第一绝缘层上设置多个第一过孔、第二绝缘层上设置多个第二过孔，第一过孔位于第一金属层的投影区域、且非第二金属层的投影区域，第一金属层、第二金属均通过第一过孔、第二过孔与导电层导电连接实现了增强第一金属层和第二金属层之间导电能力的效果。
第一金属层第二金属层显示面板绝缘层凸起结构金属层结构边缘设置电子设备投影区域导电层基板本实用新型导电连接导电能力尖端放电依次设置金属制造

[发明专利]发光显示单元及显示装置-CN202011599900.4有效
发明人：苏柏仁;林维屏 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供一种发光显示单元及显示装置，所述发光显示单元包括第一金属层、第二金属层、第三金属层、第一绝缘层、第二绝缘层以及多个微型发光元件。第一金属层具有多个导电图案。第二金属层具有多个转接图案。第三金属层具有多个接垫图案。第二金属层位于第一金属层与第三金属层之间。第二金属层的分布密度大于第一金属层的分布密度，且第一金属层的分布密度大于第三金属层的分布密度。第一绝缘层设置在第一金属层与第二金属层之间。第二绝缘层设置在第二金属层与第三金属层之间。多个微型发光元件设置在第一金属层背离第二金属层的一侧，且分别电性接合至这些导电图案。
发光显示单元显示装置

[发明专利]基板结构、半导体封装元件及基板结构的制造方法-CN201210500717.3有效
发明人：周辉星;林少雄 -专利权人：先进封装技术私人有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：基板结构包括一导电结构，导电结构包括一第一金属层、一第二金属层以及一第三金属层。第二金属层设置于第一金属层上，第三金属层设置于第二金属层上。第二金属层和第三金属层分别具有相对的一第一表面与一第二表面，第三金属层的第一表面连接于第二金属层的第二表面，且第三金属层的第一表面的面积大于第二金属层的第二表面的面积。
板结半导体封装元件制造方法

[发明专利]显示装置-CN201610984607.7有效
发明人：蔡奇哲;林柏青;吴威谚;许惠珍 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：显示装置包括一第一基板、一第二基板、一第一阻障层、一第二阻障层、一显示介质以及一金属围墙(metal enclosing wall)。第一阻障层设置于第二基板上，第二阻障层设置于第一基板上，显示介质设置于第一阻障层和第二阻障层之间。金属围墙设置于第一基板和第二基板之间，金属围墙围绕显示介质。金属围墙包括一第一金属层、一第二金属层及一第三金属层。第一金属层位于第二阻障层上，第一金属层具有多个第一开口。第二金属层位于第一阻障层上。第三金属层形成于第一金属层和第二金属层之间。
阻障层第一金属层金属围墙第二金属层第二基板第一基板显示介质显示装置金属层开口

[发明专利]射频识别天线的形成方法-CN201410304457.1有效
发明人：林仲珉 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01Q1/12 文献下载
摘要：一种射频识别的形成方法，包括：底层金属层，包括第一部分和第二部分；形成位于第一部分上的若干依次交替堆叠的第一金属层和第二金属层，第一金属层和第二金属层均包括第一端和相对的第二端，第一层第一金属层的第二端与底层金属层的第一部分电连接，第N层的第二金属层的第一端与第N层的第一金属层的第一端电连接，第N+1层的第一金属层的第二端与第N层的第二金属层第二端电连接，第N+1层的第二金属层的第一端与第N+1层的第一金属层的第一端电连接；形成将底层金属层、第一金属层和第二金属层隔离的绝缘层；形成位于第二部分上的绝缘层中的金属连接层，金属连接层与底层金属层的第二部分电连接。
射频识别天线形成方法

[发明专利]一种新型金属栅的结构及其制造方法-CN202110718743.2在审
发明人：麻尉蔚;徐晓林;周维 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型金属栅的结构及其制造方法。PMOS具有第一栅极结构，NMOS具有第二栅极结构；第一栅极结构包括第一阻挡层、第一金属层、第二阻挡层、第二金属层、第三阻挡层和金属栅；第二栅极结构包括第一阻挡层、第二阻挡层、第二金属层、第三阻挡层和金属栅；第一栅极结构的第一金属层作为PMOS的第一功函数层；第二栅极结构的第二金属层作为NMOS的第二功函数层；第一功函数层和第二功函数层被第二阻挡层分隔开。本发明通过第二阻挡层分隔开第一功函数层和第二功函数层，从而隔离金属栅以及NMOS的第二金属层对PMOS的第一金属层的影响，进而提高了PMOS阀值电压(Vt)面内均匀性，提高良率。
一种新型金属结构及其制造方法

[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示面板-CN202210773979.0在审
发明人：郑帅;宋志伟;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示面板，该阵列基板的制作方法包括：提供一衬底基板；在衬底基板上依次形成第一金属层、第二金属层以及光阻层；对光阻层和第二金属层进行刻蚀，第二金属层的侧面显露于光阻层；对第二金属层的侧面进行表面处理，使得第二金属层的侧面形成钝化层；采用干刻工艺对第一金属层进行刻蚀。本申请通过在衬底基板上依次形成第一金属层、第二金属层以及光阻层，对光阻层和第二金属层进行刻蚀后，使得第二金属层的侧面显露于光阻层，使得第二金属层的侧面形成钝化层，从而后续在采用干刻工艺对第一金属层进行刻蚀时，干刻工艺中的刻蚀材料不会对第二金属层造成腐蚀，避免了金属走线的制作不良。
阵列制作方法以及显示面板

[发明专利]射频识别天线-CN201410304858.7有效
发明人：林仲珉 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：一种射频识别天线包括：底层金属层，包括第一部分和第二部分；位于第一部分上的若干依次交替堆叠的第一金属层和第二金属层，第一金属层和第二金属层均包括第一端和相对的第二端，第一层第一金属层的第二端与底层金属层的第一部分电连接，第N层的第二金属层的第一端与第N层的第一金属层的第一端电连接，第N+1层的第一金属层的第二端与第N层的第二金属层第二端电连接，第N+1层的第二金属层的第一端与第N+1层的第一金属层的第一端电连接；绝缘层，绝缘层将底层金属层、第一金属层和第二金属层隔离；位于第二部分上的绝缘层中的金属连接层，并与底层金属层的第二部分电连接。
射频识别天线

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610620077.8有效
发明人：傅世刚;吴宪昌;苏莉玲;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成介电层。在第一层间介电层中形成第一图案和第二图案。第一图案的宽度大于第二图案的宽度。在第一图案和第二图案中形成第一金属层。在第一图案中形成第二金属层。对第一和第二金属层实施平坦化操作以便形成通过第一图案的第一金属布线和通过第二图案的第二金属布线。第一金属层的金属材料不同于第二金属层的金属材料。第一金属布线包括第一和第二金属层并且第二金属布线包括第一金属层但不包括第二金属层。本发明的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]导体结构以及面板装置-CN201710136814.1有效
发明人：陈明俊;黄旭闵;杨士贤 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种导体结构以及面板装置，该导体结构包括第一金属层、第二金属层以及控制层。第二金属层配置于第一金属层上，其中第一金属层的材质与第二金属层的材质包括至少一种相同的金属元素。控制层配置于第一金属层与第二金属层之间，其中控制层的厚度小于第一金属层的厚度及第二金属层的厚度。
导体结构以及面板装置

[实用新型]一种MIM结构-CN201520801892.5有效
发明人：袁芳;张冠;董燕 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型提供一种MIM结构，包括第一MIM结构和第二MIM结构、顶层金属层和保险丝(Metal Fuse)；所述第一MIM结构包括第一金属层、第一介质层和第一上极板；所述第二MIM结构包括第二金属层、第二介质层和第二上极板；所述顶层金属层包括第一顶层金属层、第二顶层金属层和第三顶层金属层；第二金属层通过第一通孔与第一上极板电连；第一顶层金属层通过第二通孔与第二金属层电连；第二顶层金属层通过第三通孔与第二上极板电连，第三顶层金属层通过第四通孔与第一金属层电连；所述保险丝形成于第二顶层金属层和第三顶层金属层之间。本实用新型在第二顶层金属层和第三顶层金属层之间设置保险丝，通过保险丝是否熔断，并使三个焊垫(Pad)处于不同的电性状态，从而获得具有不同电容值的MIM结构。
一种 mim 结构

[发明专利]半导体结构-CN201410247121.6有效
发明人：周志飚;吴少慧;古其发 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：堆叠电容结构包括一第一内金属层、一第一绝缘层、一第二内金属层、一第二绝缘层及一第三内金属层。第一内金属层包括一第一衬垫区邻近第一内金属层的一边缘。第一绝缘层设置于第一内金属层上且暴露第一衬垫区。第二内金属层设置于第一绝缘层上，第二内金属层包括一第二衬垫区邻近第二内金属层的一边缘。第二绝缘层设置于第二内金属层上且暴露第二衬垫区。第一衬垫区与第二衬垫区具有多个衬垫。第三内金属层覆盖第二内金属层，且包括至少一第一狭缝区。第一狭缝区对应于第二衬垫区，使第二衬垫区上的衬垫裸露。
半导体结构

[发明专利]封装基板及其制造方法-CN201110161551.2有效
发明人：朴珠炫;洪荣文;金锡奉 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：封装基板包括一第一介电层、一第一金属层、一第二金属层、一第三金属层、一第二介电层及一第四金属层。第一介电层具有一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽。第三凹槽位于第一凹槽及第二凹槽之间。第一金属层内埋于第一凹槽内。第二金属层内埋于第二凹槽内。第三金属层内埋于第三凹槽内。第三金属层的上表面低于第一介电层的上表面。第二介电层设置于第二凹槽内，并覆盖至少部份的第三金属层。第四金属层覆盖部份的第一介电层及第二介电层，并电性连接第一金属层及第二金属层。
封装及其制造方法

[发明专利]基于FPC的金属线路结构及其加工方法-CN202110494445.X在审
发明人：陈正能;蔡水河;王允男;王乔晖 -专利权人：常州欣盛半导体技术股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FPC的金属线路结构及其加工方法，包括：基材膜；第一金属层，第一金属层附着于基材膜的表面；第二金属层，第二金属层位于第一金属层的上方；中间层，中间层设于第一金属层和第二金属层之间，中间层的上下表面分别与第一金属层和第二金属层相连，中间层为不易与第二金属层发生反应的材料。本发明通过在第一金属层和第二金属层之间设置中间层，阻断了第一金属层和第二金属层之间进行扩散，保证了第二金属层维持一定的厚度，使得线路高度不会过高，避免了线路从基材膜上剥离。
基于 fpc 金属线路结构及其加工方法

[实用新型]基于FPC的金属线路结构-CN202120957466.6有效
发明人：陈正能;蔡水河;王允男;王乔晖 -专利权人：常州欣盛半导体技术股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FPC的金属线路结构，包括：基材膜；第一金属层，第一金属层附着于基材膜的表面；第二金属层，第二金属层位于第一金属层的上方；中间层，中间层设于第一金属层和第二金属层之间，中间层的上下表面分别与第一金属层和第二金属层相连，中间层为不易与第二金属层发生反应的材料。本发明通过在第一金属层和第二金属层之间设置中间层，阻断了第一金属层和第二金属层之间进行扩散，保证了第二金属层维持一定的厚度，使得线路高度不会过高，避免了线路从基材膜上剥离。
基于 fpc 金属线路结构