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[发明专利]一种电主轴热漂移的控制装置、补偿方法及划片机-CN201110377546.5有效
发明人：王明权;贾月明;李战伟;周建生 -专利权人：北京中电科电子装备有限公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种电主轴热漂移的控制装置、补偿方法及划片机，其中，控制装置包括：温度控制模块，用于对高速运转的电主轴进行冷却；热漂移补偿模块，用于获得冷却后的电主轴产生的热漂移量，并根据所述热漂移量对所述电主轴进行补偿本发明的方案可以在划片机切割晶圆时对电主轴进行高效冷却，并通过划片机上配置的PC对电主轴热漂移进行补偿。
一种主轴漂移控制装置补偿方法划片

[发明专利]基于热建模的热漂移校正-CN202211612347.2在审
发明人： H·范鲁芬;E·弗舒伦;R·拉默斯;T·范登奥特拉;M·维尔海恩;M·范文斯芬 -专利权人： FEI 公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：基于热建模的热漂移校正。本发明涉及一种减少显微系统中样本和/或其图像的漂移的方法，其中所述方法包括确定所述样本的预期热漂移，以及基于所述预期热漂移而补偿所述样本和/或其图像的所述漂移。
基于建模漂移校正

[发明专利]一种卧式数控车床的主轴径向热漂移误差建模及补偿方法-CN201711075362.7有效
发明人：刘阔;王永青;刘海波;李特;刘海宁;厉大维 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G05B19/404 文献下载
摘要：本发明提供一种卧式数控车床的主轴径向热漂移误差建模及补偿方法，属于数控机床误差补偿领域。先测试数控车床主轴沿径向的两点热漂移误差及对应的关键点温度；再基于主轴的热倾斜变形机理获取主轴的热倾角，并分析热倾角与主轴箱左右两侧温度差的相关性。根据被测两点的热漂移误差的正负及主轴箱左右侧伸长或缩短的情况，将主轴热变形情况进行分类并建立各种热变形姿态下的热漂移误差模型。然后分析机床结构尺寸对模型预测结果的影响。在实时补偿时，根据关键点的温度自动判断主轴的热变形姿态，并自动选择相应的热漂移误差模型对主轴进行补偿。该方法实现加工过程中数控车床主轴热变形姿态的判别，并热变形机理实现对主轴径向热漂移误差的预测。
一种卧式数控车床主轴径向漂移误差建模补偿方法

[发明专利]LDMOS器件及其制作方法-CN201410065295.0在审
发明人：蒲贤勇;马千成;程勇;曹国豪 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该LDMOS器件包括：半导体衬底；设置于半导体衬底中的体区和漂移区；设置于半导体衬底上的栅极；设置于漂移区中的漏极；其中，漂移区还包括阻挡漂移区热载流子漂移的漂移阻挡部。本申请在漂移区设置的漂移阻挡部能阻挡热载流子向栅极方向漂移，不但能降低栅极下方的电场强度，而且使最强电场发生的位置向下移动从而远离栅极的栅氧化层。电场强度的降低，提高了漂移区的击穿电压、减少了碰撞电离的发生，即减少了热载流子产生的数量；又由于最强电场的位置下移，到达栅氧化层的距离增加，使实际作用于栅氧化层的热载流子数量减少，从而最终实现了阻碍热载流子作用的效果
ldmos 器件及其制作方法

[发明专利]一种数控机床半闭环进给轴的原点热漂移误差测试及建模方法-CN201710311176.2有效
发明人：刘阔;刘海波;李特;王永青;贾振元;郭东明 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： G05B19/404 文献下载
摘要：本发明公开了一种数控机床半闭环进给轴的原点热漂移误差测试及建模方法，属于数控机床误差补偿领域。该方法包括以下步骤：采用激光干涉仪和温度传感器按照特定的测量方式得到进给轴的原点热漂移误差及相应的关键点温度；基于传热理论预测丝杠在原点位置的实时温度；在分析半闭环进给轴原点热漂移误差成因的基础上，建立原点热漂移误差与主要温度变量的关系模型试验结果表明，原点热漂移误差的预测及补偿效果良好。本发明所用的特定测试方法效率高，模型的预测精度高，热漂移误差的在线计算速度快，解决了数控机床半闭环进给轴的原点热漂移误差这一重要类型误差的补偿问题。
一种数控机床闭环进给原点漂移误差测试建模方法

[发明专利]一种考虑温度影响的压阻式压力传感器设计方法-CN202111078457.0在审
发明人：郝文昌;郝玉涛;韩东祥;杨健;许姣;赵广宏;尹玉刚 -专利权人：北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明提供一种考虑温度影响的压阻式压力传感器设计方法，引入压敏电阻的热零点漂移和热灵敏度漂移进行全温区性能分析，便于进行后续有效温度补偿；热零点漂移和热灵敏度漂移的获得方法为：通过将不同掺杂浓度下电阻率与温度的变化关系、不同掺杂浓度下压阻系数与温度的变化关系输入至有限元软件COMSOL中构建的压阻式压力传感器结构模型中，解算得到静态输出特性曲线和温度漂移特性曲线，并最终得到热零点漂移和热灵敏度漂移。
一种考虑温度影响压阻式压力传感器设计方法

[发明专利]用于测量干涉仪热漂移系数的温控箱、测量系统和方法-CN201110053279.6无效
发明人：王珍媛;张志平;吴萍;张晓文;池峰 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2011-03-07 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G01B9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于测量干涉仪热漂移系数的温控箱、干涉仪热漂移系数的测量系统和干涉仪热漂移系数的测量方法，所述用于测量干涉仪热漂移系数的温控箱，包括：箱体、加热装置、用于承载干涉仪的微晶玻璃和测量反射镜达到了精确、方便地得到干涉仪热漂移系数η的目的。
用于测量干涉仪漂移系数温控系统方法

[发明专利]一种星敏感器温场测量和指向温漂补偿方法-CN201810461071.X有效
发明人：郝云彩;余成武;陈建峰;梁士通 -专利权人：北京控制工程研究所
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：一种星敏感器温场测量和指向温漂补偿方法，包括步骤如下：一，计算得到若干组在星敏感器在设定工作温度场分布下的光轴漂移量和热离焦量；二，根据步骤一计算结果，确定能够敏感到光轴漂移量和热离焦量的最少的测温点数量和测温点分布；三，根据步骤一所建模型和步骤二确定的测温点布局预设若干加热器，并计算分析确定控温点数量和分布；四，得到若干相似温度场样本区域的光轴漂移量和热离焦量数学拟合公式，解算出温度场变化当前值的光轴漂移量和热离焦量；五，通过温场试验标定对步骤四的光轴漂移量和热离焦量数学拟合公式进行校正；六，计算星敏感器光轴指向的测量数据补偿量。本发明降低了星敏感器光轴热漂移带来的低频率误差。
离焦量漂移量光轴星敏感器测温点星敏感器光轴指向数学拟合温场测量温漂补偿加热器温度场变化温度场分布测量数据计算分析样本区域补偿量低频率控温点热漂移温度场标定解算温场预设校正试验

[发明专利]一种用于测量干涉镜组热漂移系数的测量系统和方法-CN201810007423.4在审
发明人：付海金;吴国龙;胡鹏程;丁雪梅 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G01M11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于测量激光干涉镜组热漂移系数的测试系统，包括：真空腔、热辐射结构、隔热基板、热辐射器、激光干涉镜组、薄膜式温度传感器、真空法兰盘、真空阀、真空管、真空泵、热辐射器控制系统、温度采集系统、光学窗、导光原件、激光器、光电探测器和位移测量系统、气压传感器和气压表，该系统可以有效地解决空气折射率误差干扰激光干涉镜组热漂移系数测量的问题。另外，本发明还提供的一种用于测量激光干涉镜组热漂移系数的测试方法，该方法解决了热传递过程中激光干涉镜组的几何尺寸以及光学特性的变化滞后于环境温度的变化产生测量时刻温度数值与漂移数值不同步导致测量的热漂移系数不精确的问题
热漂移激光干涉干涉镜镜组测量激光热辐射器测量真空管位移测量系统温度采集系统漂移光电探测器空气折射率气压传感器热辐射结构温度传感器真空法兰盘测量系统测试系统隔热基板光学特性控制系统误差干扰系数测量激光器薄膜式光学窗气压表热传递有效地真空泵真空阀真空腔导光测试滞后

[发明专利]降低光刻投影物镜环境热效应影响的方法-CN201410729220.8在审
发明人：郭银章;刘国淦;朱立荣 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种降低光刻投影物镜环境热效应影响的方法，包括：步骤一、根据环境温度变化，计算该投影物镜的热折变焦面漂移与热变形焦面漂移以及总焦面漂移灵敏度三者值的大小和符号关系；步骤二、计算该投影物镜的单个镜片在环境温度变化下的热折变焦面灵敏度；步骤三、选择该单个镜片中热折变焦面灵敏度高且与该总焦面漂移灵敏度相反的镜片；步骤四、将该步骤三中的镜片替换为折射率温度系数相反的镜片。
降低光刻投影物镜环境热效应影响方法

[发明专利]DMOS器件及制造方法-CN201010227093.3有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-07-15 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种DMOS器件，其漂移区的横向杂质分布不均匀，且处于有源区的漂移区杂质浓度大于隔离氧化层下漂移区杂质浓度。本发明公开了一种DMOS器件的制造方法，包括步骤：在形成漂移区区域进行从高能量到低能量的多次离子注入；在形成隔离氧化层的区域进行硅刻蚀；形成隔离氧化层，对漂移区进行热推进。本发明公开了另一种的DMOS器件的制造方法，包括步骤：进行第一次离子注入形成一轻掺杂漂移区、形成隔离氧化层、对轻掺杂漂移区进行热推进；进行注入能量小于第一次离子注入的第二次离子注入；进行杂质热推进。
dmos 器件制造方法

[发明专利]检测红外辐射的器件、系统及读取电阻测辐射热计的方法-CN200910166834.9有效
发明人：奥利维耶·勒格拉;克里斯托夫·米纳西安 -专利权人： ULIS股份公司
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本发明的目标是一种检测红外辐射的器件、系统及读取电阻测辐射热计的方法，该器件包括电阻成像测辐射热计(140)。根据本发明，该器件包括：测量所述测辐射热计(140)的电阻相对于所述测辐射热计(140)的电阻的参考值的漂移的测量装置(16，38；16，24，38；16，140；16，24)，所述参考值对应于所述测辐射热计(140)的预定工作条件；以及校正所述漂移效应的校正装置(34)，或者校正电阻的所述漂移的校正装置。
检测红外辐射器件系统读取电阻辐射热方法

[发明专利]光热反射显微热成像装置、漂移修正方法及漂移修正装置-CN202010872416.8有效
发明人：刘岩;乔玉娥;邹学锋;刘霞美;丁晨 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本发明适用于图像处理领域和显微成像领域，提供了一种光热反射显微热成像装置、漂移修正方法及漂移修正装置，该装置包括：在原光热反射显微热成像装置上增加调制片和调光装置；所述调制片设置在所述原光热反射显微热成像装置中的准直透镜和分束器之间，且位于所述准直透镜的焦面上；所述调光装置设置在所述原光热反射显微热成像装置的光路上，用于使经所述调制片调制后的照明光不经被测样品表面直接在像面成像。由于采用的光热反射显微热成像装置中增加的调制片和调光装置，可以有效抑制光源强度漂移和相机响应度漂移对参考图像和待修正图像的采集，并且不需要对被测物温度进行调制，即可实现对静态目标的温度测量。
光热反射显微成像装置漂移修正方法

[实用新型]一种变温热解析装置-CN202223373610.5有效
发明人：张加强;刘惠强;王海滨;孙刚;李玉红 -专利权人：上海新禾嘉楷科技有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01N27/622 文献下载
摘要：本实用新型涉及变温热解析装置技术领域，且公开了一种变温热解析装置，包括热解析装置，所述热解析装置为位于装置左侧，所述热解析装置的右侧设置有漂移管，所述漂移管位于装置最右侧，所述热解析装置和漂移管所间隔内部设置有采样片，所述热解析装置底端设置有光电传感器，所述采样片底端固定连接有底板，通过选用低功耗的MCH陶瓷加热片，为热解析加热装置，可实现短时间的区间变温，可短时间的区间变温，提升不同沸点样品的测试性能，通过设有简单的机械结构，实现热解析装置对不同物理状态样品进行分析的能力，同时实现固液气不同物理状态样品的进样，结构简单，功耗低。
一种温热解析装置

[发明专利]改善RFLDMOS击穿电压的工艺方法-CN201610674993.X有效
发明人：蔡莹;周正良 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善RFLDMOS击穿电压的工艺方法，在栅极形成之后，离子注入形成漂移区、沟道之前，增加一步N₂O的快速热退火。本发明在栅极刻蚀之后形成漂移区之前增加一步N₂O的快速热退火，使得硅和栅氧化硅之间轻微掺氮，改善了漂移区硅和氧化硅之间的表面态，电子能够更快达到平衡，从而获得更稳定的击穿电压。
改善 rfldmos 击穿电压工艺方法

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