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[实用新型]线性溅射源分段供气系统-CN201420253841.9有效
发明人：郭爱云 -专利权人：红安华州光电科技有限公司
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种线性溅射源分段供气系统，包括一路磁控溅射工艺工作气体管路、多路磁控溅射工艺反应气体管路、分段供气装置，一路所述磁控溅射工艺工作气体管路、多路所述磁控溅射工艺反应气体管路和所述分段供气装置上均设置有质量流量计和截止阀本实用新型提供了一种线性溅射源分段供气系统，解决工作气体和多种反应气体混气和供气的问题；解决混气后供气的流量的实时控制问题；解决与工艺抽气系统设计相适应的工艺供气系统气场分布设计；解决与多种磁控溅射工艺(中频反应磁控溅射、直流磁控溅射和射频磁控溅射等)相适合的问题；实现大批量稳定连续生产。
线性溅射分段供气系统

[实用新型]磁控溅射镀膜工艺室-CN202222989956.1有效
发明人：李茂;王豪奇;李建华 -专利权人：浙江生波智能装备有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种磁控溅射镀膜工艺室，其磁控溅射源包括第一磁控溅射源、第二磁控溅射源、第三磁控溅射源和第四磁控溅射源，其中，第一磁控溅射源和第二磁控溅射源位于磁控溅射镀膜工艺室左侧，用于在柔性PI基材背面的Cu过渡层上形成Cu功能层；第三磁控溅射源和第四磁控溅射源位于磁控溅射镀膜工艺室右侧，用于在柔性PI基材正面的Cu过渡层上形成Cu功能层。本实用新型实施例，在柔性PI基材的正反面各配置两个磁控溅射源，可双面同时一次完成镀膜，减少往复卷绕导致的良率以及效率的损失。同时，为能够制备出表面附着力符合要求的真空镀膜设备提供良好的保障。
磁控溅射镀膜工艺

[发明专利]一种磁控溅射镀膜的生产工艺-CN201910310994.X在审
发明人：樊静波 -专利权人：广东东华光电科技有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控溅射镀膜的生产工艺，包括以下生产步骤：步骤一：底膜制造，将磁控溅射膜的底膜进行原膜的生产制造，生产得出磁控溅射膜的底膜；步骤二：将磁控溅射膜的底膜加入到真空加工设备中，进行第一次磁控溅射的镀膜工艺，从而在磁控溅射膜的底膜上形成一层磁控溅射膜层；步骤三：将带有磁控溅射膜层的底膜在真空设备中的进行第二次磁控溅射的镀膜工艺，从而得到磁控溅射膜，通过在真空环境下的磁控溅射镀膜制造，确保了在镀膜时，周边环境的稳定同时可以很好的控制镀膜时镀膜所参与的物质
磁控溅射底膜磁控溅射镀膜镀膜镀膜工艺膜层生产工艺制造真空加工设备生产步骤真空环境真空设备周边环境膜材原膜生产

[发明专利]一种金属膜的生产加工设备-CN202210451025.8有效
发明人：臧世伟 -专利权人：重庆金美新材料科技有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属膜的生产加工设备，真空镀膜腔体内设有第一蒸镀区、第一磁控溅射区、第二蒸镀区和第二磁控溅射区，且第一蒸镀区和第一磁控溅射区之间，以及第二蒸镀区和第二磁控溅射区之间均设有隔板，薄膜从第一蒸镀区和第一磁控溅射区之间、及第二蒸镀区和第二磁控溅射区之间的区域穿过，且从第一磁控溅射区穿出后反向走膜、再进入第二蒸镀区。本发明在不同工艺区域之间设置隔板，防止蒸镀工艺或磁控溅射工艺对另一种工艺造成干扰，实现兼容蒸镀工艺和磁控溅射工艺，综合了镀膜层的厚度、镀膜层的结合力以及镀膜成本的多重因素，获得高性价比的金属膜，同时解决了传统镀膜操作过程产生额外成本的问题
一种金属膜生产加工设备

[发明专利]磁控溅射方法以及磁控溅射装置-CN201610664192.5在审
发明人：姚艳双;张鹤南;董博宇;郭冰亮;张军;武学伟;徐宝岗;崔亚欣;马怀超;刘绍辉;王军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控溅射方法以及磁控溅射装置。该方法包括步骤1将待加工件移入工艺腔室内并放置于基座上；步骤2将基座移动到加热位置，对待加工件进行加热，当待加工件的温度达到预设温度时进入步骤3；步骤3检测工艺腔室的真空状态，如果满足磁控溅射工艺要求，则进行步骤4，如果不满足则返回步骤2；步骤4将基座移动到工艺位置，对待加工件进行磁控溅射。本发明提供的磁控溅射方法，可以对待加工件的温度以及溅射环境的压升率进行检测，以保证达到预定的磁控溅射条件，大大提高了溅射产品的良品率。
磁控溅射方法以及装置

[发明专利]半导体工艺设备和磁控溅射工艺-CN202210878906.8有效
发明人：董彦超;王世如;丁继华;杨玉杰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体工艺设备和磁控溅射工艺，所公开的磁控溅射工艺包括在基材上以溅射的方式沉积多层超导材料薄膜；其中，通过控制磁控溅射直流电源的第一功率与磁控溅射射频电源的第二功率的实际比值，以调整溅射形成的每一层所述超导材料薄膜的应力本申请采用的技术方案能够解决目前的磁控溅射物理气相沉积技术中还无法得到应力可调的超导材料薄膜的问题。
半导体工艺设备磁控溅射工艺

[发明专利]利用磁控溅射在硅衬底上制备的金属铪薄膜、方法和应用-CN202110841158.1在审
发明人：魏鸿源;杨少延;魏洁;陈怀浩 -专利权人：中国科学院半导体研究所;南京佑天金属科技有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种利用磁控溅射在硅衬底上制备的金属铪薄膜、方法和应用。利用磁控溅射在硅衬底上制备金属铪薄膜方法，包括：将硅衬底和金属铪靶材装入磁控溅射设备生长室，对硅衬底进行超高真空高温烘烤处理；利用磁控溅射反溅射干式清洗工艺对硅衬底进行表面溅射处理；利用磁控溅射沉积工艺在硅衬底上制备氮化铪阻挡层；利用磁控溅射溅射沉积工艺在氮化铪阻挡层上制备金属铪薄膜；对金属铪薄膜进行原位真空高温退火处理，降温至室温完成金属铪薄膜制备。本发明利用磁控溅射工艺在硅衬底上实现金属铪薄膜单一择优取向高结晶质量制备。所制备的金属铪薄膜可应用于欧姆接触金属电极材料或硅衬底氮化镓材料异质外延制备中的导电缓冲层材料。
利用磁控溅射衬底制备金属薄膜方法应用

[发明专利]一种基于磁控溅射的NiO电致变色薄膜生产工艺及玻璃-CN201611223413.1在审
发明人：张忠义 -专利权人：深圳市三鑫精美特玻璃有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁控溅射的NiO电致变色薄膜生产工艺，该工艺基于立式连续真空磁控溅射设备实现，所述工艺包括：在玻璃基板上先利用直流磁控溅射方式沉积ITO纳米膜层，然后在ITO纳米膜层上利用直流磁控溅射方式沉积本发明具有薄膜与基片附着力强、溅射所获得的薄膜纯度高、致密性和成膜均匀性好、溅射工艺可重复性高等有益效果。
一种基于磁控溅射 nio 变色薄膜生产工艺玻璃

[发明专利]一种异质结太阳能电池前电极及其制备方法-CN202110098442.4在审
发明人：王正安;来华杭;郭峰;俞峰;周海龙 -专利权人：浙江上方电子装备有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请提供了一种异质结太阳能电池前电极及其制备方法，其中制备方法包括：采用磁控溅射方法依次在异质结太阳能电池的PN结上沉积组成前电极的种子层和主层；种子层的磁控溅射工艺为：采用包含两个靶材的双极磁控溅射系统进行磁控溅射，两个靶材的溅射粒子流相互碰撞散射后沉积在异质结太阳能电池的PN结上；主层的磁控溅射工艺为：采用至少包含一个靶材的磁控溅射系统进行磁控溅射，各靶材的溅射粒子流以垂直于种子层的方向沉积在种子层上。本申请提供的异质结太阳能电池的前电极制备方法，对现有磁控溅射工艺进行改进，改善前电极的光电转化效率。
一种异质结太阳能电池电极及其制备方法

[发明专利]基于改进灰关联模型的磁控溅射工艺参数优化方法-CN202010549140.X有效
发明人：潘俊杰;陈功;侯东东 -专利权人：常州市乐萌压力容器有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于改进灰关联模型的磁控溅射工艺参数优化方法，采用改进的灰关联模型获得磁控溅射工艺参数对膜层性能的影响，通过对各性能指标之间存在的关系以及镀膜组织结构的分析，获得不同磁控溅射工艺对膜层厚度和光学透过率的影响，进而对磁控溅射工艺参数进行优化。本发明针对传统灰关联模型分析的不足，考虑了数据间绝对位置差异的权重和变化率差异的权重，构建改进灰关联模型，通过实验得到最佳参数值，相对传统方法更能准确提供工艺参数影响膜厚和透过率的大小程度，进而实现磁控溅射工艺参数优化
基于改进关联模型磁控溅射工艺参数优化方法

[发明专利]一种低残余应力的铜薄膜制备方法-CN201210384082.5无效
发明人：唐武;王学慧 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及金属薄膜的制备技术，其公开了一种新的制备工艺简便的铜薄膜制备方法，且有效控制在制备过程中产生的残余应力的大小，从而实现低残余应力的铜薄膜材料的制备。该方法应用在磁控溅射镀膜设备上，采用射频进行磁控溅射以制备铜薄膜，所述磁控溅射镀膜设备具有磁控溅射腔室，在所述磁控溅射腔室中设有磁控溅射靶；具体包括以下步骤：a.对基片进行预处理；b.将经过预处理后的基片放置在磁控溅射腔室内；c.对磁控溅射腔室进行抽真空；d.向磁控溅射腔室内通入高纯氩气；e.调节射频溅射功率和气压，对磁控溅射靶进行溅射，在基片上形成铜薄膜；f.在磁控溅射腔室冷却后，取出铜薄膜样品，进行残余应力测试。
一种残余应力薄膜制备方法

[发明专利]一种带胶磁控溅射厚膜的方法-CN201310744182.9有效
发明人：陆敏;田亮;张昭;杨霏 -专利权人：国家电网公司;国网智能电网研究院
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明涉及一种器件制作工艺，具体涉及一种带胶磁控溅射厚膜的方法。该方法包括依次进行的基片清洗、基片光刻、基片打底胶、周期性沉积厚膜和剥离步骤，所述周期性沉积厚膜指的是一个周期内进行高功率快速磁控溅射薄膜和低功率慢速沉积薄膜，在进行周期性沉积厚膜时通过交替控制磁控溅射的功率，获得带胶磁控溅射厚膜的基片。本发明改变了以往只采用同一功率磁控溅射厚膜的工艺，从而有效的解决了光刻胶因受热碳化或变形的问题，该方法可以有效高速便捷的获得高质量带胶磁控溅射厚膜的基片。解决电镀法环境污染严重和热蒸发沉积薄膜质量差的问题，实现宽工艺窗口的工艺技术，且该方法便捷快速，经济可靠。
厚膜磁控溅射周期性沉积薄膜器件制作工艺热蒸发沉积沉积薄膜工艺窗口工艺技术基片清洗交替控制受热变形的低功率电镀法高功率光刻胶质量差光刻慢速碳化剥离

[发明专利]一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法-CN201310549471.3无效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，包括：交流溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷，在Si3N4层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；交流溅射硅铝旋转靶，在AZO层上磁控溅射Si3N4层。本发明目的提供一种工艺简单，操作方便，生产成本低的三银低辐射玻璃制备方法。
一种红外屏蔽功能薄膜制备方法

[实用新型]磁控溅射柔性覆铜基板及制备其的磁控溅射装置-CN201520219748.0有效
发明人：刘维;王军生;陈璐瑶 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁控溅射柔性覆铜基板，包括柔性基材，在柔性基材上通过在中毒模式下反应磁控溅射镀有钛氧化物镀层，在钛氧化物镀层上通过磁控溅射工艺镀有铜镀层。本实用新型还公开了一种用于制备上述磁控溅射柔性覆铜基板的磁控溅射装置，包括放卷机构、收卷机构和至少两个磁控靶。本实用新型的磁控溅射柔性覆铜基板通过在中毒模式下的反应磁控溅射工艺首先在柔性基材上镀上钛氧化物镀层，例如TiO₂镀层，通过磁控溅射TiO₂等离子体轰击，改善了柔性基材的表面性能
磁控溅射柔性覆铜基板制备装置

[发明专利]固态电解质膜、固体氧化物燃料电池及其磁控溅射制备方法-CN202210860771.2在审
发明人：周莉骅;王贺武;欧阳明高 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01M8/1253 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态电解质膜、燃料电池及其磁控溅射制备方法。所述固态电解质膜的磁控溅射制备方法，包括如下步骤：获取电池预制件；采用磁控溅射法于所述电池预制件的表面制备固态电解质膜；所述磁控溅射法的条件包括：溅射功率为30W～150W，溅射时间为60min～200min上述固态电解质膜的磁控溅射制备方法，利用磁控溅射的方法进行燃料电池中固态电解质膜的制备，配合合适的溅射功率，能够制备得到致密的固态电解质膜，规避了传统的高温烧结工艺，适应范围广。
固态电解质膜固体氧化物燃料电池及其磁控溅射制备方法

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