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[实用新型] 一种线圈理线机构 -CN202320608605.3 有效
发明人：
李亚洲 段元朋 ;刘佑喜 ;李国锋 ;吴昊 ;吴裕达
- 专利权人：
浙江田中精机股份有限公司
申请日：
2023-03-20
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公布日：
2023-10-24
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主分类号：
H01F41/06 文献下载
摘要： 一种线圈理线机构，其包括一个机架，一个设置于所述机架上的脱料组件，一个设置于所述脱料组件的一侧的夹料组件，一个位于所述夹料组件的一侧的夹线组件，一个位于所述脱料组件与所述夹线组件之间的切线组件，以及一个位于所述脱料组件的一侧的折线组件。所述脱料组件包括一个设置于所述机架上的脱料气缸，一个设置于所述脱料气缸的输出端的基板，一个位于所述基板上的线圈套具，两个设置于分别所述基板的两侧的驱动气缸，以及两个分别设置于所述驱动气缸的输出端的弯折卡件。第一、二线夹部件结构相同且处于同一水平线，所述弯折卡件远离所述线圈套具的一侧具有一个圆弧面。该机构全程无需人工参与，节省了人力资源，提高了生产效率。一种 线圈 机构
[发明专利] 一种寻边器 -CN202310219109.3 有效
发明人：
余磊 ;李亚洲 伦汉忠 ;梁伟东
- 专利权人：
东莞市智赢智能装备有限公司
申请日：
2023-03-07
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公布日：
2023-10-20
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主分类号：
H01L21/67 文献下载
摘要： 本申请涉及自动化装置领域，尤其是涉及一种寻边器，包括机架、第一滑移件、第一驱动件、第二滑移件、第二驱动件、旋转件、驱动电机、吸附件和CCD检测机构；所述第一滑移件滑移设置于所述机架上，所述第一驱动件用于驱动所述第一滑移件沿第一方向滑动；所述第二滑移件滑移设置于所述第一滑移件上，所述第二驱动件用于驱动所述第二滑移件沿第二方向滑动；所述驱动电机固定于所述第二滑移件上，所述驱动电机用于驱动所述旋转件旋转，所述吸附件固定于所述旋转件上；所述CCD检测机构设置于所述机架上，所述CCD检测机构位于所述吸附件上方。本申请便于将晶圆准确的传送至准确的位置。一种 寻边器
[实用新型] 一种绕线折线机构 -CN202320608604.9 有效
发明人：
李亚洲 段元朋 ;刘佑喜 ;李国锋 ;吴昊 ;吴裕达
- 专利权人：
浙江田中精机股份有限公司
申请日：
2023-03-20
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公布日：
2023-10-20
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主分类号：
H01F41/076 文献下载
摘要： 一种绕线折线机构，其包括一个旋转组件，一个设置于所述旋转组件的输出端的夹持组件，一个设置于所述夹持组件的一侧的线夹组件，以及一个设置于所述线夹组件的一侧的折线组件。所述夹持组件包括一个设置于所述旋转组件的输出端的底座。所述折线组件包括一个设置于所述顶块内的升降柱，一个穿设于所述升降柱上的压杆，一个穿设于所述升降柱靠近所述底座的一端的推折件，一个套设于所述升降柱的另一端上的弹簧，一个设置于所述推折件的中段的推折弹簧，以及一个套设于所述顶块上的压板。所述推折件的一端开设有一个横向滑动槽，一个销轴穿设过该横向滑动槽并能够在所述横向滑动槽中活动。该机构无需人工参与，节省人力资源，作业效率高。一种 折线 机构
[实用新型] 一种线圈整形机构 -CN202320583312.4 有效
发明人：
李亚洲 刘佑喜 ;李国锋 ;吴昊 ;吴裕达
- 专利权人：
浙江田中精机股份有限公司
申请日：
2023-03-20
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公布日：
2023-10-20
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主分类号：
H01F41/04 文献下载
摘要： 一种线圈整形机构，其包括壳体，驱动机构，以及整形机构。所述驱动机构包括驱动电机，丝杆组件，导向板，以及推杆。所述推杆一端与所述导向板连接，另一端呈圆锥形结构。所述整形机构包括底座，台阶孔，整形块，弹簧。所述整形块的底端穿过所述台阶孔且该端为整形端，两个所述整形块相向的一侧设置有一个斜面。两个所述整形块相向的一侧设置有一个斜面。所述弹簧通过自身弹力推动所述整形块相向运动贴合在一起。所述台阶孔的中心轴与所述推杆的中心轴相互重合，从而使所述推杆下降时可以插入两个所述整形块的所述斜面上，进而将两个所述整形块分开并撑开线圈，从而将原本圆形的线圈整形成圆角矩形。一种 线圈 整形 机构
[发明专利] 一种氮化镓和二维发光材料结合的光晶体管及其制备方法 -CN202310412200.7 在审
发明人：
马占红 ;李亚洲
- 专利权人：
宁夏大学
申请日：
2023-04-18
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公布日：
2023-09-29
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主分类号：
H01L33/00 文献下载
摘要： 本发明提供一种氮化镓和二维发光材料结合的光晶体管及其制备方法，属于半导体材料及光电器件制备工艺技术领域。光晶体管包括从下而上依次设置的衬底(100)、缓冲层(200)、介质层(300)、氮化镓层(400)、n型铝镓氮层(500)、量子点发光层(600)、空穴传输层(700)、源极(810)及漏极(820)，氮化镓层(400)和n型铝镓氮层(500)接触共同形成异质结，异质结用于产生二维电子气(2DEG)；源极(810)、漏极(820)相对设置在空穴传输层(700)的上表面两端。本发明可有效解决现有发光场效应晶体管发光效率低、电子迁移率低的问题，通过AlGaN/GaN异质结形成的二维电子气，改善空穴的注入效率、降低非辐射复合、提高量子点发光晶体管的发光效率。一种 氮化 二维 发光 材料 结合 晶体管 及其 制备 方法
