“漏极电极”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1023132个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]隧道场效应晶体管-CN201280035798.2有效
发明人： K·E·莫斯伦德;P·斯坦利-马伯尔;A·C·多林;M·T·比约克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种隧道场效应晶体管（1），该隧道场效应晶体管包括至少源极区域（2），包括对应源极半导体材料；至少漏极区域（3），包括对应漏极半导体材料；以及在源极区域（2）与漏极区域（3）之间布置的至少沟道区域隧道场效应晶体管（1）还包括在源极区域（2）与沟道区域（4）之间的至少界面（5’）上提供的至少源极‑沟道栅极电极（5）；在源极‑沟道栅极电极（5）与在源极区域（2）与沟道区域（4）之间的至少界面（5’）之间提供的与源极‑沟道栅极电极（5）对应的至少绝缘体（5’’）；在漏极区域（3）与沟道区域（4）之间的至少界面（6’）上提供的至少漏极‑沟道栅极电极（6）；以及在漏极‑沟道栅极电极（6）与在漏极区域（3）与沟道区域（4）之间的至少界面（6）之间提供的与漏极‑沟道栅极电极（6）对应的至少绝缘体（6’’）。
隧道场效应晶体管

[实用新型]一种TFT阵列基板及液晶显示器-CN201120371170.2有效
发明人：谢振宇 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种TFT阵列基板及液晶显示器，涉及液晶面板的制造领域，可以减小漏极连接像素电极部分的尺寸，进而增大像素单元的开口率。该TFT阵列基板包括：基板；形成于所述基板上的栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源极、漏极，及形成于所述数据线、源极、漏极上的保护层，和形成于所述保护层上的像素电极，其中，所述栅极、源极、漏极和半导体有源层构成TFT，所述漏极包括漏极TFT区域和漏极与像素电极连接的漏极连接区域，所述保护层设有完全露出所述漏极连接区域的镂空槽，所述像素电极通过所述镂空槽与所述漏极连接区域连接。
一种 tft 阵列液晶显示器

[发明专利]阵列基板及其制备方法-CN202110766251.0在审
发明人：马涛;艾飞 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括基底、公共电极层、栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏极金属层，公共电极层设于基底上，栅极层设于公共电极层远离基底的一侧，栅极绝缘层覆盖栅极层和公共电极层，有源层设于栅极绝缘层远离基底的一侧，源漏极金属层设于有源层远离基底的一侧，源漏极金属层包括源极和漏极，源极和漏极之间形成沟道。本发明通过将设于层间介质层上的公共电极层移至基底上，由于公共电极层和源漏极金属层之间设有栅极绝缘层和栅极层，而栅极绝缘层的厚度较大，则能够减小公共电极层与源漏极金属层之间的电容，避免重载画面异常显示，有利于提升显示效果
阵列及其制备方法

[发明专利]有源矩阵基板和显示装置-CN201880037299.4有效
发明人：武田悠二郎;松木园广志;织田明博;村重正悟;田中耕平 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：各氧化物半导体TFT具有：下部栅极电极，其设置于基板上；栅极绝缘层，其覆盖下部栅极电极；氧化物半导体层，其配置于栅极绝缘层上；源极电极，其与氧化物半导体层的源极接触区域接触；漏极电极，其与氧化物半导体层的漏极接触区域接触；绝缘层，其覆盖氧化物半导体层、源极电极以及漏极电极；以及上部栅极电极，其设置于绝缘层上。当从基板的法线方向观看时，上部栅极电极与作为源极电极和漏极电极中的一方的第1电极不重叠，并且作为源极电极和漏极电极中的另一方的第2电极与下部栅极电极不重叠。
有源矩阵显示装置

[发明专利]氮化物基多通道开关半导体器件和其制造方法-CN202180004470.3在审
发明人：严慧;李思超;蔡定辉;李继华;陈钰林;章涛 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：所述多通道开关器件包括衬底、多个栅极结构、多个源极电极和多个漏极电极。所述栅极结构、源极电极和漏极电极被分组以形成所述多个晶体管，并且被布置成使得每个栅极结构安置在源极电极与漏极电极之间。所述漏极电极的每一组电互连并且连接到对应于晶体管中的每一者的至少一个漏极焊垫。所述源极电极的所有组电互连并且连接到至少一个共同源极焊垫。
氮化物基多通道开关半导体器件制造方法

[发明专利]集成组合件和集成存储器-CN202010275242.7在审
发明人： S·J·德尔纳;C·L·英戈尔斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：所述集成组合件具有第一晶体管，其位于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间的水平延伸的沟道区；具有第二晶体管，其具有位于第三源极/漏极区与第四源极/漏极区之间的垂直延伸的沟道区；且具有位于所述第一和第二晶体管之间的电容器所述电容器具有第一电极、第二电极，以及位于所述第一和第二电极之间的绝缘材料。所述第一电极与所述第一源极/漏极区电连接，且所述第二电极与所述第三源极/漏极区电连接。数字线与所述第二源极/漏极区电连接。导电结构与所述第四源极/漏极区电连接。
集成组合存储器

[发明专利]薄膜晶体管基板、显示面板及显示装置-CN201880005786.2有效
发明人：吉田昌弘 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管基板即阵列基板具有：TFT，其具有栅极电极、沟道部、源极电极、及漏极电极，该沟道部由半导体材料构成，相对于栅极电极经由栅极绝缘膜而在上层侧重叠，该源极电极与沟道部连接，该漏极电极在源极电极之间隔着间隔而与沟道部连接；以及遮光部，其相对于沟道部、源极电极及漏极电极，经由第1层间绝缘膜而配置在上层侧，该遮光部具有与沟道部重叠的第1遮光部、及与栅极电极、源极电极及漏极电极不重叠的第2遮光部，该第2遮光部在与TFT相邻的部分具有开口
薄膜晶体管显示面板显示装置

[发明专利]场效应晶体管-CN201780094262.0有效
发明人：渡边伸介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及的场效应晶体管具有：半导体基板；多个漏极电极，它们设置于半导体基板的第一面，在第一方向延伸；多个源极电极，它们与多个漏极电极彼此交替地排列；多个栅极电极，它们各自设置于多个源极电极和多个漏极电极之间；输入端子，其与多个栅极电极连接；输出端子，其与多个漏极电极连接；以及多个金属层，它们在半导体基板与第一面分离地设置，在与第一方向交叉的第二方向延伸，多个金属层包含第一金属层和第二金属层，该第二金属层比第一金属层长，从与第一面垂直的方向观察，相比于第一金属层，第二金属层与更多的漏极电极交叉，多个漏极电极中越是从输入端子至输出端子为止的线路长度短的漏极电极则在其正下方设置越多的金属层。
场效应晶体管

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法-CN201910320225.8在审
发明人：李朝 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括：基底层、设置在基底层上具有源极和漏极的源漏极层、设置在所述源漏极层上的平坦层、以及设置在所述平坦层上的像素电极层，其中所述平坦层上设置有第一过孔；其特征在于，所述漏极上设置有一开孔，所述开孔与所述第一过孔上下相通，所述像素电极层通过所述第一过孔以及所述开孔与所述漏极连接。通过在所述漏极中间设置所述开孔，所述像素电极层不止底部与所述漏极连接，所述像素电极层侧部分侧壁亦可通过所述开孔与所述漏极相连，可以有效的增大所述漏极与所述像素电极的接触面积，降低接触电阻，利于导通，亦可以有效降低因所述漏极表面氧化或有机光阻残留引起的接触不良
漏极开孔像素电极层阵列基板平坦层基底层源漏极制备降低接触电阻表面氧化接触不良器件特性上下相通像素电极中间设置侧壁导通源极残留

[发明专利]双沟道HEMT器件及其制造方法-CN201611052945.3有效
发明人： F·尤克拉诺;A·齐尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该HEMT器件包括：半导体主体，包括异质结结构；在半导体主体上的电介质层；栅极电极；漏极电极，面向栅极电极的第一侧；和源极电极，面向栅极电极的与第一侧相对的第二侧；辅助沟道层，其在异质结结构之上在栅极电极与漏极电极之间延伸，与漏极电极电接触并且与栅极电极相距一定距离，并且形成用于在源极电极与漏极电极之间流动的电荷载流子的附加导电路径。
沟道 hemt 器件及其制造方法

[实用新型]高电子迁移率晶体管HEMT器件-CN201621274262.8有效
发明人： F·尤克拉诺;A·齐尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该HEMT器件包括半导体主体，包括异质结结构；在半导体主体上的电介质层；栅极电极；漏极电极，面向栅极电极的第一侧；和源极电极，面向栅极电极的与第一侧相对的第二侧；辅助沟道层，其在异质结结构之上在栅极电极与漏极电极之间延伸，与漏极电极电接触并且与栅极电极相距一定距离，并且形成用于在源极电极与漏极电极之间流动的电荷载流子的附加导电路径。
电子迁移率晶体管 hemt 器件

[发明专利]显示装置-CN202110239830.X在审
发明人：李现范 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：显示装置包括：基板；晶体管，位于所述基板上，并包括栅极电极、沟道区域、源极区域以及漏极区域；第一绝缘层，位于所述晶体管上；漏极电极，通过形成于所述第一绝缘层的接触开口而接触于所述漏极区域；连接电极，位于所述漏极电极上，并且接触于所述漏极电极；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上，并与所述连接电极的上表面一同形成平行于所述基板的一个平坦面；像素电极，位于所述平坦面上，并与所述连接电极的上表面接触；发光层，位于所述像素电极上；以及公共电极，位于所述发光层上。
显示装置

[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置-CN202111646144.0在审
发明人：吴伟 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置；阵列基板包括：基板；数据线和扫描线，数据线和扫描线的数量为多个，数据线和扫描线交叉设置于基板上，相邻两数据线与相邻两扫描线在基板上限定形成像素区域；像素电极，设于像素区域；薄膜晶体管，设于像素区域；薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层和源漏极；栅电极设于基板上，栅极绝缘层覆盖于栅电极，半导体层对应栅电极设于栅极绝缘层上，源漏极设于半导体层上；源漏极包括源极和漏极，源极和漏极中的一者与数据线电连接、另一者与像素电极电连接；所述源极与所述漏极之间形成沟道，源极和漏极的材料与像素电极的材料相同。
阵列及其制造方法显示面板显示装置

[发明专利]半导体器件-CN200510099298.7无效
发明人：金子佐一郎;泽田和幸;宇野利彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-09-14 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在源极电极70和漏极电极80上的钝化膜90中设置离子穿越区100、102，作为第一开口。用密封树脂涂敷钝化膜90，以封装半导体器件。此时，用密封树脂填充离子穿越区100、102，以使密封树脂与源极电极70和漏极电极80直接接触。采用该结构，在高温和高湿的环境下聚集在密封树脂与钝化膜90的界面处的可移动离子经由离子穿越区100、102，放电到源极电极70和漏极电极80，由此不影响N^－型扩展漏极区30。因此，可以改善漏极击穿电压。
半导体器件

[发明专利]半导体及其制造方法-CN201410260734.3有效
发明人：青木崇;是成贵弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：一种半导体及其制造方法，其中所述半导体器件，包括形成在硅衬底的表面之上并包括纵向MOSFET的有源单元区，形成在所述硅衬底的表面之上并从硅衬底的背面引出纵向MOSFET的漏极的漏极电极，在漏极电极之上形成的外部漏极端子，以及形成在所述有源单元区之上，以便至少沿着所述有源单元区之上的外部漏极端子的外周的三个侧面与漏极电极相对并连接到纵向MOSFET的源极的源极电极。
半导体及其制造方法