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[发明专利]竖直存储器件-CN201910890603.6在审
发明人：辛承俊;崔凤贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一种竖直存储器件包括具有单元阵列区和阶梯区的衬底。栅电极在第一方向和第三方向上彼此间隔开。沟道在单元阵列区上沿第一方向延伸穿过栅电极。每一个栅电极沿第二方向延伸。
竖直存储器件

[发明专利]竖直存储器件-CN201910879912.3在审
发明人：尹壮根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：一种竖直存储器件包括：衬底上的导线、第一半导体图案和第二半导体图案、第一焊盘和第二焊盘、第一电极和第二电极、第三电极及第一划分图案。导线沿竖直方向堆叠并沿第一方向延伸。第一半导体图案和第二半导体图案沿竖直方向延伸穿过导线。第一焊盘和第二焊盘形成在第一半导体图案和第二半导体图案上。第一电极和第二电极电连接到第一焊盘和第二焊盘。第三电极电连接到导线中的第一导线。
竖直存储器件

[发明专利]竖直重新对齐装置-CN201980076551.7在审
发明人： J-C·博伊伦;L·沙巴索尔 -专利权人：雷诺股份公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B60R13/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种偏心件(5)，该偏心件包括第一固定部件(50)和设置在该第一固定部件(50)中的第二旋转部件(51)，其特征在于，该第二旋转部件(51)在一侧上包括具有轴线A的凹入凹陷(513)，并且在另一侧上包括具有轴线B的圆柱形头(514)，其特征在于，这些轴线A和B平行并且彼此相距非零的距离d，其特征在于，该第二旋转部件(51)包括两个相反的臂(511，512)，这些臂的一端设置有两个齿(5111)，这两个齿与设置在该第一固定部件(50)上的卡扣(504，505)配合，并且其特征在于，这些臂(511，512)的端部可弹性变形。因此，偏心件(5)可以用比如“梅花”工具等工具转动并且由此当该偏心件放置在车门装饰件中时允许进行高度调节，而不会从装饰件中突出。臂的可弹性变形的端部使得可以通过压力将齿从卡扣上释放，并且通过端部恢复到其静止位置而自动将这些齿锁定在卡扣上，以此方式防止第二部分在期望的位置旋转。
竖直重新对齐装置

[发明专利]竖直存储器件-CN202011535848.6在审
发明人：张中;周文犀;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本公开内容的各方面提供了一种半导体器件。该半导体器件包括沿垂直于半导体器件的衬底的方向交替地堆叠并且在衬底上方形成堆叠体的栅极层和绝缘层。该半导体器件包括形成于堆叠体的阵列区中的沟道结构的阵列。此外，该半导体器件包括：由衬底上方的连接区中的堆叠体的第一区段形成的第一阶梯，以及由衬底上方的连接区中的堆叠体的第二区段形成的第二阶梯。此外，该半导体器件包括由堆叠体的第一区段形成并且设置在连接区中的第一阶梯和第二阶梯之间的虚设阶梯。
竖直存储器件

[发明专利]物体竖直输送装置-CN202110023229.7在审
发明人：马从国;翁润庭;崔家兴;丁晓红;王苏琪;杨艳;柏小颖;周恒瑞;张月红;李亚洲;刘伟;王建国;叶文芊;张利兵 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： B65H5/02 文献下载
摘要：本发明涉及自动化生产领域，公开了一种物体竖直输送装置，包括上下设置的取件传送机构和放置传送机构；所述放置传送机构中，放置底板水平安装在竖直的切换推杆顶端，放置底板上水平安装有放置传送带，所述放置传送带两侧竖直安装有放置侧挡板，在所述放置侧挡板的顶部水平安装有所述取件传送机构中的取件底板，所述取件底板上水平安装有取件传送带，所述取件传送带两侧竖直安装有取件侧挡板。本设备实现待扫描纸张的竖直传送，实现一次性可以传送较多的纸张；还能适用于传送不同规格和形状的纸张，能够对扫描后的扫描件作进一步的分类。
物体竖直输送装置

[发明专利]竖直存储器件-CN201910897773.7在审
发明人：李炅奂;金容锡;林濬熙;金森宏治 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种竖直存储器件包括衬底上的栅电极和第一结构。栅电极可以在垂直于衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开。
竖直存储器件

[发明专利]竖直存储器件-CN201911280167.7在审
发明人：李建泳;金宣荣 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：公开了一种竖直层叠的3D存储器件，并且该存储器件可以包括：位线，其从衬底竖直地延伸，包括第一竖直部分和第二竖直部分；竖直有源层，其被配置为围绕位线的第一竖直部分和第二竖直部分；字线，其被配置为围绕竖直有源层和位线的第一竖直部分；以及电容器，其与字线在竖直方向上间隔开，并被配置为围绕竖直有源层和位线的第二竖直部分。
竖直存储器件

[发明专利]竖直存储器件-CN202110114716.4在审
发明人：千志成;鲁知艺;朴昞坤;林珍洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：一种竖直存储器件，包括：栅电极结构、沟道、电荷存储结构和划分图案。栅电极包括在第一方向上彼此间隔开的栅电极。沟道穿过栅电极结构延伸，并且包括第一部分和第一部分之上并且接触第一部分的第二部分。
竖直存储器件

[发明专利]竖直晶体管-CN202111029910.9在审
发明人：李宜芳;刘鸿威;陆宁;A·A·卡恩德卡尔;J·B·赫尔;S·博尔萨里 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种竖直晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直位于所述顶部与底部源极/漏极区之间的沟道区及可操作地横向邻近所述沟道区的栅极。所述顶部界面处或所述底部界面处的所述沟道区具有比竖直位于所述顶部及底部界面处的所述晶粒之间的所述沟道区中的所述晶粒的体积大的水平织构。公开其它实施例及方面。
竖直晶体管

[发明专利]竖直存储器件-CN202111358499.X在审
发明人：李宰求 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：竖直存储器件包括衬底上的单元堆叠结构、支撑结构和单元接触插塞。单元堆叠结构包括在竖直方向上彼此间隔开的栅极图案和栅极图案之间的绝缘层。支撑结构穿过单元堆叠结构和栅极图案之一的台阶部分，并包括杯状的间隔物层、环状的第一金属图案以及填充间隔物层内部空间的第二金属图案。单元接触插塞在台阶部分上。第一金属图案在栅极图案的相同竖直高度处。
竖直存储器件

[发明专利]竖直半导体器件-CN202210629921.9在审
发明人：俞昌渊;郭判硕;边大锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：一种竖直存储器件可以包括第一导线结构和地址解码器。第一导线结构可以在衬底上。第一导线结构可以包括在与衬底的表面垂直的方向上交替并重复堆叠的导线和绝缘层。
竖直半导体器件

[发明专利]竖直转移结构-CN202210965439.2在审
发明人：王勤;臧辉 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及竖直转移结构。例如用于图像传感器及电子装置的像素包含形成在半导体衬底中的光电二极管、浮动扩散区及选择性地将所述光电二极管耦合到所述浮动扩散区的转移结构。所述转移结构包含：转移门，其形成在所述半导体衬底上；以及竖直沟道结构，其包含形成在所述转移门与所述光电二极管之间的所述半导体衬底中的间隔开的第一掺杂区。
竖直转移结构

[发明专利]竖直半导体装置-CN202310070178.2在审
发明人：孔榠浒;金硕埙;赵训 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：一种竖直半导体装置包括绝缘图案、沟道结构、第一金属图案结构和第二金属图案。绝缘图案在竖直方向上彼此间隔开。每个绝缘图案在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸。沟道结构穿过绝缘图案。第一金属图案结构位于竖直方向上的相邻绝缘图案之间的间隙中，并且第一金属图案结构位于间隙的中心部分处。
竖直半导体装置

[发明专利]竖直半导体器件-CN202310250114.0在审
发明人：金成吉;梁时荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：一种竖直半导体器件可以包括衬底、衬底上的图案结构、以及穿过图案结构的沟道孔中的沟道结构。图案结构可以包括沿与衬底的上表面垂直的竖直方向交替堆叠的绝缘图案和栅极结构。沟道结构可以沿竖直方向延伸。
竖直半导体器件

[发明专利]竖直传高仪-CN201010547450.4有效
发明人：裴灼炎;马能武;叶青;刘德军;施云江;陈远瞩 -专利权人：长江水利委员会长江勘测规划设计研究院;长江空间信息技术工程有限公司（武汉）
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G01C3/00 文献下载
摘要：竖直传高仪，它包括上装置(1)和下装置(2)，所述的上装置(1)为第一矩形框体(11)，所述的下装置(2)为第二矩形框体(21)，在上装置(1)的下端固定有钢杆(13)和铝杆(14)，二根不锈钢丝(15本发明竖直传高仪可有效避免现场条件的限制，解决传统测量方法受条件制约无法开展的问题。精度可达±0.1mm，极大提高观测精度。
竖直传高仪