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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种电泵浦零阈值近红外激光器及其制造方法-CN202211274852.0在审
发明人：唐路平;张阳阳;郭迎庆 -专利权人：南京林业大学
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种电泵浦零阈值近红外激光器及其制造方法，由下至上依次堆叠设置的介质基板（1）、氧化铟锡分布反馈光栅层（2）、电子传输层（3）、碲化汞量子点层（4）、空穴传输层（5）、正电极层（6）；基于外接电源取电、以及碲化汞量子点层（4）由各富含表面态的碲化汞量子点组成，由电子传输层（3）与空穴传输层（5）向碲化汞量子点层（4）注入的电子与空穴、会快速从碲化汞量子点的带边态弛豫到能量更低的表面态，即碲化汞量子点存在较强的表面态发射跃迁，激发碲化汞量子点、由表面态发射实现零阈值的近红外光增益，进而由氧化铟锡分布反馈光栅层（2）提供光反馈，高效获得电泵浦、零阈值、高发射强度的近红外激光。
一种电泵浦零阈值红外激光器及其制造方法

[发明专利]一种单分散碲化汞胶体量子点及其合成方法与应用-CN202210414953.7在审
发明人：宋海胜;杨霁;蓝新正;吕逸飞;胡慧成 -专利权人：华中科技大学;华中科技大学温州先进制造技术研究院
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种单分散碲化汞胶体量子点及其合成方法与应用，属于低维半导体材料及红外探测技术领域。合成方法为：将卤化汞加入到油胺中，得到卤化汞的油胺溶液；再向该溶液中加入烷基硫醇；然后快速注入高浓度碲源，使碲源与卤化汞反应成核；再缓慢滴加低浓度碲源，以促进胶体量子点进一步生长，得到单分散碲化汞胶体量子点；所述碲源为三正辛基碲膦。
一种分散碲化汞胶体量子及其合成方法应用

[发明专利]生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统及其控制方法-CN202010953790.0有效
发明人：解永强;张红梅;柳森娟;徐海涛;王宏杰;杨晓东 -专利权人：西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统及其控制方法，解决了如何完成碲化汞晶体生长的问题。）和上炉体（3），在下炉体（1）的炉底板中央处，设置有驱动轴伸出孔（24），在驱动轴伸出孔中设置有驱动轴（23），在伸入到炉体内腔中的驱动轴（23）的顶端设置有石英坩埚（16），在石英坩埚中放置有装有碲化汞粉末状材料的密闭石英管（17），设置在炉体外的驱动轴的下端与驱动轴升降驱动装置（38）机械连接；实现了大直径碲化汞晶体的生长。
生长碲化汞晶体真空高压单晶炉系统及其控制方法

[实用新型]生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统-CN202021984651.6有效
发明人：解永强;张红梅;柳森娟;徐海涛;王宏杰 -专利权人：西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统，解决了如何完成碲化汞晶体生长的问题。）和上炉体（3），在下炉体（1）的炉底板中央处，设置有驱动轴伸出孔（24），在驱动轴伸出孔中设置有驱动轴（23），在伸入到炉体内腔中的驱动轴（23）的顶端设置有石英坩埚（16），在石英坩埚中放置有装有碲化汞粉末状材料的密闭石英管（17），设置在炉体外的驱动轴的下端与驱动轴升降驱动装置（38）机械连接；实现了大直径碲化汞晶体的生长。
生长碲化汞晶体真空高压单晶炉系统

[发明专利]分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法及异质结结构-CN202211226680.X在审
发明人：王丹;高达;李震;邢伟荣;王丛 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法及异质结结构，包括：制备衬底；在所述衬底上生长p型掺杂层；采用如下方式制备所述p型掺杂层：将碲化镉、砷化镉、碲化汞三层作为一个周期，循环多个周期形成超晶格结构本申请实施例通过将碲化镉、砷化镉、碲化汞三层作为一个周期，循环多个周期形成超晶格结构形成p型掺杂层，由此不需要热处理或者只经过低温热处理即获得碲镉汞异质结材料。
分子外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法异质结结构

[发明专利]一种制备碲镉汞红外材料的新方法-CN200610059026.9无效
发明人：邹建平;郭国聪;陈文通 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： C01G13/00 文献下载
摘要：一种制备碲镉汞红外材料的新方法，涉及固相合成法制备碲镉汞红外材料。采用氰化汞、高纯碲粉和镉粉为原料，真空加热升温至500－550℃，恒温以使反应充分，再以2～4℃/h的速率降温至250℃，恒温，再以2～5℃/h的速率降温至100℃。本方法采用氰化汞作为起始物，突破了以往工艺采用汞单质或有机汞作为起始物的局限性，这将有利于运输和储存，减少对设备的污染。
一种制备碲镉汞红外材料新方法

[发明专利]一种碲化镉薄膜电池及其制备方法-CN201210252117.X有效
发明人：裴艳丽;梁军;裴宇波;汤美茹;梁湘平 -专利权人：中山大学
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化性能的碲化镉薄膜电池及其制备方法，其中包括有：衬底及外延叠层，外延叠层由下往上依次为导电层、窗口层、吸光层、背阻挡层与背电极；窗口层为织构化硫化镉薄膜层，吸光层为碲化镉薄膜层，背阻挡层为碲化锌/掺铜碲化锌复合层或碲化汞/掺铜碲化汞复合薄膜层；背电极为石墨浆或石墨烯浆薄膜层或铜薄膜层、镍薄膜层、铜镍合金薄膜层、钼薄膜层中的一种或多种。
一种碲化镉薄膜电池及其制备方法

[发明专利]自组装聚合物空穴传输层结构的高效量子点发光二极管-CN201610008669.4在审
发明人：卡安纳;王昕;陈静;雷威;张晓兵 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：另一端与连接着电子传输层相连；所述电子传输层为掺杂后的无机纳米颗粒；空穴传输层为单聚物、多聚物、小分子、无机氧化金属纳米颗粒或二维纳米材料掺杂进入聚（3，4-乙撑二氧噻吩单体）组成；量子点为硫化锌，硒化锌，碲化锌，硫化镉，硒化镉，碲化镉，硫化汞，硒化汞，碲化汞或者他们的核壳纳米结构硒化镉-硫化锌，硫化镉-硫化锌，硫化镉-硒化锌，硫化镉-硒化锌，石墨烯量子点等等。
组装聚合物空穴传输结构高效量子发光二极管

[发明专利]一种CdHgTe合金量子点的制备方法-CN201410257304.6有效
发明人：周培疆;刘西京;詹红菊 -专利权人：武汉大学
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： C09K11/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种CdHgTe合金量子点的制备方法，其步骤：A、通过硼氢化钾还原碲粉制备制备碲氢化钾溶液：分别称取硼氢化钾和碲粉于带软塞的试管中，加入高纯水；B、称取CdCl₂·2.5H₂O晶体，溶解于高纯水中，得到氯化镉溶液；C、称取HgCl₂晶体，溶解于高纯水中，得到氯化汞溶液；D、移取的巯基丙酸，加入氯化镉和氯化汞混合溶液中，用氢氧化钠溶液调节pH值；E、除去溶解氧，加入碲氢化钾溶液，继续通氮气，混合；F、原液室内光下照射，得到不同波段的CdHgTe合金量子点溶液；G、加入异丙醇提纯，冷冻干燥后得到CdHgTe合金量子点固体粉末。
一种 cdhgte 合金量子制备方法

[发明专利]一种CdHgTe/CdS核壳量子点的制备方法-CN201510308801.9有效
发明人：詹红菊;马雪涛;刘明;刘善培 -专利权人：湖北荆楚理工科技开发有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C09K11/89 文献下载
摘要：一种CdHgTe/CdS核壳量子点的制备方法，其步骤A、制备碲氢化钾溶液；通过硼氢化钾还原碲粉制备；B、称取一定配比的氯化镉和氯化汞晶体，用去离子水溶解定容，得到氯化镉和氯化汞的混合溶液；C、在混合溶液中加入定量的巯基乙酸；D、用氢氧化钾溶液调节该溶液到特定的pH值；E、通入惰性气体除氧后，加入新鲜制备的碲氢化钾溶液；F、用紫外灯进行辐射，并用荧光光谱分析进行检测。
一种 cdhgte cds 量子制备方法

[发明专利]碲化汞镉的制造-CN200580018429.2有效
发明人： J·E·海尔斯;J·吉斯;J·W·凯恩斯;A·格拉哈姆;L·布克尔;D·J·哈尔;N·T·戈顿 -专利权人：秦内蒂克有限公司
申请日： 2005-04-05 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：公开了一种制造碲化汞镉(CMT)的方法，方法包括通过分子束外延(MBE)在衬底上生长一个或多个缓冲层。随后通过金属有机气相外延(MOVPE)生长至少一个碲化汞镉Hg_1－xCd_xTe层，其中x在(0)和(1)之间，并包括(0)和(1)。
碲化汞镉制造

[发明专利]一种生长碲镉汞薄膜的靶材制备方法-CN201010153604.1有效
发明人：孔金丞;孔令德;赵俊;王光华;张鹏举;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种生长碲镉汞薄膜的靶材制备方法，其特征在于采用晶态碲化镉(CdTe)、碲化汞(HgTe)做原材料，通过A.确定靶材组分，B.质量计算，C.研磨，D.称量，E.混合，F.冷轧的工艺步骤，实现生长碲镉汞薄膜的靶材制备
一种生长碲镉汞薄膜制备方法

[发明专利]碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物及其单晶材料和薄膜材料-CN200510067200.X无效
发明人：邹建平;郭国聪;陈文通;蔡丽珍;赵振乾 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2005-05-01 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物及其单晶材料和薄膜材料，涉及一类新型红外材料。其化合物以HgTe、CdTe和InSb为原料，采用真空中高温固相合成法。
碲化汞碲化镉锑化铟共晶结构化合物及其材料薄膜

[发明专利]基于化学发光共振能量转移原理构建生物纳米器件的方法-CN200710040004.2无效
发明人：任吉存;黄香宜 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2007-04-26 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G01N21/76 文献下载
摘要：以一种基于化学发光共振能量转移原理发光的碲化镉(或硒化镉或碲化汞镉)荧光量子点为核心，以共价键将荧光量子点与过氧化物酶连接而成。这种生物纳米器件具有良好的水溶性和稳定性，发射波长可调。
基于化学发光共振能量转移原理构建生物纳米器件方法

[发明专利]一种溶剂热法制备硒化汞纳米晶的方法-CN202111506999.3在审
发明人：房永征;房诗玉;刘玉峰;王雅荣;田志新;张娜;赵国营;侯京山 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种溶剂热法制备硒化汞量子点的方法：将汞源、表面活性配体、溶剂，混合搅拌，得到汞前驱体溶液；将硒粉溶解于三辛基膦中，然后加入溶剂，得到硒前驱体溶液；将汞源、硒源、溶剂放置在反应釜的聚四氟乙烯内衬中该方法得到的碲镉汞量子点表现出较均匀的粒径分布和较好的单分散性。
一种溶剂法制备硒化汞纳米方法

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