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[发明专利]固定化硫族元素及其在可再充电蓄电池中的应用-CN202080001648.4在审
发明人：徐文庆;李晓明;沙伊莱什·帕特卡;埃尔金·E·艾斯勒;徐承坤;科林·摩尔;克里斯托弗·S·克彭 -专利权人： II-VI特拉华有限公司
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C01B32/312 文献下载
摘要：固定化硫族元素系统或主体包含硫族元素和碳的混合物或组合。所述碳可以是碳骨架的形式。所述硫族元素可以包括氧、硫、硒或碲，或者氧、硫、硒和碲中的任两种或更多种的组合。硫族元素逸出所述固定化硫族元素系统或主体的活化能为≥96kJ/mol。
固定化硫族元素及其充电蓄电池中的应用

[发明专利]铁硫族化合物纳米复合体及其制造方法-CN201380059090.5有效
发明人：李在范;毛翔 -专利权人：釜山大学校产学协力团
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁硫族化合物纳米复合体及其制造方法，具体而言，所述铁硫族化合物纳米复合体具有光致发光特性，所述制造方法包括如下步骤步骤a，将Fe前驱体溶解于有机溶剂而形成Fe溶液；步骤b，将硫族元素粉末或硫族元素前驱体溶解于有机溶剂而形成硫族元素溶液；步骤c，将所述Fe溶液以液状注入到所述硫族元素溶液，从而制造形成有铁硫族化合物的混合溶液；步骤d，由所述混合溶液精炼铁硫族化合物。
铁硫族化合物纳米复合体及其制造方法

[发明专利]半导体元件制造方法-CN201711292073.2在审
发明人：林时彦;陈冠超;李嗣涔;潘正圣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;林时彦
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体元件制造方法，包括通过将等离子施加到多个金属二硫族化物膜，来等离子蚀刻设置在基板上的多个金属二硫族化物膜的一部分，此多个金属二硫族化物膜包含金属和硫族元素的化合物。在等离子蚀刻之后，将硫族元素施加到多个金属二硫族化物膜的剩余部分，以修复等离子蚀刻对多个金属二硫族化物膜的剩余部分的损伤。所述硫族元素是S、Se或Te。
硫族化物膜金属等离子蚀刻硫族元素半导体元件制造施加等离子基板损伤修复

[发明专利]发光元件、发光设备、照明设备和电子器具-CN200780007322.7无效
发明人：大原宏树;坂田淳一郎;中村康男 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-02-22 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：发光层包含：发光基材，它包括硫族化合物；以及发光中心，它包括两种卤族化合物。硫族化合物包含硫族元素以及选自周期表第2到13族的元素，并且卤族化合物包含卤族元素以及选自典型的金属元素、过渡金属元素或稀土元素中的元素。
发光元件设备照明设备电子器具

[发明专利]二维过渡金属硫族化合物的合成方法-CN201910995184.2有效
发明人：杨树斌;杜志国 -专利权人：济南三川新材料科技有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C01B32/914 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物的合成方法，包括步骤：加热步骤：在惰性气体的环境中，将过渡金属化合物原料加热至一反应温度；拓扑转化反应步骤：通入含有硫族元素的气体，或，含有硫族元素的气体与含有磷族元素的气体的混合气体，并保持该反应温度一段设定时长，使所述硫族元素，或，硫族元素和磷族元素，与所述过渡金属化合物原料发生拓扑转化反应，生成二维过渡金属硫族化合物。本发明的合成方法具有能够高度反应，产率高、能耗低以及效率高的优点，得到的二维过渡金属硫族化合物单层率高、层数分布窄，能够实现宏量制备，具有极好的工业化应用前景。
二维过渡金属化合物合成方法

[发明专利]改性金属硫族化合物的制备方法及发光器件-CN201710940057.3有效
发明人：王宇;曹蔚然;李龙基 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明属于显示器件领域，提供了改性金属硫族化合物的制备方法及发光器件。本发明通过提供金属硫族化合物，将金属硫族化合物置于反应室中进行第一改性处理和第二改性处理，得到改性金属硫族化合物。在此制备过程中，第一改性处理通过充分的酸处理，减少了硫族元素的缺陷，并将与硫族元素缺陷态结合的电荷释放出来，同时清除硫族化合物中的氧物种(oxygen species)，进而获得更纯净的金属硫族化合物；第二改性处理通过硫醇处理使硫族元素缺陷态和硫醇以共价键的形式进行化学吸附，将硫族元素表面剩余的缺陷消除到最小；由此获得具有较高电荷传输效率的改性金属硫族化合物，提高了器件的发光效率。
硫族化合物改性处理改性金属硫族元素金属硫族化合物发光器件缺陷态硫醇制备电荷传输效率制备方法工艺电荷释放发光效率化学吸附缺陷消除显示器件制备过程反应室共价键酸处理氧物种

[发明专利]温控硫族元素蒸气分配装置及均匀沉积铜铟镓硒的方法-CN201710650854.8在审
发明人：罗伯特·T·塔斯;海因里希·冯·比诺;罗伯特·马丁森 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了用于沉积含硫族元素的化合物半导体的均匀薄膜的沉积系统和方法。沉积系统包括真空盒，所述真空盒连接至真空泵；溅射系统，所述溅射系统包括位于所述真空盒中的至少一个溅射靶；含硫族元素的气体源；以及气体分配歧管，所述气体分配歧管具有供应侧和分配侧。所述分配侧具有多个开口区域，所述多个开口区域具有独立的温度控制；并且所述供应侧连接至所述含硫族元素的气体源。反应溅射沉积含硫族元素的化合物半导体材料的方法包括将含硫族元素的化合物半导体材料的至少一个金属组分溅射到衬底上；以及向所述衬底的端部比向所述衬底的中部提供更高的硫族元素流，以形成所述含硫族元素的化合物半导体材料
温控元素蒸气分配装置均匀沉积铜铟镓硒方法

[发明专利]在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法-CN202010679035.8在审
发明人：卞卿溵;金亨燮;朴台镇;金会俊;申铉振;安元植;M.林;赵连柱 -专利权人：三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。
衬底形成过渡金属二硫族化物薄膜方法

[发明专利]金属硫属化物薄膜的制备方法-CN201310102517.7有效
发明人：张广宇;时东霞;张菁 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属硫属化物薄膜的制备方法，用于用硫族元素源和金属元素源以气相沉积的方式在基片上生长出金属硫属化物薄膜，包括：提供能够分别独立控温的三个温度区域；其中，所述硫族元素源、金属元素源、基片分别放置在所述三个温度区域；控制三个温度区域，使得所述硫族元素源蒸发以产生硫族元素源蒸汽；所述金属元素源蒸发以产生金属元素源蒸汽以及加热所述基片至预定沉积温度；提供载气并使其顺序流过所述三个温度区域，从而将所述硫族元素源蒸汽与所述金属元素源蒸汽载送至基片上沉积并生长形成所述金属硫属化物薄膜
金属硫属化物薄膜制备方法

[发明专利]存储器单元、集成装置及形成存储器单元的方法-CN201280064400.8有效
发明人：安德烈亚·雷达埃利;乌戈·鲁索;阿戈斯蒂诺·皮罗瓦诺;西蒙娜·拉维扎里 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：所述装置可包含：硫族化物材料；导电材料，其在所述硫族化物材料上方；及散热片，其在所述导电材料与所述硫族化物材料之间。所述散热片可具有包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。一些实施例包含一种形成存储器单元的方法。可在加热器材料上方形成硫族化物材料。可在所述硫族化物材料上方形成导电材料。可在所述导电材料与所述硫族化物材料之间形成散热片。所述散热片可具有包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。
存储器单元集成装置形成方法

[发明专利]一种双面吸光硫族化物薄膜太阳能组件的生产方法-CN201410568172.9无效
发明人：谢承智;刘德昂;钱磊 -专利权人：苏州瑞晟纳米科技有限公司
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种双面吸光硫族化物薄膜太阳能组件的生产方法,用于增加现有硫族化物薄膜太阳能组件的效能。其制备流程包括以下几个步骤：采用公知技术真空磁控溅射方法在刚性或柔性透明衬底上镀上底电极、窗口层(一)和缓冲层(一),及后沉积金属或硫族化金属反应层，后在常温环境中,把配制的高纯硫族元素溶液利用常规工艺在金属反应层上沉积硫族元素层，以低温烘烤,形成固化的硫族元素薄膜。在镀上中电极后,再次沉积金属或硫族化金属反应层和沉积硫族元素层。之后经高温退火处理使两个反应层完全转变为多晶的硫族化物半导体薄膜。最后镀上缓冲层(二)、窗口层(二)和上电极便制成双面吸光硫族化物薄膜太阳能电池。
一种双面吸光硫族化物薄膜太阳能组件生产方法

[发明专利]硫族化物存储器装置组合物-CN202310136686.6在审
发明人： D·W·柯林斯;P·凡蒂尼;L·弗拉汀;E·瓦雷西 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本申请案涉及硫族化物存储器装置组合物。存储器单元可使用具有如本文中所描述的组合物的硫族化物材料作为存储材料、选择器材料或作为自选存储材料。如本文中所描述的硫族化物材料可包含含硫组分，其可为完全硫(S)或可为硫与例如硒(Se)等一或多种其它元素的组合。除所述含硫组分之外，所述硫族化物材料可进一步包含一或多种其它元素，例如锗(Ge)、至少一种第III族元素或砷(As)。
硫族化物存储器装置组合

[发明专利]一种利用空位缺陷调节过渡金属硫族化合物宽光谱探测的方法-CN202310769296.2在审
发明人：张永哲;马洋;李景涛 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：一种利用空位缺陷调节过渡金属硫族化合物宽光谱探测的方法，属于二维材料领域。本方法采用过渡金属氧化物作为金属源，两种不同的硫族元素作为硫源，使用化学气相沉积的方法生长出元素均匀分布的单层三元过渡金属硫族化合物。利用合金元素之间化学键的稳定性差异，通过氢气辅助退火的方式使不稳定的化学键断裂，产生的硫族元素空位缺陷均匀分布在三元过渡金属硫族化合物中。硫族元素空位缺陷在过渡金属硫族化合物的导带和价带之间引入缺陷能级，产生新的光致发光峰，拓宽了其光谱探测范围。该实验方法工艺简单，重复性好，对缺陷的种类、分布和数量能进行精确调控，适合大规模生产。
一种利用空位缺陷调节过渡金属化合物光谱探测方法

[发明专利]制备过渡金属硫族化物的方法-CN201510638382.5有效
发明人：阙郁伦;麦迪纳;陈雨泽 -专利权人：阙郁伦
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供一种制备过渡金属硫族化物的方法，其可于150至500度的基板温度以及25至760托耳的制程环境下生产过渡金属硫族化物。且本发明采用的硫族元素来源是采用加热硫族固体源并对其离子化的方式以取得硫族元素等离子体，所以在本发明中可避免去使用习知制备过渡金属硫族化物技术中的剧毒硫化氢气体。
硫族化物制备过渡金属硫族元素等离子体硫化氢气体过渡金属固体源离子化基板硫族托耳制程加热剧毒生产

[发明专利]具有超薄金属硫族元素阻挡材料的集成电路互连结构-CN202111150122.5在审
发明人： C·内勒;C·杰泽斯基 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：集成电路互连结构包括具有阻挡材料的互连金属化特征，该阻挡材料包括金属和硫族元素。硫族元素的引入可以在给定的阻挡材料层厚度下随着阻挡层厚度的增大而改善扩散阻挡特性。可以以最小厚度沉积阻挡材料，诸如TaN，并且在一种或多种填充材料沉积在阻挡材料之上之前或之后以硫族元素对阻挡材料进行掺杂。在热处理期间，移动的硫族元素杂质可在阻挡材料内的区域内聚集至足够高的浓度以使阻挡材料的至少一部分转换为金属硫族化物层。金属硫族化物层可以比阻挡层的其余部分具有更大的结晶度。
具有超薄金属元素阻挡材料集成电路互连结构

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