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[发明专利]沟槽式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法-CN201811012844.2有效
发明人：蔡政原 -专利权人：力智电子股份有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法。一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管包括衬底、多个沟槽电极结构、多个绝缘结构以及接触栓。衬底具有多个沟槽。沟槽电极结构分别配置于沟槽中。绝缘结构分别配置于沟槽中且位于沟槽电极结构上，每一个绝缘结构包括绝缘柱及多个间隙壁，绝缘柱的顶面高于衬底的顶面，间隙壁紧邻绝缘柱且设置于衬底的顶面上。接触栓配置于相邻的沟槽间的衬底中，相邻的绝缘结构的间隙壁定义接触栓的位置。
沟槽栅极半场晶体管及其制造方法

[发明专利]沟槽填充结构及其制备方法-CN201811195965.5有效
发明人：肖亮;董金文;陈赫 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种沟槽填充结构及其制备方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底内形成沟槽结构，所述沟槽结构包括若干个第一沟槽，相邻第一沟槽之间有第二沟槽，相邻第一沟槽和第二沟槽之间相互连通，且沿垂直于所述第一沟槽和所述第二沟槽排列方向上，所述第一沟槽具有第一尺寸，所述第二沟槽具有第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸，沿平行于所述第一沟槽和所述第二沟槽排列方向上，所述第一沟槽具有第三尺寸，所述第三尺寸大于所述第二尺寸；在所述沟槽结构内沉积填充材料，直至所述第二沟槽被完全填充满，在所述沟槽结构内形成沟槽填充结构。所述方法避免了形成的沟槽填充结构中存在有空洞。
沟槽填充结构及其制备方法

[实用新型]一种电子烟壳体以及电子烟-CN202220338029.0有效
发明人：朱逢园;姚秀良 -专利权人：东莞市昌瀚科技有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： A24F40/40 文献下载
摘要：本申请提出一种电子烟壳体以及电子烟，其中，电子烟壳体的外表面开设有多条第一沟槽和多条第二沟槽，任意两条相邻的第一沟槽平行且间隔设置，任意两条相邻的第二沟槽平行且间隔设置；每一条第一沟槽与至少两条第二沟槽交叉排布，每一条第二沟槽与至少两条第一沟槽交叉排布；多条第一沟槽和多条第二沟槽在电子烟壳体的外表面分隔出多个相互间隔的凸点，在多个凸点的装饰下，电子烟壳体的表面形成颗粒感的外观，美观较好。
一种电子壳体以及

[发明专利]半导体装置及电力变换装置-CN201780024258.7有效
发明人：足立亘平;菅原胜俊;福井裕;田中梨菜;小西和也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明在具有沟槽栅的半导体装置中，具备：第二导电类型的沟槽底部保护层，与设置于第一导电类型的半导体层的沟槽的底部相接；以及第一导电类型的耗尽化抑制层，设置于相邻的沟槽底部保护层之间，耗尽化抑制层包括直至相邻的沟槽底部保护层为止的水平方向的距离相等的中间点，耗尽化抑制层被形成为与沟槽及沟槽底部保护层均不接触的大小，其杂质浓度被设定得高于半导体层的杂质浓度。
半导体装置电力变换

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201410129090.4在审
发明人：宋化龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：其中，半导体器件包括设置于衬底内的浅沟槽，以及设置于浅沟槽内的隔离介质层，在相邻浅沟槽之间的衬底上形成突出于衬底上表面的突出部，突出部采用半导体材料形成。该制作方法包括：提供衬底；在衬底内形成浅沟槽；在浅沟槽中形成上表面高于衬底上表面的隔离介质层；在相邻的浅沟槽之间衬底的表面上形成突出于衬底上表面的突出部，突出部采用半导体材料形成。本申请通过在相邻浅沟槽隔离结构之间的衬底上形成由半导体材料构成的突出部，增加了沟道宽度，从而提高了半导体器件的驱动电流。
半导体器件及其制作方法

[实用新型]镶钉雪地载重子午线轮胎胎面花纹结构-CN202120445607.6有效
发明人：杨庆华;吴蕾;吴桂忠;崔淑芳;李士建 -专利权人：青岛艾尔金智能科技有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： B60C11/03 文献下载
摘要：其技术方案为：包括中央花纹块、肩部花纹块、花纹沟底加强筋和防滑钉；相邻中央花纹块由中央横向花纹沟槽隔开，相邻两肩部花纹块由肩部横向花纹沟槽隔开，相邻两花纹沟槽之间的相邻中央花纹块间及中央花纹块和肩部花纹块间由纵向花纹沟槽连接；中央横向花纹沟槽和肩部横向花纹沟槽的沟底内均设置有花纹沟底加强筋；中央横向花纹块设置有锯齿形钢片沟槽一，肩部花纹块设置有锯齿形钢片沟槽二；中央横向花纹块和肩部横向花纹块均设置有防滑钉。
雪地载重子午线轮胎花纹结构

[发明专利]磁性元件及制作方法-CN202210094585.2在审
发明人：汤磊;夏莉;吉修涛;张广权;陈进华 -专利权人：上海盘毂动力科技股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01F7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性元件，包括多个磁性单元，所述多个磁性单元依次排列，相邻所述磁性单元之间设置有沟槽和连接部，所述沟槽用于阻隔涡流路径，所述连接部连接所述相邻磁性单元，所述连接部与所述沟槽相接并阻断所述沟槽完全贯穿相邻所述磁性单元之间，所述连接部与所述磁性单元材质相同且两者一体成型，省略了叠合和粘结工序，有效提升所述磁性元件的生产效率，同时保证所述磁性元件具有相应结构强度的前提下，具备阻隔涡流路径的所述沟槽，进而实现可实施性和提升适用性
磁性元件制作方法

[发明专利]一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法与应用-CN202210231554.7在审
发明人：温正欣;和巍巍;汪之涵;张学强;喻双柏 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法与应用，所述沟槽型碳化硅MOSFET器件从下到上依次包括n型碳化硅衬底、n型掺杂外延层、n型电流传输层；所述n型电流传输层顶部两侧分别设有p型基区，在所述p型基区内侧设有相邻的双沟槽，所述相邻的双沟槽中间从上而下依次设有n型源区和p型沟道区；所述相邻的双沟槽内部均从上而下依次填充栅极和分裂栅，且所述栅极和所述分裂栅之间通过介质层隔开。
一种沟槽碳化硅 mosfet 器件及其制造方法应用

[实用新型]屏蔽栅MOSFET器件的终端结构-CN202222327079.1有效
发明人：余强;姚鑫;孙健 -专利权人：深圳利普芯微电子有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种屏蔽栅MOSFET器件的终端结构，包括：衬底；有源区栅极沟槽和终端分压环沟槽，设置在衬底上，其中，有源区栅极沟槽包括多个依次间隔排列的第一有源区栅极沟槽和第二有源区栅极沟槽，第二有源区栅极沟槽与终端分压环沟槽相连，且终端分压环沟槽具有弯曲部分；栅极接触孔；源极接触孔，设置于相邻的有源区栅极沟槽之间的衬底以及相邻的有源区栅极沟槽与终端分压环沟槽之间的衬底；终端分压环沟槽源极接触孔；终端截止环沟槽。通过设置有源区栅极沟槽与终端分压环沟槽相连，使得二者之间呈现出环绕的电场，由于距离和结构的一致性，该区域电场能够得到优化，进而实现了电场均匀稳定且保证了器件终端的耐压需求。
屏蔽 mosfet 器件终端结构

[发明专利]一种柔性垂直高密度聚乙烯膜防渗模块及使用方法-CN201910272003.3在审
发明人：潘浙豪;王治江;沈旺;经倩楠;姜翠;刘俊良;王春宝;许力泳;姜东松 -专利权人：合禾环境科技(天津)有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： E02D31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性垂直高密度聚乙烯膜防渗模块及使用方法，单面垂直防渗墙安装：在设定区域外围挖一条沟槽；将多块防渗模块Ⅰ吊于沟槽中，每块防渗模块Ⅰ一侧的立支撑Ⅰ分别插入相邻一块防渗模块Ⅰ的立支撑Ⅰ中；矩形面垂直防渗墙安装：在设定区域外围挖一条矩形沟槽；将多块防渗模块Ⅰ吊于四条沟槽中连接好，将矩形沟槽直角处相邻的一条沟槽中一块防渗模块Ⅰ换成防渗模块Ⅱ，防渗模块Ⅱ一侧立支撑Ⅱ插入相邻一块防渗模块Ⅰ的立支撑Ⅰ中，将防渗模块Ⅱ另一侧立支撑Ⅱ插入相邻的一块防渗模块Ⅰ的立支撑Ⅰ中；在多块立支撑连接处构成的内腔中填入耐水密封材料；用复合膨润土灰浆填满沟槽中多块防渗模块的缝隙中；整体结构简单便于施工组合。
防渗立支撑多块垂直高密度聚乙烯膜矩形沟槽外围复合膨润土密封材料矩形面内腔中直角处灰浆耐水填满填入施工

[发明专利]一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构-CN201711408786.0在审
发明人：井亚会;戚丽娜;俞义长;张景超;林茂;刘利峰;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0.6um，所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔，所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距0.2um，相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接，相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。本发明通过沟槽以及发射极接触孔的版图设计使得元胞尺寸缩小，沟道密度增加，从而电流密度大大提高，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小，从而成本降低，同时整个设计的余量也会更加充分。
一种电动汽车 igbt mosfet 版图结构

[发明专利]一种探测器-CN202110937946.0在审
发明人：刘曼文;李志华;成文政 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请公开了一种探测器，包括：半导体基体、柱状电极和沟槽电极，其中，柱状电极阵列排布在半导体基体内，且与半导体基体的第一表面垂直；沟槽电极至少包括多个平行的第一沟槽电极，各第一沟槽电极和各排柱状电极在半导体基体内交替排布；柱状电极的掺杂类型和沟槽电极的掺杂类型相反。可见，在该探测器中，各排柱状电极和其相邻的第一沟槽电极，以及介于两者之间的半导体基体，形成类似PIN结的结构，从而在各排柱状电极和其相邻的第一沟槽电极之间加反向偏压后，使得各排柱状电极和其相邻的第一沟槽电极之间的电场分布更加均匀
一种探测器

[发明专利]近海排水口的施工方法-CN202210394161.8在审
发明人：陈健 -专利权人：中国港湾工程有限责任公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： E03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种近海排水口的施工方法，包括：确定近海域水下管道沟槽开挖区域；在水下管道沟槽开挖区域两侧均填筑堤坝；所述堤坝填筑预设长度后，封堵两侧堤坝之间的端头和预设长度处形成围堰，抽排所述围堰中的海水；开挖水下管道沟槽；当相邻两围堰中均完成水下管道沟槽开挖作业，将分隔相邻两围堰的封堵处挖开，使相邻两围堰中的水下管道沟槽连通；当水下管道沟槽长度达到设计长度时，将预先连接好的管道下入水下管道沟槽内的管道座中，在管道上方压载n形砼块；在水下管道沟槽内分层填筑不同的填料；拆除堤坝。
近海排水口施工方法

[发明专利]高速传输卡缘连接器-CN201310080363.6无效
发明人：王朝梁 -专利权人：昆山宏泽电子有限公司
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01R13/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速传输卡缘连接器，具有绝缘本体、若干上导电端子和若干下导电端子，绝缘本体上具有若干上端子沟槽和若干下端子沟槽，上导电端子固持于上端子沟槽，下导电端子固持于下端子沟槽，构成上端子沟槽的两侧壁之间不等宽，构成下端子沟槽的两侧壁之间不等宽，沟槽较窄部分可以有效防止端子摆动翻转，沟槽较宽部分使得相邻端子间存在大量空隙区域，使相邻端子间绝缘介质由原来的单一均匀介质而变为不均匀，由于大量空隙存在且绝缘介质介电系数与空隙中空气介电系数不同，而使相邻端子间的总体介质属性发生变化引起相应的电容效应也发生变化，从而达到在保证端子不晃动偏转的情况下改善特性阻抗的目的，满足高速数字传输所需。
高速传输连接器

[实用新型]一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构-CN201721818444.1有效
发明人：井亚会;戚丽娜;俞义长;张景超;林茂;刘利峰;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0.6um，所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔，所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距0.2um，相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接，相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。本实用新型通过沟槽以及发射极接触孔的版图设计使得元胞尺寸缩小，沟道密度增加，从而电流密度大大提高，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小，从而成本降低，同时整个设计的余量也会更加充分。
发射极接触孔电动汽车同一列断开本实用新型版图结构相邻两列晶体管技术版图设计尺寸缩小错位设置横向连接间隔设置密度增加中间设置沟道减小元胞芯片重复