专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种电子标签-CN202121948400.7有效
  • 廖峰 - 广州碳粒云医科技有限公司
  • 2021-08-19 - 2022-02-22 - G06K19/077
  • 本实用新型涉及一种电子标签,包括:第一型层、第二型层、粘合层、印刷层和用于储存产品信息的射频电路层;所述第二型层的一面设置有第一区和第二区;所述粘合层的一面粘接所述第一型层,另一面粘接在所述第二型层的一面的第二区内;所述射频电路层的一面粘接在所述第二型层的一面的第一区内;所述印刷层粘接所述第二型层的另一面;本申请具有识别速度快、读取障碍低、可快速对产品进行盘点的优点。
  • 一种电子标签
  • [发明专利]用于电测试半导体晶片的系统和方法-CN200810174800.X无效
  • 尤金·T·布洛克 - 以色列商·应用材料以色列公司
  • 2008-11-05 - 2009-08-05 - H01L21/66
  • 一种用于电测试半导体晶片的系统,该系统包括(a)至少一个带电粒子束聚焦影响组件和(b)适于收集从晶片散射的带电粒子的至少一个检测器;其中该系统适于用焦带电粒子束扫描样品的第一区以便影响第一区的充电,用聚焦带电粒子束扫描第一区的至少一部分并检测从该至少一部分散射的电子。该系统在焦带电粒子束保持影响第一区的同时,扫描该至少一部分。一种用于电测试半导体晶片的方法,该方法包括用焦带电粒子束扫描样品的第一区以便影响第一区的充电;以及在检测从第一区的至少一部分散射的电子的同时,用聚焦带电粒子束扫描该至少一部分,在由焦带电粒子束引起的充电保持影响第一区的同时
  • 用于测试半导体晶片系统方法
  • [发明专利]三维半导体存储器装置和包括其的电子系统-CN202210615719.0在审
  • 李海旻;金柄宅;宋怰周 - 三星电子株式会社
  • 2022-06-01 - 2023-02-28 - H10B41/35
  • 公开了一种三维(3D)半导体存储器装置和包括其的电子系统。3D半导体存储器装置可以包括:衬底,其包括第一区和第二区;堆叠结构,其包括交替且重复地堆叠在衬底上的层间电介质层和栅电极,并且在第二区上具有台阶结构;模制结构,其在第一区上与堆叠结构相邻,并且包括交替且重复地堆叠在衬底上的层间电介质层和牺牲层;第一分结构,其与堆叠结构交叉,并且沿着第一方向从第一区朝向第二区延伸;以及第二分结构,其与模制结构交叉,并且在第一方向上在第一区上延伸。第一分结构的顶表面的水平可以高于第二分结构的顶表面的水平。
  • 三维半导体存储器装置包括电子系统
  • [发明专利]石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法-CN201510210826.5在审
  • 吴京锦;慕轶非;赵策洲;汤楚帆 - 西交利物浦大学
  • 2015-04-29 - 2015-08-19 - H01L21/285
  • 本发明公开了一种石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法,包括以下步骤:制备表面干净平整、少缺陷的石墨烯材料作为沉积高k栅介质的基底样品;将基底样品放入ALD反应腔室中,远程操控射线,使石墨烯P轨道电子吸收能量跃迁,改变外层电子取向,破坏大π键,形成悬挂键;通入水蒸气,完成石墨烯表面的化学吸附,直至衬底表面达到饱和;通入第一前驱体源,完成石墨烯表面的高k栅介质沉积。本发明所提出的利用伽马射线激发电子,破坏大π键,提高石墨烯表面活性,在石墨烯表面原子层沉积高k栅介质的方法,这种方法简便易行可靠,可以直接在石墨烯表面形成连续、均匀、结合紧密的高k栅介质层。
  • 石墨表面原子沉积介质方法

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