专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多功能真空极化电池-CN200510085655.4无效
  • 黄国有 - 黄国有
  • 2005-07-22 - 2006-01-25 - H01L31/042
  • 一种半导体PN结电池,利用PN结内建电场对金属平板之间的真空涨落的极化作用使金属平板之间产生电位差。主要结构是一距离很小的金属平板2和3之间沉积一层半导体PN结薄层1。由距离极近的金属平板2和3之间的真空涨落和半导体PN结内建电场的极化作用产生电位差对负载4提供电能。由于电池的工作能量来源于真空涨落真空极化作用,电池在没有光的环境中也能连续工作。电池的工作能源是真空能,真空能来源于周围环境,所以,电池工作时环境的温度会降低而具有制冷作用。
  • 多功能真空极化电池
  • [发明专利]离子注入涨落的模拟方法-CN03153740.5有效
  • 施小康;于民;石浩;黄如;张兴 - 北京大学
  • 2003-08-19 - 2005-02-23 - H01L21/265
  • 本发明提供一种离子注入涨落的模拟方法,该方法根据离子注入模拟方法获得N次离子注入后,注入离子在靶材料中的最终三维位置,然后在垂直于靶材料表面的方向进行栅格划分,获取单次离子注入后在每个栅格内的停留离子的数目以及N次离子注入后总的停留离子的数目,进而采用统计的方法获得掺杂离子的涨落分布。本发明涨落模拟方法不仅考虑影响半导体掺杂涨落的掺杂离子数目,而且充分考虑了掺杂离子所处的深度的因素,通过本发明,基于现有的模拟数据,可以获得离子注入半导体掺杂的细致涨落,获得掺杂涨落与深度的变化关系,本发明提出的对掺杂涨落的标定方法
  • 离子注入涨落模拟方法
  • [发明专利]基于芯片CVQKD实际系统中安全漏洞的防御方法及系统-CN202111100850.5在审
  • 黄鹏;李琅;周颖明;曾贵华 - 上海循态量子科技有限公司
  • 2021-09-18 - 2021-12-24 - G06F21/55
  • 本发明提供了一种基于芯片CVQKD实际系统中安全漏洞的防御方法及系统,主要包括:对输入探测器的光强涨落范围和对应的输入光子数涨落的百分比范围进行区间分割,形成输入探测器的光强涨落范围区间和输入光子数涨落的百分比范围区间之间的一一映射关系,利用分割区间,对每个监控的输入光强所落区间,锁定光子数涨落百分比的区间范围,并在此区间范围中统一用最为保守的光子数涨落百分比来估计量子效率,从而保证合法通信双方获取安全密钥。本发明主要集中于Bob端快速估计出真正保守安全的量子效率,来实现对本振光涨落影响量子效率从而引起的系统潜在实际安全性漏洞进行防御,具备简单、高效、近乎零成本等优势。
  • 基于芯片cvqkd实际系统安全漏洞防御方法

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