专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2211534个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]寿命熔机-CN201120069574.6有效
  • 夏宇 - 深圳市恒力天科技有限公司
  • 2011-03-16 - 2011-12-21 - B29C65/18
  • 本实用新型公开了一种高寿命熔机,包括手柄,所述手柄前端连接有铝制机体盒,在铝制机体盒内插装有塑料内盒,所述铝制机体盒前端依次连接有带孔透气窗和发热板,位于塑料内盒内设有温控模块,在手柄尾部内设有可控硅,所述发热板内设有发热件,所述温控模块通过电线穿过透气窗与发热板内的发热件连接,其中,所述铝制机体盒与透气窗之间还设有石棉和电木,本实用新型当熔机工作时,极大的降低了塑料内盒内的热量,防止了塑料内盒内部元件由于过热而工作不稳定甚至损坏,有效地提高了产品的使用寿命
  • 寿命热熔机
  • [发明专利]一种预测SOI MOSFET器件可靠性寿命的方法-CN201110322634.5有效
  • 黄如;杨东;安霞;张兴 - 北京大学
  • 2011-10-21 - 2013-04-24 - G01R31/26
  • 一种预测SOI MOSFET器件可靠性寿命的方法。在不同的测试台温度下测量SOI MOSFET器件栅电阻随温度变化关系;在不同的测试台温度下对SOI MOSFET器件进行加速寿命试验,得到表征器件寿命的参数随着应力时间的退化关系,以及该参数退化至10%时的存在自影响的寿命;利用测得的自温度和阿伦尼斯模型对测得的器件寿命进行自修正,得到不含自温度对寿命影响的本征寿命;对自引起的漏端电流变化进行自修正;对载流子引起的碰撞电离率进行自修正;对偏置条件下SOI MOSFET器件的工作寿命进行预测。本发明除去了在实际的逻辑电路或AC的模拟电路中SOI MOSFET器件不会存在自热效应对寿命预测的影响,使得预测的结果更加精确。
  • 一种预测soimosfet器件可靠性寿命方法
  • [发明专利]一种排气端低周疲劳寿命的预测模型建立方法-CN202211209745.X在审
  • 李相旺;邹雄才 - 东风汽车集团股份有限公司
  • 2022-09-30 - 2023-01-06 - G06F30/20
  • 本申请公开了一种排气端低周疲劳寿命的预测模型建立方法,包括以下步骤:根据发动机在不同功率下,设定不同排气端模型的边界条件;根据每个边界条件分别对排气端模型进行应力场分析,获得排气端的最大等效塑性应变增量的应变表单和最大等效塑性应变增量对应节点处的温度表单;根据排气端的最大等效塑性应变增量以确定排气寿命检核部件;基于温度表单中温度值分别对检核部件进行高温拉伸试验和冷热冲击循环试验,获得对应温度下寿命检核部件的材料的静态拉伸表单和测试寿命表单;根据静态拉伸表单、测试寿命表单和应变表单确定排气端的预测模型,从而预测排气端的疲劳寿命,便于对排气端的检修和更换周期进行合理设置。
  • 一种排气热端低周疲劳寿命预测模型建立方法
  • [发明专利]一种陶瓷焊柱阵列的疲劳寿命优化方法-CN202011173256.4有效
  • 董刚;李依依;郝飞飞;朱樟明;杨银堂 - 西安电子科技大学
  • 2020-10-28 - 2022-09-06 - G06F30/23
  • 本发明公开了一种陶瓷共栅阵列的疲劳寿命优化方法,主要解决现有CCGA疲劳寿命优化时间周期长和成本高的缺陷,其方案是:建立初始有限元模型,计算CCGA的疲劳寿命L;选取对CCGA疲劳寿命有影响的因素;将所选因素参数化,计算因素对CCGA疲劳寿命的灵敏度;选取高灵敏度因素作为关键因素;选取关键因素参数建立正交试验表;根据该试验表建立相应的有限元模型进行试验并处理,得到最优因素组合;计算最优因素组合下的CCGA疲劳寿命L';若L大于L',按照最优因素组合参数设计基于CCGA的SIP结构。本发明在设计层面提高了CCGA疲劳寿命,减小了时间周期和成本,可用于基于CCGA的SIP的结构设计。
  • 一种陶瓷阵列疲劳寿命优化方法
  • [发明专利]排气歧管疲劳寿命的检测方法-CN201611268281.4在审
  • 贺永刚;黄昌瑞;李振华;李志广;郑宗琦 - 华晨汽车集团控股有限公司
  • 2016-12-31 - 2017-06-13 - G06F17/50
  • 一种排气歧管疲劳寿命的检测方法,其技术要点是,包括以下步骤步骤1)通过发动机性能仿真软件GT‑Power创建发动机一维模型;步骤2)利用Hypermesh软件创建排气歧管内流场CFD网格模型;步骤3)利用CFD仿真软件Star CCM+得出排气歧管壁面换系数和流体温度分布;步骤4)将上一步得到的温度场数据映射到有限元分析软件Abaqus中;步骤5)将强度模型再次输入到有限元分析软件Abaqus中;步骤6)基于等效应变法,得到循环滞后曲线的平均应力和应变,判定排气歧管的危险区域;步骤7)利用Manson‑Coffin法得到危险区域疲劳寿命;步骤8)依据10%规律法Nf’=10%Nf将上一步骤得到的寿命进行缩放
  • 排气歧管疲劳寿命检测方法
  • [发明专利]确定载流子注入器件寿命的方法-CN201110401432.X有效
  • 唐逸;周伟;任铮 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2011-12-06 - 2012-06-13 - G01R31/26
  • 本发明提供了一种确定载流子注入器件寿命的方法,包括如下步骤:测量一器件在3个不同Vd下的Isub-Vg曲线与Id-Vg曲线;对于每一组Isub-Vg曲线和Id-Vg曲线,分别找出Isubmax值及Isubmax关系图分别用幂函数拟合得到拟合公式;根据拟合公式推导1组Vd工作电压条件下的Isubmax值和Id值、根据拟合公式推导3组HCI stress测试条件下的Isubmax值和Id值、和HCI stress测试得到的器件退化性能,通过寿命模型推出所述器件的最终寿命采用此发明方法可以利用较少的样品数进行MOS器件HCI寿命评估,又可以获得任一工作电压下地器件寿命,减少了评估成本、增加了评估的灵活性。
  • 确定载流子注入器件寿命方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top