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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]沟槽型超级结器件的版图结构及其制造方法-CN201510033925.0有效
  • 李昊 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2015-01-23 - 2018-02-06 - H01L29/06
  • 本申请公开了一种沟槽型超级结器件的版图结构，是在每个晶粒中具有多个用于形成立柱的沟槽，相邻且平行的沟槽作为一个沟槽阵列，相邻的沟槽阵列的排列方向相互垂直。本申请还公开了一种沟槽型超级结器件的制造方法，已形成的超级结结构是在每个晶粒中具有两个以上的沟槽阵列，每个沟槽阵列由相邻且平行的沟槽所组成，相邻的沟槽阵列的排列方向相互垂直；所述方法包括以离子注入工艺形成覆盖所有沟槽阵列的离子注入区，所形成的离子注入区平行于至少一个沟槽阵列而垂直于至少另一个沟槽阵列；最终在所有沟槽阵列上均形成超级结器件。本申请通过相邻的晶粒或单元中的沟槽阵列的相互垂直的排列方向，来抵消深沟槽刻蚀后的应力，并克服了位错等缺陷。
  • 沟槽超级器件版图结构及其制造方法
  • [实用新型]一种组装式玻璃钢水渠-CN202122187553.0有效
  • 林胜意 - 黑龙江沃福源生物科技有限公司
  • 2021-09-10 - 2022-03-15 - E02B5/00
  • 本实用新型公开了一种组装式玻璃钢水渠，包括若干个沟槽，若干个所述沟槽首尾连接，任意一个所述沟槽的一端设有用于连接相邻两个所述沟槽的连接槽，所述沟槽的另一端设有与所述连接槽相匹配的连接板，任意一个所述沟槽的连接槽与另一个相邻的所述沟槽的连接板之间设有密封件，所述沟槽外侧面的端部设有用于固定相邻所述沟槽的多个锁紧机构，所述锁紧机构通过安装座与所述沟槽固定连接，所述沟槽底部设有安装基板，所述安装基板上设有安装凹槽，所述沟槽底部固定连接有与所述安装凹槽相匹配限位凸条；本实用新型可保证相邻两个沟槽之间连接的准确性，同时具有良好的防水性，且便于安装。
  • 一种组装玻璃钢水渠
  • [发明专利]半导体装置-CN202110136014.6在审
  • 陈则 - 三菱电机株式会社
  • 2021-02-01 - 2021-08-06 - H01L29/423
  • 在第1导电型的半导体衬底(1)的上表面侧形成有多个栅极沟槽(2)。栅极电极(3)填埋于多个栅极沟槽(2)。多个哑栅极沟槽(9)在半导体衬底(1)的上表面侧，以等间隔形成于相邻的栅极沟槽(2)之间。哑栅极电极(10)填埋于多个哑栅极沟槽(9)，连接于发射极电极(13)。相邻的栅极沟槽(2)和哑栅极沟槽(9)的间隔比相邻的哑栅极沟槽(9)彼此的间隔小。
  • 半导体装置
  • [发明专利]一种颅内支架绕形工装-CN202211332906.4在审
  • 李涛;孙德志 - 上海璞慧医疗器械有限公司
  • 2022-10-28 - 2022-12-16 - D04C7/00
  • 本发明提供一种颅内支架绕形工装，包括芯轴主体、卡线结构、固定组件和至少两组插销组件，其中，卡线结构包括成型在芯轴主体上的若干第一卡线沟槽与若干第二卡线沟槽，其中，若干第一卡线沟槽沿第一螺旋方向设于芯轴主体表面，相邻第一卡线沟槽之间设有间隔，若干第二卡线沟槽沿第二螺旋方向设于芯轴主体表面，相邻第二卡线沟槽之间设有间隔，第一螺旋方向与第二螺旋方向交错设置，第二卡线沟槽设于相邻的两个第一卡线沟槽之间的间隔内，且第一卡线沟槽设于相邻的两个第二卡线沟槽之间的间隔内，第一卡线沟槽与第二卡线沟槽之间设有间隔。
  • 一种支架工装
  • [实用新型]一种颅内支架绕形工装-CN202222870911.2有效
  • 李涛;孙德志 - 上海璞慧医疗器械有限公司
  • 2022-10-28 - 2023-03-24 - D04C7/00
  • 本实用新型提供一种颅内支架绕形工装，包括芯轴主体、卡线结构、固定组件和至少两组插销组件，其中，卡线结构包括成型在芯轴主体上的若干第一卡线沟槽与若干第二卡线沟槽，其中，若干第一卡线沟槽沿第一螺旋方向设于芯轴主体表面，相邻第一卡线沟槽之间设有间隔，若干第二卡线沟槽沿第二螺旋方向设于芯轴主体表面，相邻第二卡线沟槽之间设有间隔，第一螺旋方向与第二螺旋方向交错设置，第二卡线沟槽设于相邻的两个第一卡线沟槽之间的间隔内，且第一卡线沟槽设于相邻的两个第二卡线沟槽之间的间隔内，第一卡线沟槽与第二卡线沟槽之间设有间隔。
  • 一种支架工装
  • [实用新型]半导体结构-CN201921515065.4有效
  • 陶大伟 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2019-09-11 - 2020-02-18 - H01L27/108
  • 其中所述半导体结构，包括：衬底；设置于所述衬底内的多个第一沟槽；由所述第一沟槽隔开的多个有源区；穿过所述有源区的第二沟槽；位于所述衬底上表面的介电层；窗口，穿透所述介电层与所述衬底相连接，并设置在相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间，且所述窗口在所述衬底上表面的投影面积大于等于相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间有源区的尺寸。
  • 半导体结构
  • [发明专利]热管-CN200910301014.6无效
  • 谢宜莳;王永健 - 富瑞精密组件（昆山）有限公司;鸿准精密工业股份有限公司
  • 2009-03-21 - 2010-09-22 - F28D15/04
  • 一种热管，包括一密封的管体，该管体的内壁面沿轴向形成若干主沟槽，相邻两个主沟槽之间形成一凸起的齿部，每一齿部上形成若干导通相邻两个主沟槽的第一辅助沟槽及第二辅助沟槽，每一齿部上的第一辅助沟槽与第二辅助沟槽沿管体的轴向间隔交替排列，第一辅助沟槽与第二辅助沟槽的开槽方向不同。与现有技术相比，本发明的热管设置导通相邻两个主沟槽的第一辅助沟槽及第二辅助沟槽，可增加热管内工作流体的蓄含量及毛细力。
  • 热管
  • [发明专利]沟槽结构半导体装置-CN201210435227.X有效
  • 鸟居克行 - 三垦电气株式会社
  • 2006-12-11 - 2013-01-30 - H01L29/08
  • 本发明涉及沟槽结构半导体装置。IGBT的半导体装置（1）具有内侧沟槽（2a）和外侧沟槽（2b）。与各沟槽（2a、2b）相邻地设置有发射极区域（3）。与发射极区域（3）以及各沟槽（2a、2b）相邻地设置P型基极区域（4）。与内侧沟槽（2a）相邻地设置第一N型基极区域（31）。与外侧沟槽（2b）和第一N型基极区域（31）相邻地设置杂质浓度比第一N型基极区域（31）低的第二N型基极区域（32）。在施加过电压时，在内侧沟槽（2a）的附近发生击穿，电流的集中被缓和，防止IGBT的破坏。
  • 沟槽结构半导体装置
  • [发明专利]沟槽结构半导体装置-CN200680046922.X有效
  • 鸟居克行 - 三垦电气株式会社
  • 2006-12-11 - 2008-12-24 - H01L29/78
  • 本发明涉及沟槽结构半导体装置。IGBT的半导体装置(1)具有内侧沟槽(2a)和外侧沟槽(2b)。与各沟槽(2a、2b)相邻地设置有发射极区域(3)。与发射极区域(3)以及各沟槽(2a、2b)相邻地设置P型基极区域(4)。与内侧沟槽(2a)相邻地设置第一N型基极区域(31)。与外侧沟槽(2b)和第一N型基极区域(31)相邻地设置杂质浓度比第一N型基极区域(31)低的第二N型基极区域(32)。在施加过电压时，在内侧沟槽(2a)的附近发生击穿，电流的集中被缓和，防止IGBT的破坏。
  • 沟槽结构半导体装置
  • [发明专利]半导体结构及半导体结构形成方法-CN201910859619.0在审
  • 陶大伟 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2019-09-11 - 2021-03-12 - H01L27/108
  • 其中所述半导体结构，包括：衬底；设置于所述衬底内的多个第一沟槽；由所述第一沟槽隔开的多个有源区；穿过所述有源区的第二沟槽；位于所述衬底上表面的介电层；窗口，穿透所述介电层与所述衬底相连接，并设置在相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间，且所述窗口在所述衬底上表面的投影面积大于等于相邻二个所述第一沟槽和相邻二个所述第二沟槽之间有源区的尺寸。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]一种沟槽型半导体功率器件及版图-CN202310582449.2在审
  • 刘坚;蔡金勇 - 杭州芯迈半导体技术有限公司
  • 2023-05-19 - 2023-08-18 - H01L29/78
  • 本申请公开了一种沟槽型半导体功率器件及版图，包括：第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于衬底第一表面；源沟槽结构，位于外延层内部，为圆环形；栅沟槽结构，位于外延层内部，为圆环形，源沟槽结构和栅沟槽结构相互分离且交替排列；桥沟槽结构，位于外延层内部，桥沟槽结构跨接于相邻的两个栅沟槽结构之间，穿过相邻的两个栅沟槽结构之间的源沟槽结构，将源沟槽结构切割成若干个源沟槽弧段，源沟槽弧段的端部与桥沟槽结构具有间隔；第二掺杂类型的基区，设置于相邻的源沟槽结构和栅沟槽结构之间；第一掺杂类型的源区，设置于基区中；栅金属层，与栅沟槽结构连接；源金属层，与源沟槽结构和源区连接，源金属层和栅金属层相互分离。
  • 一种沟槽半导体功率器件版图
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