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[发明专利]石墨烯器件-CN201210050646.1有效
发明人：梁擎擎;钟汇才;朱慧珑;金智;刘新宇;陈大鹏;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种石墨烯器件，包括多条石墨烯通道及栅，其中，所有石墨烯通道的一端连接在同一个端点，所有石墨烯通道与栅接触电连接，石墨烯通道与栅的夹角互不相同。由于不同的石墨烯通道的入射波角度不同，使每条石墨烯通道具有不同的隧穿几率，使每条石墨烯通道具有不同的导通条件，可以作为多路选择器或多路分配器等器件。
石墨器件

[发明专利]石墨烯器件及其制造和操作方法以及电子装置-CN201510423238.X有效
发明人：许镇盛;李基荣;朴晟准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：示例实施方式涉及石墨烯器件及其制造和操作方法以及包括该石墨烯器件的电子装置。石墨烯器件是多功能的器件。石墨烯器件可以包括石墨烯层和功能材料层。石墨烯器件可以在开关器件/电子器件的结构内具有存储器器件、压电器件和光电器件中的至少一种的功能。
石墨器件及其制造操作方法以及电子装置

[发明专利]石墨烯电子器件及其制造方法-CN201310534898.6有效
发明人：金容诚;李昌承;李周浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供一种石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件包括在石墨烯层上的第一栅极结构和第二栅极结构，因此可以在一个器件中形成具有石墨烯晶体管和石墨烯二极管的特性的开关器件或存储器器件。
石墨烯电子器件栅极结构存储器器件二极管开关器件石墨烯层晶体管制造

[发明专利]一种石墨烯器件及其制造方法-CN201010532003.1有效
发明人：梁擎擎;金智;王文武;钟汇才;刘新宇;朱慧珑;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯器件结构及其制造方法，所述器件结构包括：石墨烯层；形成于石墨烯层上的栅极区；形成于栅极区一侧的、与石墨烯层相接触的半导体掺杂区；其中所述半导体掺杂区为所述器件结构的漏极区，位于所述栅极区另一侧的石墨烯层为所述器件结构的源极区通过所述半导体掺杂区来提高石墨烯器件的开关比，而不必增大石墨烯材料本身的带隙亦即不牺牲材料的迁移率和器件的速度，从而使石墨烯材料在CMOS器件中的得到更好的应用。
一种石墨器件及其制造方法

[发明专利]无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法-CN201610287852.2在审
发明人：李佳;芦伟立;房玉龙;尹甲运;王波;张志荣;郭艳敏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括以下步骤：一、在衬底上形成源极、栅极、漏极；二、在带有电极的衬底上生长所需的介质材料；三、在步骤二上生长石墨烯。本发明是先制作石墨烯器件工艺中所需的电极、介质等，最后生长石墨烯材料，形成石墨烯器件，避免了石墨烯材料在器件加工过程中受损和污染，提高石墨烯器件的性能。
损伤无污染石墨器件制造方法

[发明专利]用于石墨烯部分的电气接触-CN201510042685.0在审
发明人： R.费尔格;G.鲁尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及用于石墨烯部分的电气接触。公开了电气或电子器件。在一些实施例中，一种电气器件包括：单层石墨烯部分，其在横向方向延伸；以及多层石墨烯结构，其与所述单层石墨烯部分横向接触。所述电气或电子器件还包括石墨部分，其与所述多层石墨烯结构的表面接触。在其他实施例中，一种电气器件包括：石墨烯部分，其在横向方向延伸；以及石墨部分，其被配置为提供针对所述石墨烯部分的横向接触。
用于石墨部分电气接触

[发明专利]一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法-CN201710887677.5在审
发明人：孙晓娟;黎大兵;贾玉萍;刘贺男;宋航;李志明;陈一仁;缪国庆;蒋红;张志伟 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法，属于半导体技术领域。本发明的液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法通过液态石墨烯滴定或者旋涂的方式实现将石墨烯应用于GaN基光电子和微电子器件，石墨烯既可以作为GaN基器件的接触电极，又可以作为光吸收层或电流传导层。本方法操作简单，重复性强，避免传统石墨烯转移的损伤问题；并且可以通过光刻的方式，实现转移后的石墨烯尺寸可控，实现石墨烯与GaN基材料相结合，优化及拓展GaN基光电子和微电子器件的性能。本发明提供的利用液态石墨烯转移石墨烯的方法，为石墨烯应用于GaN基材料及器件，实现石墨烯与GaN基材料相结合提供了新思路。该方法还具有工艺简单，效果显著，应用前景广阔的优点。
一种液态石墨应用于 gan 基材料及器件方法

[发明专利]一种石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件构筑方法-CN201711461783.3有效
发明人：洪文晶;张丹;肖宗源;谭志冰;皮九婵;刘俊扬;师佳;杨扬 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件构筑方法，包括如下步骤：1)构建MCBJ组件，其包括两个石墨烯电极以及液池，所述的两个石墨烯电极位于液池内；2)吸取富勒烯分子溶液加入液池中，使石墨烯电极浸没于该分子溶液中；3)在电极两端施加一定偏压，启动顶杆驱动芯片弯曲，生成石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件。本发明方法可成功构建石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件。
一种石墨富勒烯烯全碳分子器件构筑方法

[发明专利]石墨烯器件的制作方法-CN201310713413.X有效
发明人：王浩敏;谢红;孙秋娟;王慧山;吴天如;谢晓明;江绵恒 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯器件的制作方法，所述石墨烯器件的制作方法至少包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上形成PVA层；在所述PVA层上形成PMMA层；在所述PMMA层上形成石墨烯器件；将所述第一衬底、所述PVA层、所述PMMA层和所述石墨烯器件放入去离子水中，以溶解所述PVA层，使得所述PMMA层和所述石墨烯器件与所述第一衬底脱离；将所述PMMA层和所述石墨烯器件转移第二衬底上。本发明采用PMMA做支撑层，同时利用PVA作为牺牲层，然后，再通过去除PVA，使得形成在PMMA层上的石墨烯器件连同所述PMMA层一同脱离第一衬底，再与第二衬底（本实施例中为聚酰亚胺衬底）黏结，从而实现将石墨烯器件形成在第二衬底上这样可以扩大石墨烯器件的应用范围。
石墨器件制作方法

[发明专利]石墨烯器件及其制备方法、光电探测器-CN202210694742.3在审
发明人：程传同;刘玲玲;张恒杰;陈润;于璇;黄北举;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本公开提供一种石墨烯器件及其制备方法、光电探测器，制备方法包括：对衬底进行光刻，形成器件图案，其中，器件图案包括第一部分图案和第二部分图案，第一部分图案与第二部分图案之间的连接处为尖端形状；在器件图案上制备金属催化层，其中，金属催化层的形状与器件图案的形状相同；在预设温度条件下，在金属催化层表面生长石墨烯并使金属催化层的尖端处熔断，得到石墨烯器件。该制备方法通过一步法同时获得石墨烯和电极，进而得到光电性能优良的石墨烯器件，无需石墨烯的转移过程，解决了石墨烯转移过程损伤石墨烯，导致石墨烯光电探测器的性能差的技术问题。
石墨器件及其制备方法光电探测器

[发明专利]一种石墨烯导热器件-CN201310603456.2无效
发明人：许子寒 -专利权人：许子寒
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：发明公开了一种石墨烯导热均热器件的结构和制造方法，使用保护膜/石墨烯/金属箔材/石墨烯/粘附层或者保护膜/石墨烯/金属箔材/石墨烯/粘附层/石墨烯/金属箔材/石墨烯粘附层结构，构成石墨烯导热均热膜。能够有效的提高金属箔材的导热均热能力，从而有效改善电子器件，尤其是消费电子器件的热管理，从而提高芯片寿命和消费体验。
一种石墨导热器件

[发明专利]一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构-CN201310226207.6无效
发明人：金智;陈娇;麻芃;王显泰;彭松昂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构，该结构是在石墨烯材料与金属的接触区域使用多层石墨烯，在沟道区域使用单层石墨烯。利用本发明，减小了石墨烯与金属接触的电阻，从而有效的增加了石墨烯FET器件的开态电流，提高了器件的跨导和截止频率，并且改善了石墨烯FET器件的不对称性。
一种减小石墨材料金属接触电阻结构

[发明专利]一种制备去除表面生物分子的基于石墨烯电极的分子器件的方法-CN201210492293.0无效
发明人：郭雪峰;高力 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备去除表面生物分子的基于石墨烯电极的分子器件的方法。该方法包括下述步骤：1)制备石墨烯晶体管器件阵列；其中，所述石墨烯晶体管器件阵列中的导电沟道为石墨烯；在所述石墨烯上设有一个通道，所述通道上间隔设有长度为1-10nm的DNA序列连接部位，该连接部位与所述石墨烯晶体管器件中的源极和漏极垂直；2)对石墨烯电极的分子连接器件用TritonX-100浸泡0.5-3小时；3)将设计的DNA序列连接到纳米间隙中，得到DNA单分子连接器件。将本发明制备的基于石墨烯电极的单分子连接器件进行电学信号检测，同时设置对照实验，检测结果表明该方法可以有效去除石墨烯电极的分子器件表面的生物分子，有利于提高检测的准确度。
一种制备去除表面生物分子基于石墨电极器件方法

[发明专利]一种高迁移率氮掺杂大单晶石墨烯薄膜及其制备方法-CN201710372584.9有效
发明人：刘忠范;彭海琳;林立;孙禄钊;张金灿 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高迁移率氮掺杂大单晶石墨烯薄膜及其制备方法。氮掺杂大单晶石墨烯薄膜中氮原子以石墨型氮掺杂于石墨烯晶格中；氮原子的掺杂形式为簇状掺杂；至少3个氮原子与碳原子形成簇状结构镶嵌于石墨烯薄膜中。氮掺杂大单晶石墨烯薄膜的制备方法包括如下步骤：采用还原性气体和含氮碳源气体作为生长气氛，利用化学气相沉积法在生长基底上生长单晶石墨烯岛；在氧化性气氛中对单晶石墨烯岛进行钝化处理；钝化处理结束后，利用化学气相沉积法进行石墨烯再生长即得本发明氮掺杂大单晶石墨烯薄膜可用于透明导电薄膜、透明电极、高频电子器件、发光器件、光伏器件、光电探测器件、电光调制器件、散热器件或疏水性器件封装中。
一种迁移率掺杂晶石薄膜及其制备方法

[发明专利]一种用于全光调制的石墨烯等离激元器件及制备方法-CN201911279644.8有效
发明人：戴庆;郭相东;杨晓霞;刘瑞娜;胡德波;胡海;吴晨晨;罗成 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明提供一种用于全光调制的石墨烯等离激元器件，激元器件由下至上依次包括TMD薄膜层和石墨烯薄膜层，石墨烯薄膜层覆盖于TMD薄膜层上形成石墨烯/TMD异质结；其中，石墨烯薄膜层内存在固定的费米能，具有费米能的石墨烯薄膜层与TMD薄膜层间形成具有石墨烯/TMD异质结的周期性纳米结构。本发明的有益效果是：可实现通过可见光进行对石墨烯等离激元红外信号的调制，是一种新颖的全光调制极化激元的器件，包括应用于光波导器件、光电探测器和光学记忆存储器件等。
一种用于调制石墨元器件制备方法

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