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[发明专利]碲汞镉量子点与碳纳米管纳米复合材料的制备方法-CN201510970982.1有效
发明人：封伟;沈永涛;高宁波 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： C09K11/89 文献下载
摘要：本发明公开了碲汞镉量子点与碳纳米管纳米复合材料的制备方法，首先制备CdTe量子点溶液，再添加Hg以得到CdHgTe量子点，最后以碳纳米管为骨架，在其表面粘附着碲汞镉量子点。近红外碲汞镉量子点与碳纳米管复合后可大大提高光转换效率，有着良好的应用前景。
碲汞镉量子纳米复合材料制备方法

[发明专利]一种红外探测器表面处理的方法-CN201811554876.5在审
发明人：祁娇娇;宁提;李春领 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器表面处理的方法，涉及红外探测器器件技术领域，该方法包含如下步骤：对碲镉汞材料进行湿法清洗；对湿法清洗后的碲镉汞材料进行表面腐蚀；将表面腐蚀后的碲镉汞材料吹干并固定到样品盘；对固定后的碲镉汞材料进行干法清洗；在干法清洗后的碲镉汞材料的表面进行镀膜处理。本发明方法通过对固定后的碲镉汞材料进行干法清洗，解决了现有的碲镉汞材料在装片的过程中生成自生氧化层的问题，提高了器件芯片的性能。
碲镉汞材料红外探测器干法清洗表面腐蚀湿法清洗器件技术领域自生氧化层镀膜处理器件芯片样品盘吹干装片

[发明专利]一种碲化镉玻璃和晶硅片光伏电池复合组件及其制备方法-CN201810323647.6在审
发明人：赵雅;朱广和;费春燕;赵卫东;王燕;李向华;赵枫;赵沁 -专利权人：江苏东鋆光伏科技有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲化镉玻璃光伏电池和晶硅片光伏电池复合组件，其依次包括：碲化镉玻璃、晶硅片、EVA封装膜、TPT背板、铝合金边框和接线盒，上述碲化镉玻璃、晶硅片、EVA封装膜和TPT背板按顺序依次铺设层层叠压，并通过上述铝合金边框固定，上述接线盒采用硅胶固定于TPT背板表面；所述碲化镉玻璃依次包括：钢化玻璃、辊涂于钢化玻璃表面的聚氨酯膜层和辊涂于聚氨酯膜层表面的碲化镉膜层，所述碲化镉膜层与所述晶硅片紧密贴合，形成复合光伏电池组件。本发明还提出了上述光伏电池复合组件的制备方法，步骤包括：碲化镉玻璃光伏电池制备、晶硅片光伏电池分选、焊接、层叠、层压、接线、装框、包装测试。本发明具有光电转换效率高，成本低等优点。
光伏电池碲化镉硅片玻璃复合组件制备聚氨酯膜层铝合金边框碲化镉膜接线盒辊涂钢化玻璃钢化玻璃表面光电转换效率包装测试电池组件紧密贴合复合光层压叠压分选硅胶装框接线焊接铺设

[实用新型]一种碲化镉玻璃和晶硅片光伏电池复合组件-CN201820513044.8有效
发明人：赵雅;朱广和;费春燕;赵卫东;王燕;李向华;赵枫;赵沁 -专利权人：江苏东鋆光伏科技有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碲化镉玻璃光伏电池和晶硅片光伏电池复合组件，其依次包括：碲化镉玻璃、晶硅片、EVA封装膜、TPT背板、铝合金边框和接线盒，上述碲化镉玻璃、晶硅片、EVA封装膜和TPT背板按顺序依次铺设层层叠压，并通过上述铝合金边框固定，上述接线盒采用硅胶固定于TPT背板表面；所述碲化镉玻璃依次包括：钢化玻璃、辊涂于钢化玻璃表面的聚氨酯膜层和辊涂于聚氨酯膜层表面的碲化镉膜层，所述碲化镉膜层与所述晶硅片紧密贴合，形成复合光伏电池组件。本实用新型还提出了上述光伏电池复合组件的制备方法，步骤包括：碲化镉玻璃光伏电池制备、晶硅片光伏电池分选、焊接、层叠、层压、接线、装框、包装测试。本实用新型具有光电转换效率高，成本低等优点。
光伏电池碲化镉硅片玻璃本实用新型复合组件聚氨酯膜层铝合金边框碲化镉膜接线盒辊涂制备钢化玻璃钢化玻璃表面光电转换效率包装测试电池组件紧密贴合复合光层压叠压分选硅胶装框接线焊接铺设

[发明专利]一种碲镉汞红外材料器件双面平坦化方法-CN201410006177.2无效
发明人：李春领;王春红;秦艳红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外材料器件双面平坦化方法，包括：步骤A：将外延制备的碲锌镉基碲镉汞材料正面进行正面平坦化处理；步骤B：将表面平坦化处理后的正面进行标准的碲镉汞器件制备；步骤C：在互连之前将制备的碲镉汞器件正面进行光刻胶保护，将器件正面粘结在玻璃板上；步骤D：测试碲镉汞器件表面的厚度；步骤E：对器件背面的碲锌镉衬底进行背面平坦化。通过本发明大大提高了碲镉汞材料器件的平面度，满足大面阵红外焦平面器件与Si读出电路的互连要求。
一种碲镉汞红外材料器件双面平坦方法

[发明专利]一种等离激元增强的碲镉汞微腔红外探测器及制备方法-CN202111062698.6在审
发明人：朱利;肖佳慧;李晨昱;吴建峰;吕俊鹏;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离激元增强的碲镉汞微腔红外探测器及制备方法，器件自下而上依次包括衬底、绝缘胶、金属反射层、钝化层、碲镉汞薄膜、微纳结构以及电极；其中碲镉汞薄膜的厚度为亚微米级，可以减小工作时的暗电流，微纳结构、碲镉汞薄膜、钝化层和金属反射层形成等离激元微腔，极大提高碲镉汞的红外光吸收能力，该结构兼备高吸收和低噪声的特点，可以提高碲镉汞探测器的工作温度，解决了传统高性能碲镉汞红外探测器需要在液氮制冷等苛刻条件下工作的问题相较于在外延厚衬底上制备碲镉汞薄膜，本发明的制备方法，实现了微纳结构‑碲镉汞薄膜‑金属反射层的超薄三明治结构的制备。
一种离激元增强碲镉汞微腔红外探测器制备方法

[发明专利]探测器芯片及其制备方法-CN202010256504.5有效
发明人：黄立;陈晓静;张传杰;张冰洁;姚柏文 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种探测器芯片，包括碲镉汞薄膜和芯片结构，芯片结构包括pn结、读出电路和铟柱，pn结形成于碲镉汞薄膜的背面上，读出电路位于碲镉汞薄膜的背面侧并且通过铟柱与pn结连接。另外还涉及探测器芯片的制备方法，包括：将碲镉汞薄膜固定于载体上，其中，碲镉汞薄膜的正面朝向载体；去除碲镉汞薄膜背面的衬底；在碲镉汞薄膜背面上形成pn结，该pn结通过铟柱连接读出电路；去除载体。本发明提供的探测器芯片及其制备方法，通过在碲镉汞薄膜背面成结，该pn结即形成于碲镉汞薄膜的背面高组分材料区(也即外延界面处)，可以防止芯片反型，降低探测器芯片的漏电流，增强芯片响应信号，从而显著地提高探测器的工作性能
探测器芯片及其制备方法

[发明专利]计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法及设备-CN202110891080.4有效
发明人：申晨;周朋;杨海燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法及设备。计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法，包括：获取多个温度下碲锌镉基碲镉汞材料件的光致发光信号谱图；通过分析多个光致发光信号谱图，获取三种能级跃迁随温度变化直线；基于三种能级跃迁随温度变化直线，根据波束与能量对应关系，确定能带间距随温度变化情况和不同温度下主导的能级跃迁情况，从而得到碲锌镉基碲镉汞材料件在不同温度的能级结构及变化情况。采用本发明，在不损伤样品的情况下，能够快速计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法，且测试结果较精确。
计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级方法设备

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法-CN202011292895.2在审
发明人：王经纬;刘铭;宁提;谭振;王成刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法。碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括：对硅基衬底层依次进行除气处理和束流校正；在束流校正后的硅基衬底层上外延生长碲化镉复合衬底层；在碲化镉复合衬底层上外延生长p型掺杂高电导率碲化镉导电层；在p型掺杂高电导率碲化镉导电层上外延生长碲镉汞吸收层碲镉汞红外探测器芯片，包括：硅基衬底层；碲化镉复合衬底层，层叠设置于硅基衬底层上；p型掺杂高电导率碲化镉导电层，层叠设置于碲化镉复合衬底层上；碲镉汞吸收层，层叠设置于p型掺杂高电导率碲化镉导电层上。
碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法

[发明专利]一种碲锌镉基碲镉汞薄膜的磨抛损伤测试方法-CN201611041446.4在审
发明人：许秀娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种碲锌镉基碲镉汞薄膜的磨抛损伤测试方法。该方法包括对碲锌镉基碲镉汞薄膜进行解理；通过扫描电子显微镜，得到碲镉汞薄膜层解理面的形貌像，并根据形貌像，确认损伤位置，聚焦并标注损伤位置，得到损伤位置的损伤深度和碲镉汞薄膜层的厚度借助于本发明的技术方案，解决了现有技术中碲锌镉基碲镉汞薄膜磨抛损伤的测量难题，不仅能直观快速地获取磨抛损伤的信息，还为磨抛工艺的优化和改进指引了方向。
一种碲锌镉基碲镉汞薄膜损伤测试方法

[发明专利]一种高像素红外焦平面探测器及其制备方法-CN201610204043.0有效
发明人：金迎春;黄立;周文洪;刘斌;姚柏文;戴俊碧;骆鲁斌;龚健 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种高像素红外焦平面探测器及其制备方法，所述探测器包括相互连接的碲镉汞外延片和读出电路，所述读出电路和碲镉汞外延片表面制备有倒装焊结构，其中，碲镉汞外延片表面还覆盖有一层保护材料，保护材料可以选取填充胶或ZnS等，将碲镉汞外延片覆盖同时有露出了碲镉汞外延片表面上的倒装焊结构，读出电路和碲镉汞外延片通过倒装焊结构连接。通过平坦化解决碲镉汞外延片表面不平整性问题，提高了倒装焊良率，同时避免了倒装焊时不平导致的材料应力。
一种像素红外平面探测器及其制备方法

[发明专利]一种同时模式双波段碲镉汞探测器-CN201910414304.5在审
发明人：叶振华;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。
长波碲镉汞减小层厚度光吸收刻蚀碲镉汞探测器双波段反射电磁波器件制备钝化层金属层中心距变小侧壁像元坡度生长保证

[实用新型]同时模式双波段碲镉汞探测器-CN201920708752.1有效
发明人：叶振华;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本专利公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。
长波碲镉汞减小层厚度光吸收刻蚀碲镉汞探测器反射电磁波器件制备钝化层金属层双波段中心距变小侧壁像元坡度生长保证

[发明专利]一种碲镉汞芯片及其加工方法-CN201910536651.5在审
发明人：张轶;刘世光;李春领 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提出了一种碲镉汞芯片及其加工方法，根据本发明的碲镉汞芯片，包括：碲镉汞层和电路层，碲镉汞层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面设有P型电极，第二表面设有N型电极，电路层与P型电极和N型电极均连接根据本发明的碲镉汞芯片，通过将P型电极和N型电极分别设置在碲镉汞层的相对的第一表面和第二表面上，便于碲镉汞芯片的加工，且便于对碲镉汞芯片的检测和维修。
碲镉汞芯片第二表面第一表面碲镉汞电路层加工红外焦平面红外探测器非均匀性探测性能电场均匀性响应率占空比注入区探测器探测维修检测

[发明专利]用于对碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却的装置及方法-CN201811100080.2有效
发明人：杨海燕;胡尚正;田震;曹鹏飞;王利军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C30B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于对碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却的装置及方法,本发明主要用于水平液相外延用碲镉汞生长溶液的合成冷却工艺中，解决该工艺下冷却过程一致性差造成的同一批次及不同批次相同配方的碲镉汞母液均匀性差的问题通过采用本发明的装置对碲镉汞生长溶液进行冷却，可以很好的运用于水平液相外延工艺用碲镉汞生长溶液合成冷却工艺中，改善该工艺的一致性，进而提高同一批次及不同批次相同配方的碲镉汞母液的组分一致性和均匀性，改善碲镉汞薄膜组分及厚度均匀性，提高碲镉汞水平液相外延的工艺稳定性。
用于碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却装置方法