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[发明专利]电子级六氯乙硅烷萃取提纯的方法及萃取精馏系统-CN201810182085.8有效
发明人：李金金 -专利权人：李金金
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了电子级六氯乙硅烷萃取提纯的方法及萃取精馏系统，所述提纯获取电子级六氯乙硅烷包括3N、4N、5N级，通过低密度萃取剂A和高密度萃取剂B进行萃取以及精馏提纯，具体经过脱去六氯乙硅烷中低沸点杂质、脱去六氯乙硅烷中低密度杂质、脱去六氯乙硅烷中萃取剂A杂质、脱去六氯乙硅烷中高沸点杂质、脱去六氯乙硅烷中高密度杂质、脱去六氯乙硅烷中萃取剂B杂质、产出电子级六氯乙硅烷步骤，并对萃取剂进行精馏回收获取萃取剂A和萃取剂B；与常规精馏吸附过程相比，本发明的萃取精馏方法提纯能耗小，提纯成本大约仅为传统精馏方法成本的12%～25%，消耗相同能耗生产出的产品质量品级高，提纯过程中损失更小，提纯六氯乙硅烷产品收率更高
电子级六氯乙硅烷萃取提纯方法精馏系统

[发明专利]一种制备二甲基二氯硅烷的方法-CN201510266330.X有效
发明人：谭军;方红承;欧阳玉霞;彭金鑫;聂长虹;母清林 -专利权人：嘉兴学院;合盛硅业股份有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备二甲基二氯硅烷的方法，将甲基三氯硅烷、三甲基氯硅烷、共沸物和四甲基硅烷在三氯化铝催化下进行歧化反应，歧化反应结束后经精馏处理得到二甲基二氯硅烷，所述的甲基三氯硅烷、三甲基氯硅烷、共沸物和四甲基硅烷的质量比为本发明公开的制备二甲基二氯硅烷的方法条件温和，操作简单，产品纯度高，合成工艺安全、稳定，耗能低，易于实现工业化。
一种制备甲基硅烷方法

[发明专利]一种去除含碳杂质的方法和装置、以及多晶硅生产系统-CN202210920619.9有效
发明人：李聚安;蔡云和;胡启红;詹丽;马永露;王廷海;郭洪星 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开一种去除含碳杂质的方法，包括：对含有三氯氢硅、甲基氯硅烷的物料进行物理吸附处理，吸附分离出含碳杂质甲基氯硅烷，得到三氯氢硅和含有碳杂质甲基氯硅烷、三氯氢硅的吸附物；对所述吸附物进行脱附处理，得到再生料；将所述再生料中的碳杂质甲基氯硅烷中的甲基二氯硅烷转化为甲基三氯硅烷，得到混合料；对混合料进行精馏分离，分离出混合料中的碳杂质甲基氯硅烷，得到三氯氢硅。本发明能够深度分离三氯氢硅与甲基氯硅烷，去除含碳杂质，可用于处理多晶硅生产中的精馏排残物料，对精馏排残物料回收再利用，降低硅耗率，避免碳杂质在多晶硅生产系统中富集，确保多晶硅品质。
一种去除杂质方法装置以及多晶生产系统

[发明专利]苯基三氯硅烷的制备方法及制备系统-CN202310441035.8在审
发明人：许明海;张伟;宋凯;肖浩军;明燕荣;于志轩;王东国;杜娟 -专利权人：新疆晶硕新材料有限公司;新特能源股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种苯基三氯硅烷的制备方法及制备系统，该制备方法，包括以下步骤：以三氯氢硅和氯苯为原料，在催化剂氯仿的催化下，加热反应生成苯基三氯硅烷，制备得到产物。本发明中的苯基三氯硅烷的制备方法，以三氯氢硅和氯苯为原料，在催化剂氯仿的催化下，反应生成苯基三氯硅烷产品，实现了三氯氢硅单耗小于1，得到的产物中苯基三氯硅烷产品含量≥99.5mas％，苯基三氯硅烷产品收率在
苯基硅烷制备方法系统

[发明专利]一种甲基乙烯基二氯硅烷的合成工艺-CN202211474192.0在审
发明人：毕绍新;姜永虎;罗志坚;辛贞;梁小丹;闫海亭 -专利权人：唐山偶联硅业有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C07F7/14 文献下载
摘要：本申请涉及有机合成的技术领域，具体公开了一种甲基乙烯基二氯硅烷的合成工艺。一种甲基乙烯基二氯硅烷的合成工艺，包括如下步骤：将乙炔和一甲基二氯硅烷加入甲基乙烯基二氯硅烷中，在六水合氯铂酸催化剂的作用下，升温，加压，反应一段时间，精馏分离，得到甲基乙烯基二氯硅烷。本申请的甲基乙烯基二氯硅烷的合成工艺，通过各步骤之间的协同作用，具有提高甲基乙烯基二氯硅烷的收率、安全环保且实现无苯化的优点。
一种甲基乙烯基硅烷合成工艺

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910921640.9在审
发明人：林资敬;林建智;朱峯庆;吴卓斌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一实施例中，方法包括：形成第一栅极堆叠与第二栅极堆叠于鳍状物上；蚀刻鳍状物以形成凹陷于第一栅极堆叠与第二栅极堆叠之间的鳍状物中；以及形成外延的源极/漏极区于凹陷中，包括：配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第一层衬垫凹陷的侧部与底部，以及在成长第一层之后，配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第二层于第一层上，其中成长第一层时以第一流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者，而成长第二层时以第二流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者。
半导体装置形成方法

[发明专利]气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂-CN201510900932.6有效
发明人：沈俊;杨树文;赵燕 -专利权人：宁夏胜蓝化工环保科技有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： B01J29/035 文献下载
摘要：本发明具体涉及气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂。催化剂是负载有氯化亚铜的负载型催化剂，催化剂的载体是钛硅分子筛或二氧化硅分子筛。采用上述催化剂气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺，包括以下步骤先精馏分离聚合氯硅烷得到氯代乙硅烷；再将氯代乙硅烷气化后，最后将气化后的氯代乙硅烷与氯化氢气体混合进入催化剂床层进行反应得到氯代单硅烷本发明公开的气相催化转化氯代乙硅烷制备氯代单硅烷的工艺及其专用催化剂具有以下有益效果1、实现有害物质的高值化利用，减少有害物质的环境污染；2、气相催化反应使该过程具有工业化价值；3、催化剂为介孔结构，使得活性组分负载量提高
催化转化氯代乙硅烷制备氯代单工艺及其专用催化剂

[发明专利]一种氯硅烷前处理系统及氯硅烷中杂质含量的检测方法-CN201911344586.2在审
发明人：曹岩德;陈英;魏东亮;王海礼;张海燕;田润朝;安军林;蔡延国 -专利权人：亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G01N1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种氯硅烷前处理系统及氯硅烷中杂质含量的检测方法，涉及痕量杂质分析技术领域。燃烧部具有密闭的燃烧室，且燃烧室的出气口通过管路与吸收部连通，燃烧室内设置有用于盛放氯硅烷的取样器以及用于对取样器内的氯硅烷进行加热燃烧的电加热装置。本发明通过氯硅烷前处理系统的燃烧部对氯硅烷进行密闭燃烧消解，将燃烧氧化后的烟气通入吸收部进行吸收。这样避免了氯硅烷挥发造成的杂质检测结果不准确，上述装置提升了检测结果稳定性。此外，还提供了一种氯硅烷中杂质含量的检测方法，该检测方法从根本上解决了氯硅烷易挥发导致检测结果不准确的技术问题。
一种硅烷处理系统杂质含量检测方法

[发明专利]改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的回收方法-CN201110235948.1有效
发明人：张新;郭勇;王璜;尹志兵 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及改良西门子法多晶硅生产中，废弃氯硅烷的回收方法，属于多晶硅生产领域。包括以下步骤：1)收集废弃氯硅烷输送到储液罐：2)储液罐中的废弃氯硅烷输送到蒸发器中；3)蒸发器加热：加热至30-180℃使蒸发器内氯硅烷汽化生产氯硅烷蒸汽，蒸发器中的残留液进行水解处理；4)汽化后的氯硅烷蒸汽与湿气反应，杂质反应生成高沸物；5)气体回收：气体经气-固分离除去微量固体杂质，冷凝回收氯硅烷。采用本发明方法能够将生产过程中被污染的和杂质含量高的氯硅烷杂质去除，达到改良西门子法生产多晶硅工艺中氯硅烷原料杂质含量要求，且成本低、环保，不需额外设备。
改良西门子生产多晶废弃硅烷回收方法

[发明专利]连续式氯硅烷残液回收处理装置及方法-CN201310059359.1无效
发明人：黄国强;杨劲;王国锋;陈锦溢 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种连续式氯硅烷残液回收处理装置及方法，特别是针对回收具有极高价值的六氯乙硅烷（又称六氯二硅烷、全氯乙硅烷）的方法及其装置。本工艺主要包括过滤器、初馏塔、六氯二硅烷脱轻塔、六氯二硅烷脱重塔、四氯化硅脱氢塔、四氯化硅脱重塔。本发明可以有效的除去与四氯化硅难分离的有机氯硅烷、与六氯二硅烷难分离四氯化钛，本处理工艺可以回收得到纯度99.7%的六氯二硅烷与纯度。
连续硅烷回收处理装置方法

[发明专利]一种氯硅烷水解的方法-CN201110149586.4无效
发明人：夏烈文;龚韬 -专利权人：乐山市立胜科技有限责任公司
申请日： 2011-06-04 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：一种氯硅烷水解的方法，工艺步骤如下：(1)乳化剂质量∶水的质量＝0.005～0.2∶1，水的体积∶与水不相溶的溶剂的体积＝0.05～0.9∶1，将乳化剂、水、与水不相溶的溶剂混合均匀，即形成乳状液；(2)氯硅烷体积∶与水不相溶的溶剂的体积＝1～25∶1，将氯硅烷、与水不相溶的溶剂相混合，即形成氯硅烷溶液；(3)以步骤(1)配制的乳状液和步骤(2)配制的氯硅烷溶液为原料，所述乳状液与氯硅烷溶液的配比为乳状液中水的摩尔数∶氯硅烷溶液中氯硅烷的摩尔数＝1∶0.2～2，将所述乳状液与氯硅烷溶液相混合，反应1分钟～120分钟，即生成含水量小于60wt％的二氧化硅/硅酸粉粒和氯化氢气体。
一种硅烷水解方法

[发明专利]制备乙烯基氯硅烷的反应器和方法-CN200710137993.7无效
发明人： S·巴德;F·－M·博伦拉思;H·迪特舍;E·菲奥利塔基斯;W·汉格;B·克斯帕;R·科尔;H·劳尔德;U·肖恩;C·－D·塞勒 -专利权人：德古萨有限责任公司
申请日： 2007-05-15 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明涉及通过氯乙烯与氯硅烷反应来连续制备乙烯基氯硅烷，尤其是乙烯基三氯硅烷的反应器和装置，以及连续制备乙烯基氯硅烷的方法。本发明还涉及从三氯硅烷和氯乙烯连续制备乙烯基三氯硅烷的方法，该方法通过在400－750℃温度下，平均停留时间为0.2－20秒，在常压下，在其中轴对称设置有转动的压排体的管式反应器中使氯乙烯与三氯硅烷反应来实施根据本发明另一方面，还公开了通过氯硅烷与氯乙烯非催化的热反应制备乙烯基氯硅烷的方法，使用由具有视需要转动的压排体的环形缝隙式反应器和没有移动部件的下游连接的反应器组成的反应器组合。
制备乙烯基硅烷反应器方法

[实用新型]一种固定床反应器与精馏塔结合处理氯硅烷聚合物的系统-CN201621122486.7有效
发明人：牛永伟;陈晓军;周大勇;陈开建 -专利权人：内蒙古神舟硅业有限责任公司;上海空间电源研究所
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够有效提高氯硅烷聚合物回收利用率的固定床反应器与精馏塔结合处理氯硅烷聚合物的系统，其包括聚合物储罐、精馏塔、冷凝器、氯硅烷储罐、再沸器、残渣罐、冷却器、固定床反应器、氯化氢储罐、缓冲罐优点本实用新型的一种固定床反应器与精馏塔结合处理氯硅烷聚合物的系统通过采用催化反应和精馏提纯结合方式对氯硅烷聚合物进行处理，将氯硅烷聚合物逐步裂解为氯硅烷后再进行精馏提纯，可以有效提高氯硅烷聚合物的转化率和回收利用率，最终得到高附加值的氯硅烷，增加企业收益。
一种固定床反应器精馏塔结合处理硅烷聚合物系统

[实用新型]一种二甲基二氯硅烷的提纯系统-CN201620410388.7有效
发明人：曹华俊;方红承;谭军;彭金鑫;聂长虹;贾勇;赵晓辉;欧阳玉霞 -专利权人：合盛硅业股份有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二甲基二氯硅烷的提纯系统，包括：脱低塔，底端出料口连通脱高下塔的进料口，用于除去二甲基二氯硅烷粗品中的低沸物；脱高下塔，顶端出料口连通固定床反应器的进料口，用于除去二甲基二氯硅烷粗品中的高沸物；固定床反应器，出料口连接脱高上塔的进料口，用于与氯化氢反应，将二甲基二氯硅烷粗品中残余的含氢硅烷转化成相应的氯硅烷；脱高上塔，用于除去所述的氯硅烷。直接法生产获得的二甲基二氯硅烷粗品经脱低塔和脱高下塔先除去低沸物和高沸物，再在固定床反应器中将粗品中的含氢硅烷与氯化氢反应转变成相应的氯硅烷，然后在脱高上塔中除去氯硅烷，从而获得高纯度的二甲基二氯硅烷。
一种甲基硅烷提纯系统

[发明专利]一种化学提纯甲基苯基二氯硅烷的方法-CN200510061320.9有效
发明人：来国桥;邬继荣;蒋剑雄;华西林;倪勇;吴连斌 -专利权人：杭州师范学院
申请日： 2005-10-31 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学提纯甲基苯基二氯硅烷的方法。本发明需要解决的技术问题是，提供一种设备较简单，提纯度和收率高的甲基苯基二氯硅烷的提纯方法。本发明的方法，其特征在于在甲基苯基二氯硅烷和苯基三氯硅烷混合物的分馏系统中加入脱除微量水的亲核试剂，亲核试剂的加入量以苯基三氯硅烷计，至少为等摩尔，甲基苯基二氯硅烷从分馏塔顶馏出，苯基三氯硅烷－亲核试剂衍生物馏份从分馏塔釜移出
一种化学提纯甲基苯基硅烷方法