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[发明专利]3D存储器件及其制造方法-CN202010002531.X有效
发明人：王攀;耿静静;王香凝;吴佳佳;张慧;肖梦;刘新鑫 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：该3D存储器件的制造方法包括：衬底；位于衬底上的栅叠层结构，栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；贯穿栅叠层结构的多个沟道柱；以及贯穿栅叠层结构的多个假沟道柱，其中，假沟道柱的材料为介质材料该3D存储器件采用介质材料形成假沟道柱，避免了假沟道柱底部漏电问题，提高了3D存储器件的良率和可靠性。
存储器件及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN202011576877.7在审
发明人：李珉贤;薛珉洙;张镐元;赵连柱;申铉振 -专利权人：三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供场效应晶体管及其制造方法，该场效应晶体管包括具有二维材料的栅绝缘层。该场效应晶体管可以包括：第一沟道层；设置在第一沟道层上的第二沟道层；设置在第二沟道层上的栅绝缘层；设置在栅绝缘层上的栅电极；电连接到第一沟道层的第一电极；以及电连接到第二沟道层的第二电极。这里，栅绝缘层可以包括绝缘高k二维材料。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管器件及其形成方法-CN202110101700.X在审
发明人：洪以则;郑兆钦;陈则安;江宏礼;陈自强;李连忠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：一种方法，包括在衬底上方形成凸出的介电鳍；沿介电鳍的第一侧壁在该介电鳍的上表面形成沟道层，沟道层包括低维材料；在沟道层上方形成栅极结构；在栅极材料的相对侧形成金属源极/漏极区；在沟道层上方形成沟道增强层；以及在栅极结构、金属源极/漏极区及沟道增强层上方形成钝化层。
场效应晶体管器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410393679.5有效
发明人：梁正吉;金相秀;权兑勇;许盛祺 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：该半导体器件包括：衬底，包括第一区和第二区；第一晶体管，提供在第一区上以包括从衬底突出的第一沟道区；以及第二晶体管，提供在第二区上以包括第二沟道区和在衬底与第二沟道区之间延伸的栅电极。第一沟道区可以包括包含与第二沟道区不同的材料的下半导体图案和包含与第二沟道区相同的材料的上半导体图案。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示面板-CN202110731961.X有效
发明人：张合静;郑浩旋 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请适用于器件工艺技术领域，提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板，通过在沉积第二金属层之前，在有源层中沟道区上设置有机材料层，由有机材料层对沟道区上的刻蚀液进行阻挡，可以避免对第二金属层进行刻蚀的刻蚀液对沟道区造成损伤，提升背沟道刻蚀型薄膜晶体管的性能，解决了目前背沟道刻蚀型薄膜晶体管的制备工艺中，存在薄膜晶体管的背沟道被刻蚀液损坏的问题。
薄膜晶体管及其制备方法显示面板

[发明专利]半导体器件-CN201910747785.1有效
发明人：梁正吉;金相秀;权兑勇;许盛祺 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：该半导体器件包括：衬底，包括第一区和第二区；第一晶体管，提供在第一区上以包括从衬底突出的第一沟道区；以及第二晶体管，提供在第二区上以包括第二沟道区和在衬底与第二沟道区之间延伸的栅电极。第一沟道区可以包括包含与第二沟道区不同的材料的下半导体图案和包含与第二沟道区相同的材料的上半导体图案。
半导体器件

[发明专利]薄膜晶体管结构及其制造方法-CN201110271229.5无效
发明人：曾坚信 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-09-14 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管，包括基板、形成于基板上的沟道层、栅极、形成于栅极与沟道层之间的栅绝缘层、以及分别位于沟道层左右两边并与沟道层相导通的源极和漏极，所述沟道层的材料为氮化物半导体材料。采用氮化物半导体作为沟道层，可以提高薄膜晶体管的性能的稳定性，以提升薄膜晶体管的质量。本发明还提供一种薄膜晶体管的制造方法。
薄膜晶体管结构及其制造方法

[发明专利]包含氧化物半导电材料的晶体管及相关微电子装置、存储器装置、电子系统和方法-CN202110618742.0在审
发明人：卡迈勒·M·考尔道;黄广宇;刘海涛;合田晃 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本专利申请涉及包含氧化物半导电材料的晶体管，且涉及相关微电子装置、存储器装置、电子系统和方法。一种晶体管包括下部接触结构、沟道结构、介电填充结构和上部接触结构。所述下部接触结构包括第一氧化物半导电材料。所述沟道结构接触所述下部接触结构并且包括第二氧化物半导电材料，所述第二氧化物半导电材料的一或多个金属的原子浓度比所述第一氧化物半导电材料的小。所述介电填充结构接触所述沟道结构的内侧表面并且具有相对于所述沟道结构凹进的上部表面。所述上部接触结构包括第三氧化物半导电材料，所述第三氧化物半导电材料的所述一或多个金属的原子浓度比所述沟道结构的大。所述上部接触结构包括与所述介电填充结构的所述上部表面和所述沟道结构的所述内侧表面接触的第一部分，以及与所述沟道结构的所述上部表面接触的第二部分。
包含氧化物导电材料晶体管相关微电子装置存储器电子系统方法

[发明专利]触控薄膜及其制备方法-CN202011206929.1在审
发明人：杨柏儒;钟敏;邱志光;许嘉哲;吴梓毅 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：该方法通过提供一薄膜衬底；在薄膜衬底上进行压印制备出竖直方向的多个第一沟道和水平方向的多个第二沟道；第一沟道形成有由导电材料填充得到的第一沟道导电层，第二沟道形成有由导电材料填充得到的第二沟道导电层；在第一沟道与第二沟道的交叉处形成带有导电层的中间绝缘结构，以使得第一沟道导电层和第二沟道导电层绝缘交叉，位于同一竖直方向的第一沟道导电层或位于同一水平方向的第二沟道导电层通过导电层相连接形成触控结构。
薄膜及其制备方法

[发明专利]用于纳米线晶体管的局部化间隔体及制造方法-CN202111385053.6在审
发明人： S·纳斯卡尔;W·拉赫马迪;H-F·李;C·帕克;P·瓦德瓦;T·加尼;M·哈桑;J·林 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种晶体管包括在第二沟道层上方的第一沟道层、耦合到第一沟道层和第二沟道层的第一端的外延源极结构、以及耦合到第一沟道层和第二沟道层的第二端的外延漏极结构。晶体管包括在外延源极结构与外延漏极结构之间的栅极，其中，栅极在第一沟道层之上并且在第一沟道层与第二沟道层之间。晶体管包括第一材料的第一间隔体，在第一沟道层和第二沟道层之间。晶体管还包括在第一沟道层之上的具有基本上垂直的侧壁的第二间隔体，该第二间隔体具有第二材料。
用于纳米晶体管局部间隔制造方法

[发明专利]双沟道晶体管及其制备方法-CN201210335697.9有效
发明人：赵妙;郑英奎;刘新宇;彭铭曾;李艳奎;欧阳思华;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了双沟道晶体管，以GaN为材料，包含双沟道，即第一沟道和第二沟道，第一沟道为势垒层和GaN沟道层的界面，第二沟道为背势垒层和GaN沟道层的界面，所述势垒层和背势垒的材料均为AlGaN；所述AlGaN本发明提供的双沟道晶体管及其制备方法，采用一定铝组分和厚度的铝镓氮作为背势垒层，形成AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构，强极化电场使沟道中的二维电子气（2DEG）被限制在两个非常高的势垒中，形成双沟道，增强了沟道中2DEG限域性，提高了器件的可靠性。
沟道晶体管及其制备方法

[发明专利]3D NAND存储器的形成方法-CN201910113984.7有效
发明人：霍宗亮;薛家倩 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种3D NAND存储器的形成方法，包括：半导体衬底，半导体衬底上形成有所述堆叠结构包括若干交替层叠的牺牲层和隔离层，堆叠结构中具有连通第一沟道孔和第二沟道孔，且所述第二沟道孔相对于第一沟道孔存在对准偏移，在所述第一沟道孔和第二沟道孔的交界处形成台阶，所述的第一沟道孔中填充满牺牲材料层；形成侧墙后，回刻蚀去除部分厚度的牺牲材料层；对所述台阶进行刻蚀，使得台阶的坡度变缓；在所述第一沟道孔和第二沟道孔侧壁和底部上形成电荷存储层；在所述电荷存储层上形成沟道孔牺牲层；依次刻蚀第一沟道孔底部上的沟道孔牺牲层和电荷存储层，形成开口。
nand 存储器形成方法

[发明专利]包括可变电阻材料的半导体器件及其制造方法-CN201210090456.2无效
发明人：田尚勋;柳寅敬;金昌桢;金英培 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供包括可变电阻材料的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：绝缘衬底；沟道层，在绝缘衬底上；栅极，从沟道层的上表面至少部分地延伸到沟道层中；源极和漏极，在沟道层上分别在栅极的相对两侧；栅绝缘层，围绕栅极且将栅极与沟道层、源极和漏极电绝缘；以及可变电阻材料层
包括可变电阻材料半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造具有增强对高温载荷下蠕变滑动的抗性的工程表面的二氧化硅形成的制品的方法-CN201480060109.2在审
发明人： D·M·利普金;C·A·约翰逊;J·L·马戈利斯;L·S·罗森斯维希;J·万 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：一种形成制品的方法包括：在制品的基底表面的含硅区域上形成含硅层；在含硅层中形成多个沟道和隆起；和形成覆盖含硅区域的表面的至少一个外层。该多个沟道和隆起可通过对含硅层添加含硅材料而形成。该沟道和隆起可通过从含硅层去除材料而形成。沟道和隆起可通过在形成含硅层之前，在基底的表面的含硅区域中形成沟道或沟槽而形成。
制造具有增强高温载荷下蠕变滑动抗性工程表面二氧化硅形成制品方法

[发明专利]嵌入式波导印刷电路板结构-CN200610064494.5有效
发明人： G·A·布里斯特;B·D·霍赖恩;S·哈尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-12-30 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：在一些实施例中，在印刷电路板材料中形成沟道，镀覆该形成的沟道以形成嵌入式波导的至少两个侧壁，并且将印刷电路板材料层压到该镀覆沟道上。描述和要求了其他的实施例。
嵌入式波导印刷电路板结构