专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果11620个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]磁测量装置-CN201510362025.0有效
  • 波多野雄治;山田耕司;吉野隆 - 瑞萨电子株式会社
  • 2015-06-26 - 2020-02-18 - G01R33/032
  • 通过有效利用所有方位的氮‑空位对,进行高精度的磁测定。磁测量装置(10)具有金刚石晶体(15)以及图像传感器(16)。金刚石晶体(15)具备氮‑空位对(25)。另外,将金刚石晶体(15)的氮‑空位对(25)与像素(26)1:1地分别对应起来,通过与该氮‑空位对(25)对应起来的1个像素(26)对1个氮‑空位对(25)发生了的荧光进行受光。
  • 测量装置
  • [发明专利]一种具有氧空位的COF基光催化材料及其制备方法-CN202310450733.4在审
  • 张裕敏;柳清菊;张瑾;邱之实;周桐 - 云南大学
  • 2023-04-24 - 2023-08-01 - B01J31/06
  • 本发明提供一种具有氧空位的COF基光催化材料及其制备方法,涉及COF基光催化材料技术领域。该具有氧空位的COF基光催化材料及其制备方法,包括单原子负载的含氧空位TpPa‑1光催化材料,所述单原子负载的含氧空位TpPa‑1光催化材料包括合成TpPa‑1的原料、合成溶剂、冰乙酸、氢氟酸(HF)、本发明的贱金属单原子催化剂不需要助催化剂也能有着不差于用贵金属做助催化剂的COFs基材料的产氢性能,成本更加低廉,由于氧空位的引入,从而提高了光催化效率,同时氧空位与金属单原子之间的协同作用也有利于光催化效率的提高,单原子负载的氧空位COFs基光催化材料仅需要两步,制备方法简单,且光沉积法制备成本低。
  • 一种有氧空位cof光催化材料及其制备方法
  • [发明专利]压接工具替换装置和相应的压接工具替换方法-CN201710286098.5有效
  • 彼得·伊姆格鲁特;比特·维基 - 科迈士瑞士股份有限公司
  • 2017-04-26 - 2020-10-20 - H01R43/048
  • 一种压接工具替换装置,用于将第一压接工具替换成第二压接工具,压接工具布置在建立压接连接的压接压力机的过程位置中且将线缆的导体端部与压接接触部连接,替换装置具有至少两个用于保持压接工具的替换空位,其可布置在第一替换位置中:使得第一压接工具可沿第一运动方向从过程位置行驶到第一替换空位上,替换空位可从第一替换位置沿直线运动到第二替换位置中:使得处在第一替换空位上的第一压接工具和处在第二替换空位上的第二压接工具沿不同于第一运动方向的第二运动方向运动,替换空位可布置在第二替换位置中:使得第二压接工具可从第二替换空位沿与第一运动方向相反延伸的第三运动方向行驶到过程位置中。
  • 工具替换装置相应方法
  • [发明专利]一种量子点发光二极管-CN201811287190.4有效
  • 苏亮 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2018-10-31 - 2021-05-18 - H01L51/50
  • :阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点层、设置在所述阴极和量子点层之间的电子传输层,所述电子传输层的材料为金属氧化物纳米颗粒,其中,还包括设置在所述阴极和电子传输层之间的第一层,所述第一层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量本发明通过在阴极和电子传输层之间设置第一层,所述第一层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量,这样阴极电子被第一层中氧空位捕获的行为减少,使得被电子传输层中氧空位捕获的电子减少,避免大量通过电子传输层氧空位捕获的电子与量子点层中价带空穴复合造成猝灭
  • 一种量子发光二极管
  • [发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置-CN201410334219.5有效
  • 王美丽;辛龙宝 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2014-07-14 - 2017-09-29 - H01L29/786
  • 该薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极,栅绝缘层设置在栅极和有源层之间,源极和漏极分别对应设置在有源层的两端,有源层采用金属氮氧化物材料形成,还包括能导电的氧空位削减层,氧空位削减层设置在有源层与源极之间,和/或氧空位削减层设置在有源层与漏极之间,用于对有源层中的氧空位进行削减。该薄膜晶体管通过设置氧空位削减层,使有源层中氧空位的数量大大减少,从而提高了载流子的传输速率,同时还降低了薄膜晶体管的亚阈值摆幅,进而大大提升了薄膜晶体管的导通性能。
  • 一种薄膜晶体管阵列显示装置
  • [发明专利]一种停车诱导的系统及其方法-CN201210290363.4有效
  • 程治永 - 深圳市迈岭科技有限公司
  • 2012-08-15 - 2017-04-05 - G08G1/14
  • 中心子系统负责区域和空位数的管理和统计、区域关系维护;接收子系统接收停车场空位数信息;发布子系统将新数据发布到显示牌;显示牌通过IP无线网络接收并显示本区域的空位数;停车场采集点持续记录,并在数据变化时实时上报当前空位数和区域编号;区域,以可停车的特定范围划分,数据有全局唯一的区域编号、区域类型、车辆数、子区域编号列表、父区域编号,通过子区域编号列表、父区域编号级联,构成复杂区域的划分;当停车场空位数发生变化时,系统依其父区域编码,逐级更新各级父区域的空位数,并更新所有相关显示牌。
  • 一种停车诱导系统及其方法
  • [发明专利]一种MOSFET结构及其制造方法-CN201310480377.7有效
  • 李睿;尹海洲;刘云飞 - 中国科学院微电子研究所
  • 2013-10-15 - 2018-04-03 - H01L21/336
  • 本发明提供了一种MOSFET制造方法,包括a.提供衬底、源漏区、伪栅叠层、层间介质层和侧墙;b.去除伪栅叠层形成伪栅空位,并在伪栅空位中的衬底上形成氧化层;c.在所述半导体结构漏端一侧覆盖光刻胶,露出伪栅空位中靠近源端的氧化层;d.对未被光刻胶覆盖的衬底及氧化层进行各向异性刻蚀,形成空位;e.去除光刻胶,在所述空位中淀积跃迁阻挡层,直至所述跃迁阻挡层与氧化层平齐;f.对所述半导体结构进行刻蚀,去除氧化层以露出沟道表面;g.在所述伪栅空位中淀积栅极叠层
  • 一种mosfet结构及其制造方法
  • [发明专利]一种富空位的二硒化铼基多级疏水膜及其制备方法-CN202010216747.6有效
  • 赖飞立;刘天西;楚凯斌 - 江南大学
  • 2020-03-25 - 2021-05-28 - B01J27/057
  • 本发明公开了一种富空位的二硒化铼基多级疏水膜及其制备方法,属于新型能源转换材料技术领域。本发明利用细菌纤维素基碳纳米纤维为疏水层,对富空位的二硒化铼@碳纳米纤维复合材料进行包裹,从而得到富空位的二硒化铼基多级疏水膜,这种采用疏水性碳纳米纤维层对富空位的二硒化铼@碳纳米纤维复合材料进行包覆的方法同时,在二硒化铼结构中引入硒空位有助于促进催化过程的电子得失过程,进一步提升该部分材料的氮气还原性能。本发明的富空位的二硒化铼基多级疏水膜的制备过程简易、原料价格适中、催化效果优异,具有良好的商业化前景。
  • 一种空位二硒化铼基多疏水及其制备方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top