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[发明专利]一种耐磨高强型碳化硅叶轮材料及其制备方法-CN202011623136.X在审
发明人：吴普及;刘健 -专利权人：常州凯润机械有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： F04D29/02 文献下载
摘要：本申请涉及高分子材料领域，具体公开了一种耐磨高强型碳化硅叶轮材料及其制备方法，所述耐磨高强型碳化硅叶轮材料包括下列重量份物质：80～120份环氧树脂、300～500份碳化硅颗粒和10～30份固化剂，所述碳化硅颗粒为粒径本申请采用碳化硅材料与环氧树脂经固化反应制备叶轮，可以有效改善叶轮材料基体的耐磨性能，同时改善传统碳化硅涂料与基体叶轮表面的结合强度不佳的问题，有效提高叶轮的使用寿命，在此基础上，本申请优化了碳化硅的粒径
一种耐磨高强碳化硅叶轮材料及其制备方法

[发明专利]一种激光3D打印用碳化硅复合粉体及其制备方法-CN202210189310.7在审
发明人：陈照峰;刘天龙;杨丽霞 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光3D打印用碳化硅复合粉体及其制备方法，由碳化硅颗粒、界面改性短切碳纤维及酚醛树脂构成，其中碳化硅颗粒占55～75wt％，界面改性短切碳纤维占10～25wt％，酚醛树脂占15～20wt％；其中，碳化硅粒径为0.1～100μm，界面改性短切碳纤维直径为4～10μm，长径比为5～12；所述界面改性短切碳纤维界面层为热解碳/碳化硅复合界面，所述酚醛树脂为热固型。本发明制备的激光3D打印用碳化硅复合粉体具有增材适应性高、分散均匀性好、比重低的优点，适用于轻质高强碳化硅构件的增材制造成形。
一种激光打印碳化硅复合及其制备方法

[发明专利]火焰热喷涂铝热剂包裹碳化硅颗粒陶瓷涂层的制备方法-CN200710017696.9无效
发明人：杨建桥;杨保兴;段素霞;蒋向军;张欣 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2007-04-17 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： C04B35/628 文献下载
摘要：火焰热喷涂铝热剂包裹碳化硅颗粒陶瓷涂层的制备方法，首先将三氧化二铁粉与铝粉复合形成铝热剂；然后将该铝热剂与氧化铝颗粒、碳化硅颗粒通过高分子结合剂复合重构，重构成内层为碳化硅、中层为铝热剂、外层为氧化铝的三层包裹结构的球状复合颗粒；最后将此球状复合颗粒装入喷枪粉斗中由氧－乙炔火焰进行热喷涂，形成陶瓷涂层。由于本发明将各喷涂原材料进行重构复合，复合后碳化硅颗粒在氧－乙炔火焰热喷涂过程中不与火焰直接接触，有效阻止了其在高温状态下的热升华，使其均匀、致密地喷射沉积到基体表面，从而得到高性能的碳化硅增强的氧化铝陶瓷热喷涂层
火焰喷涂铝热剂包裹碳化硅颗粒陶瓷涂层制备方法

[发明专利]一种晶粒定向碳化硅陶瓷材料及其制备方法-CN201611111586.4有效
发明人：黄毅华;江东亮;张辉;刘学建;陈忠明;黄政仁 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶粒定向碳化硅陶瓷材料及其制备方法，所述碳化硅陶瓷通过采用中强磁场定向以磁性碳化硅粉体为原料的浆料中的颗粒晶向而制备，所述碳化硅陶瓷的晶粒80%以上沿006方向取向排列。本发明的晶粒定向碳化硅陶瓷具有优异的导热性能，碳化硅陶瓷相对密度大于95%，沿006方向的取向因子大于0.80。
一种晶粒定向碳化硅陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种纳米级球形硅微粉的制备方法及用途-CN202011610071.5在审
发明人：朱兰昌 -专利权人：连云港威晟硅材料有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米级球形硅微粉的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：步骤一、将含碳化硅的固体在球磨机中制备成碳化硅固体颗粒，将碳化硅固体颗粒采用无机稀酸加热浸泡处理，经过稀酸处理的碳化硅固体颗粒经水洗和干燥备用；步骤二、将碳化硅固体颗粒采用氧气流送入球化反应釜内部，调整球化反应釜内部的压强为0.95‑1.2Mpa，调整球化反应釜内部的温度为1500‑1650℃，将硅微粉燃烧得到二氧化硅粉末；步骤三、步骤三所得的二氧化硅粉末冷却形成硅微粉
一种纳米球形硅微粉制备方法用途

[发明专利]一种纳米级球形硅微粉的制备方法及用途-CN202111412464.X有效
发明人：朱兰昌 -专利权人：连云港威晟硅材料有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米级球形硅微粉的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：步骤一、将含碳化硅的固体在球磨机中制备成碳化硅固体颗粒，将碳化硅固体颗粒采用无机稀酸加热浸泡处理，经过稀酸处理的碳化硅固体颗粒经水洗和干燥备用；步骤二、将碳化硅固体颗粒采用氧气流送入球化反应釜内部，调整球化反应釜内部的压强为0.95‑1.2Mpa，调整球化反应釜内部的温度为1500‑1650℃，将硅微粉燃烧得到二氧化硅粉末；步骤三、步骤三所得的二氧化硅粉末冷却形成硅微粉
一种纳米球形硅微粉制备方法用途

[发明专利]高炉出铁主沟铝碳化硅质浇注料及其制备方法与应用-CN201811544867.8有效
发明人：徐铧恩;晏强;雷中兴;郑吉红 -专利权人：武汉钢铁集团耐火材料有限责任公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C04B35/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种高炉出铁主沟铝碳化硅质浇注料及其制备方法与应用，该浇注料包括如下质量份的原料：刚玉骨料50～70份，刚玉微粉10～20份，碳化硅12～25份，碳源1～6份，钙质结合剂1～5份，硅抗氧化细粉1～5份，氧化硅微粉1～5份，碳化硼0.1～0.5％，造孔粉剂0.05～0.28份，纤维0.04～0.22份，减水剂0.1～0.4份；所述刚玉骨料的粒度为0.088～12mm，所述刚玉微粉的粒度不大于150目；所述碳化硅分为碳化硅粉料和碳化硅颗粒，二者分别占碳化硅总质量的45～55％，所述碳化硅粉料的粒度≤0.088mm，所述碳化硅颗粒的粒度为0.088～1mm；所述碳源中包含的β碳含量在23％以上。
高炉出铁主沟铝碳化硅浇注料及制备方法应用

[发明专利]用于PVT法生长碳化硅单晶的碳化硅粉料的预处理方法-CN202011276502.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：用于PVT法生长碳化硅单晶的碳化硅粉料的预处理方法，它涉及碳化硅粉料的预处理技术。它是要解决现有的PVT法碳化硅单晶生长过程中因粉料烧结影响气体输运技术问题。本方法：将碳化硅粉料放入带搅拌的真空感应炉中在，抽真空状态下加热到处理；然后再充入氩气，搅拌的同时继续加热处理；然后冷却到室温，完成碳化硅粉料的预处理。在碳化硅粉末表面形成一层相对疏松的石墨隔离层，稳定的隔离层阻隔了碳化硅颗粒之间的相互接触，减少在高温条件下碳化硅的烧结，利于PVT法碳化硅单晶的生长时减少缺陷。本方法可用于碳化硅单晶生长领域。
用于 pvt 生长碳化硅预处理方法

[发明专利]一种碳化硅微粉的生产工艺-CN202111420661.6有效
发明人：黄威;徐天兵;刘峰;黄叶任;韩平;左立杰;李同清 -专利权人：连云港市沃鑫高新材料有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅粉体的生产工艺，碳化硅颗粒原料经气流粉碎、分级、整形、除碳除铁提纯制得纯化碳化硅粉末，再以碱性硅溶胶为硅源，以水溶性酚醛树脂预聚体为碳源，在晶化助剂的作用下通过微波高温热处理在碳化硅微粉表面原位生成一层均匀的碳化硅薄层，降低细粒度碳化硅微粉的形状不规则度，提高流动性；同时通过硅烷偶联剂对碳化硅微粉进行表面改性，得到分散均匀且稳定的碳化硅微粉。
一种碳化硅生产工艺

[发明专利]用于强化复合无铅焊料的纳米陶瓷颗粒的制备工艺-CN201110345597.X有效
发明人：刘建影 -专利权人：上海上大瑞沪微系统集成技术有限公司
申请日： 2011-11-05 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C23C18/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米碳化硅颗粒表面改性工艺，具体的说是采用化学镀的方法在纳米碳化硅颗粒表面镀一层厚度约为2-10nm的纳米银，主要技术路线如下：采用氯化亚锡对纳米碳化硅颗粒表面进行功能化处理，再加入银氨溶液，银离子被还原且吸附在碳化硅颗粒表面，形成初步的种子。离心分离后将固形物加入到含有保护剂的硝酸银溶液中，向该悬浮液体系中加入还原剂，使附着在碳化硅颗粒表面的银种子不断长大形成完整的银壳将碳化硅颗粒包裹起来。此特种颗粒具有机械性能优良，热传导率高，同时可以与其他金属有良好的亲和性。将其应用到锡银铜复合无铅焊料的制备，改善其机械性能，增强设备的热传递，同时解决纳米陶瓷颗粒与锡银铜合金结合较差的问题。
用于强化复合焊料纳米陶瓷颗粒制备工艺

[发明专利]纳米银颗粒与镀银碳化硅颗粒混合的多尺度纳米银浆及其制备方法-CN201910032445.0有效
发明人：张俏然;刘建影;路秀真 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米银颗粒与镀银碳化硅颗粒混合的多尺度纳米银浆及其制备方法，涉及一种新型界面互连材料，特别涉及一种添加了镀银碳化硅颗粒的多尺度纳米银浆，包括其配方以及制备流程。本发明由三乙二醇、聚乙烯醇缩丁醛、松油醇、纳米银颗粒及亚微米镀银碳化硅颗粒配制而组成，各组分质量百分比为：三乙二醇0.5‑1.2％、聚乙烯醇缩丁醛5.6‑12.2％、松油醇3.89‑8.56％，纳米银颗粒76‑90％、镀银碳化硅颗粒0.5‑2％。本发明使用碳化硅颗粒代替部分纳米银颗粒添加到银浆中，降低银浆在烧结后的孔隙率，提高银浆的性能，降低纳米银浆成本，并提高银浆烧结后的性能。
纳米颗粒镀银碳化硅混合尺度及其制备方法

[发明专利]一种清洗碳化硅晶片的方法-CN202310013148.8在审
发明人：田辉;林宏达;翟虎;宋亚滨 -专利权人：浙江兆晶新材料科技有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，公开了一种清洗碳化硅晶片的方法。该方法包括：(1)使用臭氧溶液对碳化硅晶片进行第一清洗，得到碳化硅晶片I；(2)使用二流体进行第二清洗，得到碳化硅晶片II；(3)使用氨水溶液进行第三清洗，得到碳化硅晶片III；(4)使用氢氟酸溶液进行第四清洗，得到碳化硅晶片IV；(5)对所述碳化硅晶片IV依次重复进行步骤(1)至步骤(4)中的操作；(6)使用所述臭氧溶液进行钝化处理。本发明提供的方法能有效去除碳化硅晶片的表面颗粒和金属污染物，并且提供碳化硅晶片的有效面积。
一种清洗碳化硅晶片方法

[发明专利]一种无压烧结微纳混合碳化硅造粒粉的制备方法-CN202011215966.9在审
发明人：王志江 -专利权人：黑龙江冠瓷科技有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：一种无压烧结微纳混合碳化硅造粒粉的制备方法，它涉及一种碳化硅造粒粉的制备方法。本发明主要解决现有在造粒过程中引入碳化硅纳米颗粒以增韧碳化硅陶瓷，存在纳米颗粒之间容易团聚结合，无法达到均匀分散的问题。本发明用于无压烧结微纳混合碳化硅造粒粉的制备。
一种烧结混合碳化硅造粒粉制备方法

[发明专利]一种碳化硅陶瓷自动化生产线-CN202110283192.1在审
发明人：郑豪侠;吴艳丽 -专利权人：缙云县新新纸箱厂
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： B28C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅陶瓷自动化生产线，包括依次摆放的第一工件、第二工件、第三工件和第四工件，所述第一工件用于搅拌原材料得到碳化硅浆料，所述第二工件用于提供模芯使碳化硅浆料成型得到碳化硅陶瓷半成品，所述第三工件用于打磨抛光碳化硅陶瓷半成品，所述第四工件用于烧结碳化硅陶瓷半成品得到碳化硅陶瓷产品，所述第一工件内部内部搅拌组件和清理组件，本发明结构科学合理，使用安全方便，通过该碳化硅陶瓷自动化生产线可以生产出高硬度、高强度的碳化硅陶瓷产品，其中利用反应罐对原材料进行搅拌均匀得到颗粒混合均匀的碳化硅浆料，有利于提高后期碳化硅陶瓷成品的光泽度以及从源头上提高制备碳化硅陶瓷产品的质量。
一种碳化硅陶瓷自动化生产线

[发明专利]一种纳米碳化硅磨料的制备方法-CN202310948202.8在审
发明人：覃文光;张文青;况亚伟;周潘潘 -专利权人：苏州汉华光电科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01B32/977 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米碳化硅磨料的制备方法，包括以生物质碳为碳源，正硅酸乙酯为硅源，硝酸铁为催化剂，通过碳热还原制备出碳化硅纳米颗粒，对所述碳化硅纳米颗粒进行酸洗并在1000～1200℃下回火制得所述纳米碳化硅磨料，所述生物质碳是由干燥的生物质原料经过高温碳化得到。本发明制得的纳米碳化硅磨料磨削性能好，可达到较高的抛光速率，适用于半导体机械研磨抛光工艺，制备过程能耗低，成本小。
一种纳米碳化硅磨料制备方法