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[发明专利]一种柔性单分子膜检测器及其制备方法-CN201911274118.2有效
发明人：李明亮;李硕;王国治;魏峰 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性单分子膜检测器及其制备方法，属于功能器件设计和制备领域。该柔性单分子膜检测器，从上至下依次由功能分子传感层、金属氧化物附着层和高分子柔性衬底构成，功能分子传感层由功能分子组成，功能分子为C长度为5‑10的烷基链两端分别连接铆钉基团和荧光基团，其中铆钉基团包括三氯硅烷、磷酸、甲基二氯硅烷、二甲基氯硅烷等，荧光基团包括芘、苝和9,10‑二苯基蒽。该传感器使用高灵敏性的单分子作为传感层，高分衬底获得良好的柔性，使得器件在低浓度爆炸物检测和高性能可穿戴器件制备方面有巨大的应用潜力和价值。
一种柔性分子检测器及其制备方法

[发明专利]形成金属单层膜、配线及制造场效应晶体管的方法-CN200410075239.1无效
发明人：米屋伸英 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-09-13 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种制造场效应晶体管的方法，该晶体管具有牢固地粘附于栅绝缘膜的金属单层膜的源/漏电极。该方法由以下步骤组成：在支承体上形成栅极，在支承体和栅极上形成栅绝缘膜，用硅烷偶合剂对栅绝缘膜表面进行处理，在已用硅烷偶合剂处理过的栅绝缘膜13上，形成金属单层膜的源/漏电极，以及在源/漏电极之间保留的栅绝缘膜上形成半导体层的沟道形成区域
形成金属单层制造场效应晶体管方法

[实用新型]表面复合有纳米陶瓷硅烷复合膜的铝材-CN201120084512.2有效
发明人：叶泽恩 -专利权人：佛山市南海华豪铝型材有限公司
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： C23C20/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种表面复合有纳米陶瓷硅烷复合膜的铝材，包括有铝材本体，以及复合在铝材本体表面的复合膜，该复合膜是应用溶胶-凝胶技术通过添加了纳米级SiO2的硅烷处理液处理的、经脱水后以Si-O-Si键构成三维网状结构并以Si-O-Al共价键与铝材表面复合的复合膜。由于纳米陶瓷硅烷复合膜是无铬处理，解决了铝材行业中的铬污染问题。在表面处理过程中不产生任何影响成膜的物质附着在铝材表面，所以铝材在喷涂前无需水洗。添加的纳米填料，分散在网状结构的膜层中，与水解的硅烷复合后可在铝材表面形成一种桥键，使紧密结合而无裂纹，以化学共价键的结合模式与铝材复合显著提高了涂层的附着力。
表面复合纳米陶瓷硅烷

[发明专利]一类可视化氧传感检测的生物传感器的制备方法-CN200810071137.0无效
发明人：陈曦;王旭东;陈海旭;王小茹 -专利权人：厦门大学
申请日： 2008-05-27 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： G01N21/76 文献下载
摘要：将四乙氧基硅烷、3－氨基丙基－三甲氧基硅烷、超纯水和甲醇混匀，加入绿色量子点溶液和Cd前驱体溶液，于玻璃片上涂膜得发光稳定的量子点层。将四甲氧基硅烷和二甲基二甲氧基硅烷加入HCl加热，取下层凝胶液与PtF₂₀TPP的四氢呋喃溶液混合，涂布于量子点层上成膜。将TMOS与DiMe－DMOS混匀，加入HCl水溶液，水解留下层凝胶液；将聚乙烯醇水溶液和凝胶液混合，取上层液体与溶解有微生物或酶的磷酸盐缓冲液混合，于氧传感层表面均匀涂膜成型。
一类可视化传感检测生物传感器制备方法

[发明专利]半导体多层布线板及其形成方法-CN200410087477.4无效
发明人：逢坂哲弥;横岛时彦;佐藤功;桥本晃;萩原嘉男 -专利权人：学校法人早稻田大学;东京応化工业株式会社
申请日： 2004-10-15 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体多层布线板的制造方法，该方法使得向基板上形成低介电常数氧化硅系层间绝缘层、通过双大马士革法形成布线形成空间、在该空间上形成由有机单分子膜构成的致密且薄的防扩散膜、向上述空间上形成布线层的这些的全部工序完全湿法化在使用旋涂式玻璃材料形成于基板上的低介电常数的氧化硅系层间绝缘层中形成布线层形成空间，然后，根据需要在氧化性气氛中紫外线照射，在绝缘层表面进行处理以形成Si－OH键，然后，在上述布线层形成空间内侧使用有机硅烷化合物使使硅烷系单分子层膜密合，使用钯化合物水溶液使该单分子层膜表面催化剂化，在该催化剂化的单分子层膜中通过无电解电镀形成防铜扩散性高的电镀膜，在该防铜扩散膜上形成铜镀层，由此形成布线层。
半导体多层布线及其形成方法

[发明专利]一种阻锈用环保低温硅烷溶液及其制备方法-CN201510682404.8在审
发明人：赵家柱;张有德;吴迪;程玉凡;赵仕章 -专利权人：合肥东方节能科技股份有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： C09D5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻锈用环保低温硅烷溶液，所述溶液是由多种组分配制而成的混合液，每500克混合液中各组分的质量以克为单位满足：3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷6-8，硅烷水解液0.8-0.9，硅溶胶本发明还提供了一种阻锈用环保低温硅烷溶液的制备方法。采用本发明的硅烷溶液处理金属工件，可以在工件表面形成碱性复合膜层，该膜层具有附着力强，无空洞、裂陷，致密均匀，极化电流密度小的特点，且生产过程环保，无污染。
一种阻锈用环保低温硅烷溶液及其制备方法

[发明专利]一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法-CN201310414069.4有效
发明人：史敬元;金智;麻芃;张大勇;彭松昂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法，该方法是利用硅烷偶联剂有机膜层来钝化和修饰碳基半导体器件衬底表面，具体包括以下步骤:将清洗后的衬底放入烘箱内120℃干燥处理20分钟;配制硅烷偶联剂溶液，利用有机溶剂溶解并稀释硅烷偶联剂，将要处理衬底浸入稀释液中;在氮气或者空气环境下，将浸润后的衬底加热至100℃～150℃，使硅烷偶联剂单体于衬底表面发生脱水缩合反应生成聚合体，从而在衬底表面形成硅烷偶联剂有机膜层利用本发明，由于使用经过硅烷偶联剂处理过表面的衬底，所以减小了由于衬底表面极性散射和杂质吸附给石墨烯场效应器件所带来的不良影响，有效增加了器件载流子迁移率，提高了器件性能。
一种提高半导体器件迁移率衬底处理方法

[发明专利]一种耐氯耐污染聚酰胺反渗透复合膜及其制备方法-CN202010322040.3有效
发明人：唐文勇;倪凡;沈慧芳;刘相宝;赵伟国;孙家宽 -专利权人：万华化学集团股份有限公司;万华化学（宁波）有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B01D71/64 文献下载
摘要：本发明提供一种耐氯耐污染聚酰胺反渗透复合膜及其制备方法。所述耐氯耐污染聚酰胺反渗透复合膜包括：基膜；聚酰胺反渗透膜，其形成在所述基膜上；和保护层，其形成在所述聚酰胺反渗透膜上，其中，所述保护层是由3‑(三甲氧基硅烷)丙基丙烯酸酯‑共聚‑聚乙二醇甲醚甲基丙烯酸酯共聚物形成并通过化学接枝反应沉积在所述聚酰胺反渗透膜表面上，并且在所述保护层中，所述3‑(三甲氧基硅烷)丙基丙烯酸酯‑共聚‑聚乙二醇甲醚甲基丙烯酸酯共聚物形成了三维聚合物网络结构。
一种耐氯耐污染聚酰胺反渗透复合及其制备方法

[发明专利]一种在环氧树脂表面制备高结合力金属层的方法-CN202210597630.6有效
发明人：康志新;李林蔚;陈德馨 -专利权人：华南理工大学;暨南大学韶关研究院
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C18/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种在环氧树脂表面制备高结合力金属层的方法，属于涂层领域。本发明的方法包括以下步骤：(1)将半固化态环氧树脂加入硅烷偶联剂溶液中浸泡，得到硅烷化环氧树脂；(2)将步骤(1)所得到的硅烷化环氧树脂敏化后再进行化学镀金属，然后进行热处理，即在环氧树脂表面制备高结合力金属层本发明用浸泡法在树脂表面接枝硅烷偶联剂，工艺简单，无需进行刻蚀等前处理，清洁环保，为改善环氧树脂与金属膜层界面结合提供了新的思路。
一种环氧树脂表面制备结合金属方法

[发明专利]改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法-CN201380049625.0有效
发明人：宋炫知;朴银秀;林相学;郭泽秀;金古恩;金美英;金补宣;金奉焕;罗隆熙;裵镇希;徐珍雨;尹熙灿;李汉松;田钟大;韩权愚;洪承希;黄丙奎 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C08G77/38 文献下载
摘要：本发明揭示改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法。改质氢化聚硅氧氮烷是藉由氢化聚硅氧氮烷和选自聚硅烷、聚环硅烷与硅烷低聚物的硅烷化合物的反应而制备。改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子相较于硅原子有较小的摩尔数比，且从而，改质氢化聚硅氧氮烷可应用在用于形成氧化硅为主的绝缘层的组合物中，用以形成氧化硅为主的绝缘层时，可以显著降低膜收缩率。
氢化聚硅氧氮烷含有用于形成氧化为主绝缘组合制备方法制造

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN02106470.9无效
发明人：千草尚;高桥大树;阿部美千代;青木克之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-02-09 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： H01J29/88 文献下载
摘要：一种显示装置,具有荧光屏面和由上述荧光屏面上形成的3层以上的层构成的多层反射带电防止膜。上述多层反射带电防止膜从上述荧光屏面一侧起顺序具有吸收层、导电层和保护层。上述吸收层含有至少一种有机色素、SiO2和有机有机有机硅烷偶合剂,而且上述有机有机有机硅烷偶合剂的含有量相对于上述SiO2和上述有机色素的固形部分总计重量为7倍量以下。理想的是上述有机有机有机硅烷偶合剂具有从烷基、乙烯基、苯基、环氧基、羰基、醚基、羧基、酯基、巯基、酰胺基、氨基、氰基和硝基中选出的至少一个官能团。本发明的显示装置不用大规模的加热装置或冷却装置,可在比较低的温度而且短时间的条件下生产多层反射带电防止膜,而且外观无异常,显示图象的对比度特性方面也优良。
显示装置及其制造方法

[发明专利]镀锌系钢板-CN201080048852.8有效
发明人：松田武士;松崎晃;佐佐木成人;高岛克利;安藤聪 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：将如下表面处理液涂布到锌系镀层的表面上并进行加热干燥，形成第一层被膜，所述表面处理液含有水溶性锆化合物、四烷氧基硅烷、具有环氧基的化合物、螯合剂、硅烷偶联剂、钒酸和金属化合物，以特定的比率混合这些成分且pH8～10，接着，将含有有机树脂的表面处理液涂布到第一层被膜表面上并进行加热干燥，形成第二层被膜。
镀锌钢板

[发明专利]沟槽的填充方法和成膜系统-CN201110216875.1有效
发明人：渡边将久;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽的填充方法和成膜系统。该填充方法和成膜系统用于对形成有沟槽、且至少在上述沟槽的侧壁上形成有氧化膜的半导体基板进行加热，并将氨基硅烷类气体供给到上述半导体基板的表面上而在上述半导体基板上形成晶种层，对形成有上述晶种层的半导体基板进行加热，并将单硅烷气体供给到上述晶种层的表面上而在上述晶种层上形成硅膜，使用经烧制会收缩的填充材料对形成有上述硅膜的半导体基板的上述沟槽进行填充，在含有水及/或羟基的气氛中对涂覆有用于填充上述沟槽的上述填充材料的上述半导体基板进行烧制，并使上述填充材料变化成硅氧化物、使上述硅膜以及上述晶种层分别变化成硅氧化物。
沟槽填充方法系统

[发明专利]一种光伏钢化玻璃及其制备方法-CN201510937996.3在审
发明人：王志坚;王涛;颜荣华 -专利权人：常州华美光伏材料有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：一种光伏钢化玻璃，其包括基材、形成于所述基材表面的第一膜层，其特征在于：所述光伏钢化玻璃还包括形成于所述第一膜层表面的第二膜层，所述第二膜层主要由主成份为有机硅烷的涂料形成，所述第二膜层的厚度为10-50nm
一种钢化玻璃及其制备方法

[发明专利]管式PECVD氮化硅渐变膜工艺-CN201811008455.2在审
发明人：蔡新兴;朱露;张凯胜;姚伟忠;孙铁囤 -专利权人：常州亿晶光电科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池生产技术领域，尤其涉及一种管式PECVD氮化硅渐变膜工艺，通过控制氨气硅烷分别以固定斜率增加和减少来达到氨气硅烷比不断增加，使得沉积的氮化硅膜为折射率由高到低不断变化，沉积的氮化硅膜为连续渐变膜，可以达到接近硅片基底的沉积的氮化硅折射率较高，实现更优秀的钝化效果同时消除了由于原先膜层之间折射率差距较大造成的光学损失。
氮化硅渐变膜折射率沉积氨气氮化硅膜硅烷太阳能电池生产钝化效果固定斜率光学损失硅片管式基底膜层种管