“磁存储器”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9509111个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种磁存储器底电极及其制造工艺和磁存储器-CN201910972375.7在审
发明人：吴关平 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储器底电极及其制造工艺和磁存储器，制造工艺包括：衬底片上已完成磁存储器底部金属导线制作及表面平坦化；依次沉积第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层、第四电介质层和第五电介质层；光刻通孔图案
一种磁存储器电极及其制造工艺

[发明专利]一种磁存储器及其制备方法-CN202210814026.4在审
发明人：陈文静;孙慧岩;李淑慧;李丹丹;曹凯华;刘宏喜;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁存储器及其制备方法，涉及电子领域，该磁存储器包括：金属填充塞层以及设置在金属填充塞层上方的第一介质层和磁隧道结，第一介质层设置于金属填充塞层以及磁隧道结之间，第一介质层与所述磁隧道结的接触面粗糙度小于金属填充塞层表面粗糙度第二方面，在后续对磁隧道结图形化过程中，避免了刻蚀接触磁隧道结与金属填充塞层的连接面，降低了后续图形化工艺对于器件可靠性的影响，以此提高了磁存储器的可靠性。
一种磁存储器及其制备方法

[发明专利]磁存储器装置-CN02122818.3无效
发明人：山田光一 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2002-06-06 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明能够得到可防止放大器(读出放大器)结构复杂化并且能够高速读出的磁存储器装置。该磁存储器装置具有由显示强磁性电阻效应的1个存储元件及与存储元件连接的1个晶体管构成的存储单元、与晶体管控制端子连接的字线、通过晶体管与存储元件的一端连接的位线、对多条位线共同设置的参考位线、以及与位线及参考位线连接的放大器
磁存储器装置

[发明专利]一种存储阵列、存储器、制备方法及写入方法-CN202110123708.6有效
发明人：赵巍胜;陈婧乐;曹凯华;王戈飞 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种存储阵列、存储器、制备方法及写入方法，一些实施方式涉及包括磁阻式随机存取存储器存储阵列及其制造方法，所述存储阵列包括：多个阵列排布的存储单元和导体层；每个存储单元包括：写入晶体管，其第一端与顶电极接线耦接磁隧道结，其靠近参考层的一端与所述写入晶体管的第二端耦接；所述导体层的一侧表面与所有所述MTJ磁隧道结靠近自由层的一端端面耦接,本发明同时将STT和SOT效应应用于磁隧道结翻转，相对于STT‑MRAM，该磁存储器提高了写入速度和器件可靠性，相对于SOT‑MRAM的模型，本发明的磁存储器降低了电路静态功耗，减少了晶体管的数量，提高了器件存储密度。
一种存储阵列存储器制备方法写入

[发明专利]磁存储器件-CN201110349182.X有效
发明人：金佑填;李将银;吴世忠;金英铉;崔锡宪;林佑昶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储器件。该磁存储器件包括磁图案、参考图案、插设在磁图案与参考图案之间的隧道势垒图案以及设置在磁图案内部的至少一个磁段。
磁存储器

[发明专利]基于自旋转移力矩磁存储器的神经网络处理方法及系统-CN201710182534.4在审
发明人：韩银和;宋莉莉;许浩博;王颖 -专利权人：中国科学院计算技术研究所
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于自旋转移力矩磁存储器的神经网络处理方法和系统，其中包括以下步骤步骤S1，从存储单元读取需要执行的操作指令，并根据该操作指令将待计算的输入数据写入该存储单元，并生成控制信号；步骤S2，从该存储单元中获取该输入数据，结合该控制信号执行神经网络计算中的计算操作，产生中间计算数据和最终计算数据，并存入该存储单元；其中该存储单元存储介质为多层自旋转移力矩磁存储器。
基于自旋转移力矩磁存储器神经网络处理方法系统

[发明专利]具有非对称结构的用于磁存储器件的复合多层膜-CN202010297884.7在审
发明人：王文爽;沈文齐 -专利权人：蚌埠泰鑫材料技术有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有非对称结构的用于磁存储器件的复合多层膜，具有非对称结构的用于磁存储器件的复合多层膜自下而上依次包括：基片层、晶种层、第一Co层、第一Pt层、第二Co层、第二Pt层、第一非磁性金属层、本发明提出了一种具有非对称结构的用于磁存储器件的复合多层膜，其能够在膜层层数不变的情况下提高磁材料性能。
具有对称结构用于磁存储器复合多层

[发明专利]磁存储器件-CN201811317780.7在审
发明人：尹相俊;金相局;金哉勋;卢恩仙;吴世忠;李成喆;郑大恩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：提供了磁存储器件。一种磁存储器件包括：在基板上的第一电极；磁隧道结图案，包括顺序堆叠在第一电极上的第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；以及在磁隧道结图案上的第二电极。
磁存储器件磁隧道结第一电极第二电极磁性层图案表面结合能隧道势垒层顺序堆叠基板

[发明专利]磁存储器和制造磁存储器的方法-CN201480076776.X有效
发明人：园田康幸;中山昌彦;李敏硕;吉川将寿;杉浦邦晃;黄智焕 -专利权人：东芝存储器株式会社;SK海力士公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：根据一个实施例，磁存储器包括：包括第一金属的第一金属层；在第一金属层上的第二金属层，第二金属层包括比第一金属更易被氧化的第二金属，第二金属层具有接触第一金属层的第一侧壁部，第二金属层具有在第一侧壁部上面的第二侧壁部
磁存储器制造方法

[发明专利]一种磁存储器件的制备方法及磁存储器件-CN202010545330.4有效
发明人：熊保玉;金国栋 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储器件的制备方法及磁存储器件，该制备方法包括：提供一衬底，该衬底上具有底电极；在底电极上设置辅助层；在辅助层上设置磁性隧道结。在上述的方案中，通过先在底电极上方设置辅助层，之后将磁性隧道结设置在辅助层上，使磁性隧道结与辅助层之间存在物理上的高度差，以减少磁性隧道结侧壁上金属再沉积现象，防止磁存储器件短路。
一种磁存储器制备方法

[发明专利]一种Fe3Sn2材料的用途及其制备方法-CN201710512958.2在审
发明人：王文洪;侯志鹏;丁贝;刘恩克;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供一种Fe3Sn2材料作为磁存储材料的用途。Fe3Sn2材料具有室温磁性斯格明子纳米磁筹结构，能够作为磁存储材料用于磁存储器。
一种 fe3sn2 材料用途及其制备方法

[发明专利]磁存储器及其提供方法和编程方法-CN201310376493.4有效
发明人： A.V.卡瓦尔科夫斯基;D.阿帕尔科夫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储器及其提供方法和编程方法。该磁存储器包括磁性结和至少一个自旋轨道相互作用（SO）有源层。每个磁性结包括数据存储层，该数据存储层是磁性的。SO有源层与磁性结的数据存储层相邻。SO有源层被配置为由于在一方向上经过至少一个SO有源层的电流而在数据存储层上施加SO扭矩，该方向实质上垂直于至少一个SO有源层和多个磁性结中最靠近至少一个SO有源层的磁性结的数据存储层之间的方向。数据存储层被配置为使用至少SO扭矩是可切换的。
磁存储器及其提供方法编程

[发明专利]存储节点、包括该存储节点的磁存储器件及其制造方法-CN201110404641.X有效
发明人：金洸奭;郑佑仁;申在光;金起园;李成喆;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了存储节点、包括该存储节点的磁存储器件及其制造方法。磁存储器件的存储节点包括：下磁性层；隧道阻挡层，形成在下磁性层上；以及自由磁性层，形成在隧道阻挡层上且其中磁化方向通过自旋电流转换。
存储节点包括磁存储器及其制造方法

[发明专利]适用于敏感电路的抗瞬时电离辐射复位后运行状态重构方法-CN201910231898.6在审
发明人：杜川华 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G06F1/24 文献下载
摘要：本发明公开了适用于敏感电路的抗瞬时电离辐射复位后运行状态重构方法，本发明属于电子技术领域，包括在敏感电路的执行程序中设置异常复位标志，并在敏感电路外围接入具有若干不同地址存储空间的非易失铁电存储器和/或者磁存储器；在电路正常工作时，选取电路状态的关键参数存储到非易失铁电存储器和/或者磁存储器中的两块不同地址的存储空间地址中，当敏感电路发生复位，再读取数据备份状态寄存器的值进行复位，是一种在任何条件下均可以准确读取备份数据，完成敏感电路异常复位后的状态重构，同时，在相同的备份数据量条件下，所需要的存储空间和消耗的计算资源大大降低的新型抗瞬时电离辐射的双地址异步备份和状态重构方法。
敏感电路复位电离辐射铁电存储器备份数据磁存储器运行状态状态重构非易失重构读取存储空间地址地址存储空间电子技术领域关键参数存储异常复位标志备份状态存储空间电路状态计算资源异步备份寄存器电路外围消耗

[发明专利]一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法-CN202110992143.5在审
发明人：卢世阳;张静;商显涛;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法，涉及隧穿磁电阻领域，该自旋轨道矩磁存储器包括：底电极层和设置于所述底电极层之上的磁隧道结，其中，所述底电极层包括衬底和顺次覆盖于所述衬底之上的底部重金属层可见，本发明示意的自旋轨道矩存储器，通过将原重金属层的单层结构变更为多层结构，使衬底之上的重金属层结构厚度增加，增大了刻蚀制程中对刻蚀精度和刻蚀时间的调节范围，降低了因刻蚀精度异常引发的制程不良的风险。
一种自旋轨道磁存储器及其制备方法