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[实用新型]一种有碎钻流沙的镜头保护盖-CN202220084315.9有效
发明人：丁燕辉 -专利权人：东莞市捷胜电子科技有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03B17/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种有碎钻流沙的镜头保护盖，包括与镜头配合粘贴连接的五金框架，五金框架外端粘贴有玻璃面盖，所述五金框架内与镜头之间有镂空位，镂空位上设有若干可流动的碎钻，本实用新型通过在五金框架内与镜头之间设置镂空位，并在镂空位上设有若干可流动的碎钻，这样便能有效提高保护和装饰效果。
一种有碎钻流沙镜头保护

[发明专利]自习室位置推荐方法和移动终端-CN201510998301.2在审
发明人：吕丽平 -专利权人：北京奇虎科技有限公司;奇智软件(北京)有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： G06Q50/20 文献下载
摘要：本发明提供一种自习室位置推荐方法和移动终端，其中，该方法包括移动终端获取用户的自习信息，自习信息包括自习时间和自习地点；移动终端确定在自习时间内，与自习地点对应的自习室内的自习人数；移动终端根据自习人数以及预设的自习室位置个数，确定空位个数；移动终端确定空位个数大于等于预设个数时，生成第一提示信息，以提示用户自习室具有空位。可以提示用户自习室具有空位；可以实现根据用户选择的自习地点，提示用户与自习地点对应的自习室是否具有空位的目的，进而给用户的学习带来便捷，节约了用户的时间。
自习室位置推荐方法移动终端

[发明专利]氧空位型金属氧化物半导体的制备方法-CN201910705688.6在审
发明人：赵彩凤;杨亚辉;罗琳;邵赛;邵颖;张乐平 -专利权人：湖南农业大学;湖南省核农学与航天育种研究所
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了氧空位型金属氧化物半导体的制备方法，该方法解决了现有技术中，制备氧空位型半导体材料时存在的对设备要求高，有安全隐患，制备过程中会引入难以消除的杂质元素的问题，安全可靠性高，设备要求低，试剂易得，工艺流程简单，易于推广，通过本发明实施例的方法制备得到的氧空位型半导体材料，光电化学活性高于现有技术制备的同种材料，本发明实施例的制备方法，在制备氧空位时具有定量可控性，通过控制辐射剂量即可得到不同含量的氧空位的半导体催化剂
制备氧空位半导体材料金属氧化物半导体半导体催化剂安全可靠性安全隐患辐射剂量光电化学设备要求同种材料杂质元素制备过程工艺流程对设备可控性引入

[发明专利]一种AG蚀刻避空位无台阶加工方法及玻璃产品-CN202211110375.4在审
发明人：温天雨;张伟忠;段建红;卢民荣 -专利权人：深圳市信濠光电科技股份有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种AG蚀刻避空位无台阶加工方法及玻璃产品，其中AG蚀刻避空位无台阶加工方法包括加工步骤：涂布第一保护油，裁切处理，清洗处理，印刷第二保护油，烘烤处理，玻璃酸洗，玻璃蚀刻，清洗第二保护油，化学抛光，清洗第一保护油；AG蚀刻避空位无台阶玻璃产品采用所述的AG蚀刻避空位无台阶加工方法进行加工。该种AG蚀刻避空位无台阶加工方法及玻璃产品具有操作方便、加工难度低的优点，在实际应用时可有效减少蚀刻避空区域与避空区域之间的高度差，提升使用体验，产品的加工质量更好，良品率高。
一种 ag 蚀刻空位台阶加工方法玻璃产品

[发明专利]一种具有氧空位的LaCoO3-CN201910599150.1有效
发明人：刘彦;李秋瑶;孔祥栋;耿志刚;曾杰 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： B01J23/83 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有表面氧空位的LaCoO3纳米材料的制备方法，包括：将LaCoO3纳米材料在氩气等离子体中刻蚀，得到具有表面氧空位的本申请还提供了上述具有表面氧空位的LaCoO3纳米材料在电化学还原氮气合成氨反应中的应用。本申请通过引入氧空位来改善金属氧化物LaCoO3纳米材料的性能，使得到的具有氧空位的LaCoO3纳米材料具有较高的催化活性
一种有氧空位 lacoo base sub

[发明专利]一种消除PbTe基热电材料中阳离子空位的方法-CN202111669625.3有效
发明人：苏贤礼;汪聪;唐新峰;陶奇睿;訾鹏;任培安 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明提出一种消除PbTe基热电材料中阳离子空位的方法，以单质铅、碲和铋为原料，真空密封后进行熔融反应，然后淬火、退火，得到锭体材料；然后于保护气氛下研磨成粉体，再进行等离子体活化烧结，得到消除阳离子空位的本发明揭示了n型PbTe基化合物中阳离子空位缺陷的形成机制，提出了阳离子空位形成的反应方程式；并在此基础上提出了消除n型PbTe基热电材料中阳离子空位缺陷的解决方案，对开发高性能n型PbTe基材料提供了新的思路
一种消除 pbte 热电材料中阳离子空位方法

[实用新型]一种PVC稳定剂刚果红测试装置-CN201820470368.8有效
发明人：艾飞;赵勇 -专利权人：常州佑佳新材料科技有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G01N25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种PVC稳定剂刚果红测试装置，包括恒温加热箱，恒温加热箱包括加热槽、搅拌器、传感器和控制面板，所述加热槽顶部设有盖板，盖板上设有若干空位，空位上固定试管架，每个试管架上设置若干试管位，所述试管架形状与盖板上的空位匹配，试管架在盖板下的部分尺寸与空位匹配，盖板上的部分尺寸大于空位尺寸。
盖板空位试管架测试装置刚果红本实用新型恒温加热箱加热槽匹配固定试管结构设置控制面板人工误差搅拌器重现性传感器试管测试

[实用新型]一种物品挑选装置-CN202221545249.7有效
发明人：方秀菊;张丽;崔争第;陈梁;张华钰;张南 -专利权人：中科美菱低温科技股份有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B07C5/02 文献下载
摘要：本申请提供一种物品挑选装置，该装置包括：物品放置位、具有镂空位的平台、机架、定位模块以及顶升模块；物品放置位安装于镂空位，并用于放置物品；具有镂空位的平台安装于机架顶部；定位模块安装于平台，用于判断物品的位置；以及顶升模块安装于机架内部，用于通过镂空位将物品放置位中的目标物品沿着远离平台以及机架的方向顶升。本申请实施例提供的物品选取装置通过物品放置位、具有镂空位的平台、机架、定位模块以及顶升模块实现对目标物品的精准选取，在用于生物样本筛选时，可以迅速准确的对目标生物样本进行选取。
一种物品挑选装置

[发明专利]一种富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂及其制备方法-CN201910006850.5有效
发明人：陈达;王砚泽;秦来顺;黄岳祥;梁俊辉 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明属于半导体光催化技术领域，具体涉及一种富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌（ZnIn2S4）光催化剂及其制备方法。本发明提供了一种富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂及其制备方法，其特征在于：经过高温高压氢化处理后，硫铟锌光催化剂表面存在大量的硫空位缺陷态结构。相对于未改性硫铟锌光催化剂而言，富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂由于在光催化剂表面存在大量的硫空位缺陷态结构，这些表面硫空位缺陷能够形成光生载流子捕获“陷阱”，有效地促进光生电荷的分离并降低光生电子本发明提供的富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂及其制备方法，为设计开发新型高效的可见光催化剂提供了新思路和新途径。
一种富含表面空位缺陷结构硫铟锌光催化剂及其制备方法

[实用新型]一种镶嵌模具-CN201420261587.7有效
发明人：刘英林 -专利权人：天津市英辰精密模具有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： B21D37/12 文献下载
摘要：本实用新型的技术方案为：模具主体上设有镶嵌模块空位，在镶嵌模块空位处可以根据需要嵌合与镶嵌模块空位的形状大小相匹配镶嵌模块。利用本实用新型的技术方案可以减少模具制造数量，节省生产成本。
一种镶嵌模具

[发明专利]一种氧化硅薄膜中氧空位浓度的测量方法-CN201810003744.7在审
发明人：张光辉;董鹏;宋宇;杨萍;李沫;代刚;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G01N24/10 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化硅薄膜中氧空位浓度的测量方法，其原理是，首先向氧化硅薄膜样品中注入载流子，使中性氧空位缺陷变成带正电的氧空位缺陷；然后表征已知浓度的标准样品和氧化硅薄膜样品的电子顺磁共振谱；最后根据氧化硅薄膜样品与标准样品对微波吸收强度的对比，定量计算出氧化硅薄膜中氧空位缺陷的浓度。
氧化硅薄膜氧空位缺陷标准样品测量氧空位载流子电子顺磁共振谱半导体器件定量计算空位缺陷缺陷研究微波吸收重要意义氧化层中性氧

[发明专利]一种半导体材料点缺陷空位尺寸的检测方法-CN202211670410.8在审
发明人：樊文浩;朱华日;李辉 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体材料点缺陷空位尺寸的检测方法，涉及半导体材料技术领域，具体为S1、半导体材料模型的构建S2、半导体材料缺陷模型的构建S3、孤立点缺陷正电子寿命的计算S4、半导体材料点缺陷空位尺寸的检测该半导体材料点缺陷空位尺寸检测方法是基于第一性原理计算正电子的淹没寿命，可以及其精确的检测出半导体材料点缺陷的空位尺寸。
一种半导体材料点缺陷空位尺寸检测方法

[发明专利]一种富氧空位二氧化钛纳米花及其制备方法-CN201810463274.2有效
发明人：胡海华 -专利权人：浙江大学城市学院
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种富氧空位二氧化钛纳米花的制备方法。所述方法包括：本发明制备的富氧空位二氧化钛纳米花由超薄锐钛矿相纳米片自组装成的，且富含大量氧空位。本发明的富氧空位二氧化钛纳米花材料是一种高效，稳定的光电转化材料，采用溶剂热法制备，制备过程简单，反应条件容易控制，适用于大规模制备和工业化生产。
一种空位氧化纳米及其制备方法

[发明专利]模制电介质纳米结构-CN201580002713.4有效
发明人： S·金;K·J·库恩 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-02-23 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：实施例涉及对结构(例如，鳍状物)的选择性蚀刻，以形成具有初始结构的形状的空位。然后，该空位可以起到模具的作用。可流动的电介质材料填充所述空位，以形成与所述初始结构/模具相同的形状。然后，发生后处理(例如，氧化积累和退火)，以使空位内的电介质硬化。所得到的产物是模制电介质纳米结构，该结构具有与所述初始结构相同的形状，但是由不同的材料组成(例如，电介质代替硅)。
电介质纳米结构

[实用新型]一种可计算空位数量的公交系统-CN201320315997.0有效
发明人：管利国;杨劲松;汪亮;夏银生;杨丹;李伟;宣文龙;张鹏;王贤锋;孙珍学 -专利权人：安徽富煌和利时科技有限公司
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G08G1/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可计算空位数量的公交系统，包括有站台显示模块、处理模块、多个测量模块，测量模块测得座位上是否有乘客，并将相应指令传送至处理模块，处理模块对空位数量进行计算，并将计算结果传送至站台显示模块，站台显示模块对空位数量给予显示。本实用新型可在提示公交车到达时间的同时，对公交车内剩余空位数量进行提示，方便了乘客的乘坐，提高了公交系统的服务质量。
一种可计算空位数量公交系统