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[发明专利]半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法-CN201980005923.7有效
发明人：黑田孝博;名儿耶友宏;友利直己 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体密封成形用临时保护膜，其具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上且含有树脂和硅烷偶联剂的粘接层。半导体密封成形用临时保护膜中，硅烷偶联剂的含量相对于树脂总量可以超过5质量％且为35质量％以下。
半导体密封成形临时保护膜带有引线制造装置方法

[发明专利]偏振片保护膜、偏振片及电阻膜式触摸面板-CN201110319256.5无效
发明人：羽根友子 -专利权人：新日铁化学株式会社
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种在硅氧烷交联型丙烯酸硅酮树脂膜的单面上形成硅烷偶联剂层而成的偏振片保护膜，在偏振片的单面或双面借助该硅烷偶联剂层层叠该保护膜而成的偏振片，以及使用了该偏振片的电阻膜式触摸面板。
偏振保护膜电阻触摸面板

[发明专利]偏振片保护膜、偏振片及电阻膜式触摸面板-CN200780043930.3无效
发明人：羽根友子 -专利权人：新日铁化学株式会社
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种在硅氧烷交联型丙烯酸硅酮树脂膜的单面上形成硅烷偶联剂层而成的偏振片保护膜，在偏振片的单面或双面借助该硅烷偶联剂层层叠该保护膜而成的偏振片，以及使用了该偏振片的电阻膜式触摸面板。
偏振保护膜电阻触摸面板

[发明专利]镁合金表面硅烷成膜的方法-CN201010527514.4无效
发明人：卫中领;沈钰;陈秋荣;李春梅 -专利权人：嘉兴中科亚美合金技术有限责任公司
申请日： 2010-11-01 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C23C22/57 文献下载
摘要：一种镁合金表面硅烷成膜的方法，将镁合金浸入成膜液后即刻取出，在80-100℃干燥箱中烘干后再次浸入成膜液，这样重复4-6次，最后置于200-250℃干燥箱中烘烤1-3小时，制得膜层。本发明的方法制得的硅烷膜层可有效提高镁合金耐蚀能力2至4倍，且该工艺操作简单，只需在室温下操作，对环境无污染，减少了对操作者身体的危害。
镁合金表面硅烷方法

[发明专利]一种铝镜缓蚀剂-CN202011246173.3在审
发明人：龚新明 -专利权人：华鸿画家居股份有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C23C22/56 文献下载
摘要：植酸和槲皮素复合物的制备方法为：将槲皮素加入丙酮中溶解，再加入γ‑氯丙基三甲氧基硅烷，反应得到硅烷改性槲皮素；将硅烷改性槲皮素加入无水乙醇中，搅拌溶解得到硅烷改性槲皮素乙醇溶液；将硅烷改性槲皮素乙醇溶液逐滴加入植酸水溶液中本发明在缓蚀剂中加入植酸和槲皮素复合物，可以与铝作用在镀铝层表面形成一层三维网络结构保护膜，形成的保护膜可以提高铝镜保护漆层与镀铝层的结合力，并且可以在保护漆层损坏时对镀铝层进行保护，防止腐蚀的扩展。
一种铝镜缓蚀剂

[发明专利]一种同时在深沟槽底部和顶部形成图形的工艺方法-CN201210473220.7有效
发明人：郭晓波 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种同时在深沟槽底部和顶部形成图形的工艺方法，包括以下步骤：1提供一需要在深沟槽底部和顶部形成图形的硅片；2光刻胶的涂布和烘烤；3使用具有目标图形的掩膜版进行曝光，形成光刻胶潜影；4用硅烷化剂对上述具有光刻胶潜影的光刻胶进行硅烷基化处理，将潜影图形转化成硅烷基化图形；5以上述硅烷基化图形为掩膜层，干法刻蚀光刻胶，在深沟槽底部和顶部同时形成图形；6以上述硅烷基化图形和剩余光刻胶为掩膜层，刻蚀深沟槽底部和顶部的薄膜层，在深沟槽底部和顶部同时形成该薄膜层的图形
一种同时深沟底部顶部形成图形工艺方法

[发明专利]抗反射硬掩膜及其应用-CN200410049384.2有效
发明人： K·巴比驰;E·黄;A·P·马赫罗瓦拉;D·R·梅德罗斯;D·皮菲福尔;K·坦姆普勒 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-06-11 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了抗反射硬掩膜组合物以及将该抗反射硬掩膜组合物用于加工半导体器件的技术。本发明的一个方面提供了用于平板印刷的抗反射硬掩膜层。抗反射硬掩膜层包含含有至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链和交联组分。本发明的另一个方面提供了加工半导体器件的方法。该方法包括如下步骤：在基材上提供材料层；在材料层上形成抗反射硬掩膜层。所述抗反射硬掩膜层包含含有至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链和交联组分。
反射硬掩膜及其应用

[发明专利]夹层玻璃用中间膜及夹层玻璃-CN201680056486.8在审
发明人：吉田章吾;太田祐辅;山本圣树;伊井大三 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： C03C27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种夹层玻璃用中间膜，其可以降低夹层玻璃的雾度值，适度提高夹层玻璃部件从中间膜剥离的剥离性。本发明的夹层玻璃用中间膜是仅具有第一层的单层中间膜，或者具有第一层和其他层的多层中间膜，所述第一层不含有镁，并且含有具有聚氧化烯基的磷化合物或具有聚氧化烯基的硅烷化合物；或者含有50ppm以下的镁，并且含有具有聚氧化烯基的磷化合物或具有聚氧化烯基的硅烷化合物所述中间膜是所述仅具有第一层的单层中间膜的情况下，所述第一层含有隔热粒子，所述中间膜是所述具有第一层和其他层的情况下，中间膜中的至少一层含有隔热粒子。
中间膜第一层夹层玻璃聚氧化烯基硅烷化合物磷化合物隔热单层粒子夹层玻璃部件剥离性多层雾度剥离

[发明专利]用于光伏器件或类似等的多晶硅厚膜及制备其的方法-CN201380070983.X在审
发明人：维贾伊·S·维拉萨米;马丁·D·布拉卡蒙特 -专利权人：葛迪恩实业公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种制备多晶硅膜的方法，包括：在基片上沉积含有镍的催化剂层，并沉积镍纳米粒；将所述催化剂层和所述纳米粒暴露至硅烷气；以及在所述暴露至硅烷气的至少一部分时间期间将涂有所述催化剂层和所述纳米粒的所述基片热处理，在所述基片上生长含有硅的膜。
用于器件类似多晶硅厚膜制备方法

[发明专利]一种荧光溶解氧传感膜的制备方法-CN202210983605.1在审
发明人：严六明;漆国萍;徐忆晗;岳宝华 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C09D133/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种荧光溶解氧传感膜的制备方法，属于荧光溶解氧传感器制备技术领域，公开了一种具有灵敏度高、响应时间短、耐久性好的荧光溶解氧传感膜的制备方法。本发明制备的荧光溶解氧传感膜由传感层、反射层、遮光层构成。传感层以共聚(甲基丙烯酸甲酯‑甲基丙烯酸三氟乙酯‑丙烯酸异辛酯‑甲基丙烯酸3‑[三(三甲基硅氧基)甲硅烷基]丙酯)为基质材料，并利用物理分散的方法掺入荧光指示剂八乙基卟啉铂(II)(PtOEP)后涂布于衬底材料制得以四甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷为前驱体，通过溶胶‑凝胶方法得到溶胶液，再将散射剂与遮光剂分别分散于其中制备反射层与遮光层；得到由传感层、反射层、遮光层构成的三层结构荧光溶解氧传感膜。
一种荧光溶解氧传感制备方法

[发明专利]一种增益流延膜、制备方法及其应用-CN202310217995.6有效
发明人：陈建华;陈坤 -专利权人：天津华德科技有限公司;河北海德塑业有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C08L23/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种增益流延膜、制备方法及其应用。增益流延膜的制备方法包括：将A层的乙烯‑辛烯共聚物树脂，硅烷接枝单体，引发剂，成核剂，紫外光稳定剂，抗氧剂混合均匀，将B层的乙烯‑辛烯共聚物树脂，硅烷接枝单体，引发剂，成核剂，紫外光转化剂，紫外光稳定剂，抗氧剂混合均匀，将C层的乙烯‑辛烯共聚物树脂，硅烷接枝单体，引发剂，成核剂，光扩散剂，紫外光稳定剂，抗氧剂混合均匀，然后挤出，再经流延、压花、冷却、牵引、收卷，得到增益流延膜。本申请制得的流延膜能够高效捕捉光线，提高了光伏组件的发电效率，并且可以降低光伏组件老化的风险，光伏组件的使用寿命较长。
一种增益流延膜制备方法及其应用

[发明专利]无机涂覆层交联分隔件-CN202180008639.2在审
发明人：张珣;森谷晋次 -专利权人：旭化成株式会社
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01M50/409 文献下载
摘要：提供一种蓄电装置用分隔件，其包含聚烯烃树脂制微多孔膜和配置在上述聚烯烃树脂制微多孔膜的至少一个表面上的无机多孔层，上述无机多孔层具有选自由(i)无机颗粒之间的共价键、(ii)树脂粘结剂之间的共价键和(iii)无机颗粒与树脂粘结剂之间的共价键组成的组中的至少1种，上述聚烯烃树脂制微多孔膜包含硅烷接枝改性聚烯烃，并且上述蓄电装置用分隔件与电解液接触时，上述硅烷接枝改性聚烯烃的硅烷交联反应开始。
无机覆层交联分隔

[发明专利]交联的聚合物膜及其生产方法-CN201880029383.1有效
发明人： J·T·沃恩;B·J·桑德尔 -专利权人：沙特阿拉伯石油公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本申请描述了在适度温度下使用酸催化剂生产硅烷交联的聚合物膜的方法，在某些实施方案中，所述方法所得的膜具有出乎意料的高渗透性和选择性。在某些实施方案中，通过将预先形成的膜浸入含有硅烷和酸催化剂的溶液中来进行硅烷接枝和交联。或者，在某些实施方案中，在溶液中存在酸催化剂的条件下将硅烷接枝到聚合物上，并且由随后的铸造和干燥生成交联膜。本申请还描述了具有多孔层的不对称交联聚合物膜。在某些实施方案中，交联的乙酸纤维素膜的渗透性比未修饰的乙酸纤维素膜的渗透性高达一个数量级之多。由于在温和条件下加工所述膜，因此其拥有的多孔层具有高孔隙率。
交联聚合物及其生产方法

[发明专利]一种钢材磁控溅射真空镀铝膜工艺-CN201811062498.9在审
发明人：蔡璟 -专利权人：蔡璟
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种钢材磁控溅射真空镀铝膜工艺，包括：靶材A制备—酸洗—镀A膜—底层膜厚检测—镀铝膜—顶层膜厚检测—干燥，通过上述工艺过程的实施，在镀铝层与钢材之间镀一层含有MS改性硅烷的A膜，有效提高了镀铝层与钢材之间的结合力，避免镀铝层的脱落。
镀铝层钢材真空镀铝膜磁控溅射改性硅烷工艺过程膜厚检测底层膜镀铝膜结合力顶层靶材酸洗制备检测

[发明专利]一种烷氧基硅乙基多面体齐聚硅倍半氧烷改性的金属表面前处理剂及其制备方法、应用-CN201710250146.5有效
发明人：刘张洋;高子茹;文宇佳;王光明;李安然;吕思雨;林安;黄驰 -专利权人：武汉大学
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C23C22/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种烷氧基硅乙基多面体齐聚硅倍半氧烷(OPS)改性的金属表面前处理剂，以水为溶剂，以硅烷作为主成膜剂，以氟锆酸盐和/或氟锆酸为第二种成膜剂，并添加烷氧基硅乙基多面体齐聚硅倍半氧烷(OPS)作为膜层封闭剂和修补剂本发明所述金属表面涂装前处理剂在成膜时是硅烷成膜和氟锆酸盐陶化成膜同步进行，相互掺杂，形成致密的无机‑有机杂化膜，硅烷可以及时修补氟锆酸盐成膜过程中的缺陷，优化膜结构，而烷氧基硅乙基多面体齐聚硅倍半氧烷(OPS)的多个烷氧基可以同时和膜层中多个位点发生作为，封闭效果会明显提升，实现了对膜层中缺陷的更好修补和封闭。
硅倍半氧烷烷氧基硅多面体齐聚乙基氟锆酸盐前处理剂硅烷金属表面成膜剂成膜改性膜层修补致密金属表面涂装金属促进剂稀土化合物有机杂化膜成膜过程对膜层封闭剂氟锆酸膜结构烷氧基稳定剂修补剂封闭个位溶剂制备掺杂应用优化