专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种纳米碳化硅的制备方法-CN202310493744.0在审
  • 王佳丽;万玲;张铭;李如龙;杨启炜 - 衢州晶洲科技发展有限公司;浙江大学衢州研究院
  • 2023-04-28 - 2023-08-11 - C01B32/977
  • 本发明属于碳化硅制备技术领域,提供了一种纳米碳化硅的制备方法。本发明的含硅碳前驱体十甲基环五硅氧烷在氢等离子体和氩等离子体的环境下,发生裂解,产生碳化硅气体;碳化硅气体经急冷,能够保证得到小尺寸的纳米碳化硅。同时,十甲基环五硅氧烷中碳元素、硅元素和氧元素的摩尔比为2:1:1,其中的氧元素将一半的碳元素转化为一氧化碳,剩余的碳元素和硅元素的摩尔比正好是1:1,只能生成碳化硅;另外,副产物一氧化碳为气态,不会污染最终的碳化硅产品;即便能生成碳单质和硅单质,但是含量极少,所以保证了最终碳化硅的纯度。实施例的数据表明:所得纳米碳化硅的纯度≥95%,尺寸为20~500nm。
  • 一种纳米碳化硅制备方法
  • [发明专利]一种制备碳化硅微米棒的方法-CN202110479241.9有效
  • 徐永宽;李福昌;李璐杰;王佳楠;穆浩欣;郭小娟;韩佳富 - 天津理工大学
  • 2021-04-30 - 2023-05-23 - C01B32/977
  • 本发明涉及一种制备碳化硅微米棒的方法,对甲基硅树脂进行热重分析,获得甲基硅树脂热分解过程中的分段温度,根据该分段温度设定后续的加温程序;将坩埚放于碳管烧结炉后,抽真空后称量甲基硅树脂,放到干净干燥的石墨坩埚中,盖上石墨盖,将石墨坩埚放置在碳管烧结炉的中央;开始加热过程,开始从室温升温,升温至200~300℃恒温半个小时,通入氩气,升温至1350~1450℃保持10~15min,升温至1500~1550℃保持2~3h,之后开始自然降温,收集坩埚内的固态碳化硅。本发明方法是利用含硅的有机物提出一种简单高效、结晶程度高、无需催化剂的制备方法,采用此技术可制备出一种可用来过滤金属熔体的碳化硅微米棒。
  • 一种制备碳化硅微米方法
  • [发明专利]一种石墨纸表面海胆状氮掺杂SiC纳米线团簇及制备方法-CN202310062237.1在审
  • 殷学民;张欣;刘慧敏;郭领军;李贺军 - 西北工业大学
  • 2023-01-14 - 2023-05-12 - C01B32/977
  • 本发明涉及一种石墨纸表面海胆状氮掺杂SiC纳米线团簇及制备方法,通过改变聚碳硅烷与氮源的质量比,氮源种类和热处理温度等工艺参数,在石墨纸表面制备出海胆状氮掺杂SiC纳米线团簇。本发明所制备的SiC纳米线,具有波动直径的锥形形状和锋利而清晰的尖端,并在石墨纸表面原位生长形成了海胆状SiC纳米线团簇,同时实现了大面积、可重复地原位生长海胆状氮掺杂SiC纳米线团簇的效果。该方法操作简单,工艺可控,可重复性强,所制备的氮掺杂SiC纳米线长径比高,产量高,纯度高,为海胆状SiC纳米线团簇的原位生长提供了一种新的技术和方法,有望在能量存储和转换、场发射器、复合材料、纳米增强体和光电探测器等领域得到广泛应用。
  • 一种石墨表面海胆掺杂sic纳米线团制备方法
  • [发明专利]碳化硅/石墨烯正负极复合材料及其制备方法和应用-CN202110874834.5有效
  • 李明吉;朱阔宜;李红姬;李翠平 - 天津理工大学
  • 2021-07-30 - 2023-04-25 - C01B32/977
  • 本发明公开了一种碳化硅/石墨烯负极复合材料、碳化硅/硼掺杂石墨烯正极复合材料及其制备方法和应用。其中,碳化硅/石墨烯负极复合材料和碳化硅/硼掺杂石墨烯正极复合材料的制备方法,不同于传统的制备工艺,只以聚二甲基硅氧烷这一种物质作为碳源、硅源,利用化学气相沉积法直接制备出碳化硅/石墨烯负极复合材料和碳化硅/硼掺杂石墨烯正极复合材料,原料易得,操作简单,可靠性高,有利于大面积制备。制备的碳化硅/石墨烯负极复合材料和碳化硅/硼掺杂石墨烯正极复合材料,在纯的碳化硅材料中引入石墨和硼石墨烯使其电容性能更好,其组装形成的柔性水系不对称电容器,表现出了优异的储能性能。
  • 碳化硅石墨负极复合材料及其制备方法应用
  • [发明专利]一种超薄碳化硅纳米片的制备方法-CN202211290004.9在审
  • 郭林;赵赫威;汪少雄 - 北京航空航天大学
  • 2022-10-21 - 2023-03-07 - C01B32/977
  • 本发明涉及材料领域,主要涉及一种超薄碳化硅纳米片的制备方法。通过以诸如石墨烯、还原氧化石墨烯、氧化石墨烯等片状材料为模板,以聚乙烯吡咯烷酮为表面活性剂,让碳化硅前驱体聚碳硅烷在常温下沿着模板生长,并在惰性气氛中高温煅烧将前驱体转化为碳化硅,在空气气氛中高温去除模板即可获得厚度可调的超薄碳化硅纳米片。我们所制备的碳化硅纳米片经原子力显微镜测出其杨氏模量超过2TPa,强度超过45GPa,应变超过5%,其在微电子元件、微观力学,指导几乎无缺陷碳化硅的制备等方面有着很大的潜在应用。
  • 一种超薄碳化硅纳米制备方法
  • [发明专利]一种碳化硅粉及其制备方法-CN202211569130.8在审
  • 耿金春;栗广奉;吴希湖;孔祥云;郑林 - 浙江中宁硅业有限公司
  • 2022-12-08 - 2023-03-03 - C01B32/977
  • 本发明提供了一种碳化硅粉及其制备方法。该制备方法包括以下步骤:S100、以甲基硅烷为原料,以氢气为载气,在反应器中经过连续高温分解反应,获得包括碳化硅粉的反应产物;S200、对所述碳化硅粉进行冷却、分离、收集,获得所述碳化硅粉的成品;其中,所述S100的反应温度为600℃至1000℃,所述S100的反应压力为0.3MPa至0.8MPa。采用本发明的技术方案,能够获得高纯度的碳化硅粉。此外,本发明的技术方案采用了较低的反应温度,提高了反应效率和良品率,其反应连续,产品纯度高,降低了生产成本。其反应过程没有类似氯化氢等腐蚀气体产生,设备材质要求低,无腐蚀现象,可以降低产品污染的风险。
  • 一种碳化硅及其制备方法
  • [发明专利]一种SiC微米管宏观体的制备方法-CN202211380947.0在审
  • 殷学民;刘慧敏;刘冰;孙佳;付前刚;李克智;李贺军 - 西北工业大学
  • 2022-11-05 - 2023-02-24 - C01B32/977
  • 本发明涉及一种SiC微米管宏观体的制备方法,首先通过低压化学气相沉积方法,以H2和Ar分别作为载气和稀释气体,利用三氯甲基硅烷在高温下裂解、反应生成SiC,制备得到C/SiC复合材料;再经过在空气气氛下热处理,氧化去除一维碳芯模板得到SiC微米管。本发明所提出的技术方案可通过改变一维碳模板类型、结构、调控低压化学气相沉积工艺参数等手段,获得不同结构(宏观形貌、管径、管壁厚度等)的SiC微米管宏观体,达到宏观和微观尺度皆可控的效果。该技术方案可控性强,工艺简单,所获得的碳化硅SiC微米管宏观体(薄膜、气凝胶)将在吸波、隔热、柔性电子器件等领域具有广阔的应用前景。
  • 一种sic微米宏观制备方法
  • [发明专利]一种化学气相沉积法制备碳化硅原料的方法及装置-CN202211388782.1在审
  • 奚衍罡 - 苏州冠岚新材料有限公司
  • 2022-11-08 - 2023-01-31 - C01B32/977
  • 本申请涉及一种化学气相沉积法制备碳化硅原料的装置及方法,包括炉体、石墨件、供气系统、真空泵和储水容器;石墨件设置在炉体内部,用于固定加热待沉积样品,炉体的底部设有进气管,该进气管连接供气系统,供气系统用于向炉体内输送沉积用气源气体,炉体的顶部侧面通过管道连接真空泵,其中真空泵和炉体之间设有过滤装置,真空泵连接储水容器。方法采用化学气相沉积法制备碳化硅涂层的装置进行,在气相沉积炉内放入石墨件,抽真空,并向其中通入气源气体进入到气相沉积炉,再升温,之后保温,分解产生HCl和SiC以及杂质,碳化硅附着在石墨件上进行收集。本申请生产碳化硅的装置和工艺具有成本低、产能高、晶粒大、杂质少的优点。
  • 一种化学沉积法制碳化硅原料方法装置

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