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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN202280016726.7在审
发明人：山田拓弥;野口晴司;樱井洋辅;浜崎竜太郎;尾崎大辅 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管具备：基区，其设置于发射区与漂移区之间；蓄积区，其设置于基区与漂移区之间，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；栅极沟槽部，其从半导体基板的上表面设置到比蓄积区更靠下方的位置为止；以及下端区域，其与栅极沟槽部的下端接触而设置，蓄积区具有掺杂浓度在深度方向上呈现最大值的第一浓度峰，第一浓度峰与下端区域之间在深度方向上的距离比第一浓度峰与基区之间在所述深度方向上的距离小。
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]半导体装置-CN202211675712.4在审
发明人： 樱井洋辅;山野彰生;野口晴司;浜崎竜太郎;山田拓弥;尾崎大辅 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，降低半导体装置的导通损耗。与栅极沟槽部接触的两个台面部中的一个台面部是掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度的第一导电型的发射区与栅极沟槽部接触地配置的有源台面部，与栅极沟槽部接触的两个台面部中的另一个台面部是不具有发射区的虚设台面部，虚设台面部与发射电极之间的电阻即虚设接触电阻是有源台面部与发射电极之间的电阻即有源接触电阻的1000倍以上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201980011408.X有效
发明人：尾崎大辅;兼武昭德;白川彻;樱井洋辅 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备设置有晶体管部的半导体基板，晶体管部中的半导体基板具备：第一导电型的漂移区、设置于漂移区与半导体基板的上表面之间且掺杂浓度高于漂移区的第一导电型的积累区、设置于半导体基板的下表面与漂移区之间的第二导电型的集电区、以及从半导体基板的上表面起设置到比积累区深的位置并在半导体基板的上表面沿预先设定的延伸方向延伸而设置且沿与延伸方向正交的排列方向排列的多个栅极沟槽部和多个虚设沟槽部，晶体管部具有包括栅极沟槽部的第一区域和在排列方向上的单位长度内配置的虚设沟槽部的数量比第一区域多的第二区域。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及制造方法-CN202280007098.6在审
发明人：野口晴司;浜崎竜太郎;尾崎大辅;樱井洋辅;山田拓弥 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置(100)，其具备：第一导电型的发射区(12)，其与栅极沟槽部(40)接触；第二导电型的接触区(15)，其在栅极沟槽部的长度方向上与发射区交替地配置；第一沟槽接触部(54-1)，其设置到接触区的内部；第二沟槽接触部(54-2)，其设置到发射区的内部；第二导电型的第一插塞部(201)，其被设置为与第一沟槽接触部的下端接触，且浓度比基区的浓度高；以及第二导电型的第二插塞部(202)，其被设置为与第二沟槽接触部的下端接触，并设置到比第一插塞部更靠下表面侧的位置，且浓度比基区的浓度高。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202180072875.0在审
发明人：伊仓巧裕;野口晴司;樱井洋辅;浜崎竜太郎 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，具备晶体管部，所述半导体装置具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；多个沟槽部，其从半导体基板的正面延伸至漂移区；第一导电型的发射区，其设置为在半导体基板的正面，从多个沟槽部中的沟槽部延伸至相邻的沟槽部，并且掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度；以及第二导电型的沟槽底部，其设置于沟槽部的下端，晶体管部在俯视时具有不设置沟槽底部的电子通过区。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202180072400.1在审
发明人：伊仓巧裕;野口晴司;樱井洋辅;浜崎竜太郎 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：有源部，其具有晶体管部和二极管部；以及耐压结构部，其设置在有源部的外周，晶体管部具有：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的基区，其设置在漂移区的上方；沟槽部，其从半导体基板的正面延伸至漂移区；以及第二导电型的沟槽底部，其设置在沟槽部的下端，在俯视时，二极管部设置在靠近耐压结构部的晶体管部与耐压结构部之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202180046974.1在审
发明人：尾崎大辅;野口晴司;樱井洋辅;浜崎竜太郎;山田拓弥;伊仓巧裕 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-10-04 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备半导体基板，半导体基板具有有源部、外周阱区和沟槽部，有源部具有中央部和包围中央部的外周部，中央部具有第一导电型的发射区，中央部具有遍及至少两个沟槽部的底部而设置的第二导电型的有源侧底部区域，外周部具有与外周阱区电连接且朝向有源侧底部区域且设置于沟槽部的底部的第二导电型的外周侧底部区域，有源侧底部区域和外周侧底部区域分开地设置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN202180030559.7在审
发明人：小宫山典宏;野口晴司;伊仓巧裕;樱井洋辅;原田祐一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具备如下注入工序：从半导体基板的注入面向第一注入位置注入第一导电型的第一掺杂剂，在注入第一掺杂剂后，从半导体基板的注入面向距注入面的距离比第一注入位置距注入面的距离更大的第二注入位置注入第一导电型的第二掺杂剂。第一注入位置和第二注入位置可以配置在缓冲区。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体装置-CN202180030568.6在审
发明人：内田美佐稀;吉村尚;泷下博;谷口竣太郎;野口晴司;樱井洋辅 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具备：缓冲区，其掺杂浓度比体施主浓度高；第一低浓度氢峰，其配置于缓冲区；第二低浓度氢峰，其在缓冲区配置在比第一低浓度氢峰更靠近下表面的位置；高浓度氢峰，其在缓冲区配置在比第二低浓度氢峰更靠近下表面的位置，并且氢化学浓度比所述第二低浓度氢峰高；平坦区，其包括第一低浓度氢峰与第二低浓度氢峰之间的区域、以及设置有第二低浓度氢峰的区域，所述平坦区的掺杂浓度高于体施主浓度，并且掺杂浓度的平均值是第二低浓度氢峰与高浓度氢峰之间的掺杂浓度的极小值以下。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202180030596.8在审
发明人：原田祐一;野口晴司;小宫山典宏;伊仓巧裕;樱井洋辅;铃木启久 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；以及第一导电型的缓冲区，其设置在漂移区与半导体基板的下表面之间，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高，缓冲区具有配置在半导体基板的深度方向上的不同位置的两个以上的氦化学浓度峰。各个氦化学浓度峰的半峰全宽可以为1μm以下。各个氦化学浓度峰可以注入4He而形成。
半导体装置

[发明专利]半导体装置和制造方法-CN202210347147.2在审
发明人： 樱井洋辅;野口晴司;吉村尚;泷下博;内田美佐稀 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置和制造方法，在深度方向上较长地形成高浓度区。半导体装置设置有IGBT，并具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且整体地分布有体施主；氢峰，其氢化学浓度示出极大值，并包含在深度方向上距半导体基板的下表面25μm以上而配置的顶点、氢化学浓度从顶点朝向上表面减小的上侧拖尾、以及氢化学浓度从顶点朝向下表面且比上侧拖尾平缓地减小的下侧拖尾；以及第一高浓度区，其施主浓度高于体施主浓度且包含从氢峰的顶点朝向上表面延伸4μm以上的区域。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202180005621.7在审
发明人：原田祐一;野口晴司;小宫山典宏;伊仓巧裕;樱井洋辅 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置于基区的上方；多个沟槽部，其在半导体基板的正面侧沿预先确定的排列方向排列；沟槽接触部，其在多个沟槽部中的相邻的两个沟槽部之间，设置于半导体基板的正面侧；以及第二导电型的接触层，其设置于沟槽接触部的下方，且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高，沟槽接触部的下端比发射区的下端深，在沟槽接触部的侧壁，发射区与接触层接触。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法及具备半导体装置的电力变换装置-CN202180005055.X在审
发明人：加藤由晴;樱井洋辅;野口晴司;吉村尚 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：设置有漂移区的半导体基板；配置于漂移区与下表面之间，并且掺杂浓度分布具有3个以上的浓度峰的缓冲区；以及配置于缓冲区与下表面之间的集电区，缓冲区中的3个以上的浓度峰包括：第一浓度峰，距离下表面最近；第二浓度峰，以仅次于第一浓度峰的方式接近下表面，且被配置为在深度方向上距离下表面为5μm以上，第二浓度峰的掺杂浓度比第一浓度峰的掺杂浓度低且第二浓度峰的掺杂浓度小于1.0×1015/cm3；以及高浓度峰，被配置为比第二浓度峰更远离下表面，且高浓度峰的掺杂浓度比第二浓度峰的掺杂浓度高。
半导体装置制造方法具备电力变换

[发明专利]半导体装置-CN202080017821.X在审
发明人： 樱井洋辅;小野泽勇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的蓄积区，其设置于基区与漂移区之间，且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；以及电场缓和区，其设置于基区与蓄积区之间，且掺杂浓度比蓄积区的掺杂浓度的峰低，电场缓和区与蓄积区之间的边界为蓄积区的峰的半值位置，电场缓和区的积分浓度为5E14cm‑2以上且5E15cm‑2以下。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080011718.4在审
发明人：大井幸多;伊仓巧裕;樱井洋辅;北村睦美;小野泽勇一;加藤由晴;安喰彻 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；以及第一导电型的缓冲区，其设置于漂移区与半导体基板的下表面之间，并在半导体基板的深度方向上具有3个以上的掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的浓度峰，3个以上的浓度峰包含：最浅峰，其最接近半导体基板的下表面；高浓度峰，其配置于比最浅峰更远离半导体基板的下表面的位置；以及低浓度峰，其配置于比高浓度峰更远离半导体基板的下表面的位置，且掺杂浓度为高浓度峰的掺杂浓度的1/5以下。
半导体装置

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