专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种MQ硅树脂中微量硅羟基定量方法-CN202211368789.7在审
  • 蒋可志;栗婧;吴连斌 - 杭州师范大学
  • 2022-11-03 - 2023-01-10 - G01N30/02
  • 本发明公开了一种MQ硅树脂中微量硅羟基定量方法。本发明方法首先对非极性有机溶剂进行除水处理,用无水非极性溶剂将MQ硅树脂配制MQ硅树脂溶液;向MQ硅树脂溶液中加入衍生化试剂和催化剂,进行衍生化反应;反应完毕后,反应体系中加入碱将多余的衍生化试剂转化成不溶于非极性溶剂的极性物质,过滤后得到衍生化产物;通过衍生化产物进行凝胶渗透色谱紫外GPC‑UV分析,并采用外标法进行MQ硅树脂中微量硅羟基定量。本发明方法反应条件温和,反应速度快,反应产物具有良好的稳定性和紫外吸收。本发明方法灵敏度高、选择性和准确性好,分析成本比较低,适用领域广泛。
  • 一种mq硅树脂微量羟基定量方法
  • [发明专利]一种硅油中微量硅羟基定量方法-CN202011443815.9有效
  • 蒋可志;杜靖茹;吴连斌;邵向东 - 杭州师范大学
  • 2020-12-08 - 2022-08-30 - G01N30/06
  • 本发明公开了一种硅油中微量硅羟基定量的分析方法,包括以下步骤:采用非极性有机溶剂将硅油配制成硅油溶液,并向硅油溶液中加入衍生化试剂,进行衍生化反应;将所得到的衍生化反应产物进行凝胶渗透色谱紫外GPC‑UV分析,并采用外标法进行硅油中微量硅羟基定量。该方法首次采用硅烷衍生化方法结合凝胶渗透色谱紫外检测分析,建立了硅油中微量硅羟基的准确定量方法,并排除样品中微量水等小分子对硅油中硅羟基检测的干扰,极大地提高了硅羟基检测的灵敏度、重现性和准确性,同时,该检测方法可以用于各种硅油产品中微量硅羟基的定量检测,适用领域非常广泛。
  • 一种硅油微量羟基定量方法
  • [发明专利]一种含磷POSS及其制备方法以及在阻燃剂中的应用-CN201910452119.5有效
  • 吴连斌;苗笑梅;颜悦;裴勇兵;邱化玉;李萌;张金成;方袁峰 - 杭州师范大学
  • 2019-05-28 - 2022-02-01 - C08G77/395
  • 本发明涉及阻燃材料技术领域,尤其涉及一种含磷POSS及其制备方法以及在阻燃剂中的应用。所述含磷POSS制备方法步骤如下:(1)将γ‑巯丙基三乙氧基硅烷或γ‑巯丙基三甲氧基硅烷中的一种在酸性催化剂条件下水解制得笼状功能化巯丙基POSS;(2)在巯丙基POSS中加入具有乙烯基的含磷单体,利用光点击反应,将其接枝到巯丙基POSS表面,反应后即得到一种有高热稳定性的含磷POSS阻燃剂。本发明了克服现有技术中用于制备含磷POSS的反应温度高能耗大,同时含磷率较低导致磷硅协同阻燃效果较差的缺陷。具有制备过程绿色环保,方法较为简便,反应效率较高,适合工业化生产,具有较高的实用价值,同时提升复合材料阻燃性能且低烟低毒的优点。
  • 一种poss及其制备方法以及阻燃中的应用
  • [实用新型]一种气缸头-CN201921995146.9有效
  • 汪家好;徐勇跃;孙晓峰;吴连斌;张辉秋;温占洲;丁细根;罗琪 - 金浪科技有限公司
  • 2019-11-18 - 2020-07-28 - F02F1/28
  • 本实用新型属于发动机技术领域,特指一种气缸头,包括有杠头,杠头的底面设置有燃烧室,杠头上开设有进气通道与排气通道,杠头上开设有用于冷却杠头的强制风冷通道,强制风冷通道包括有进风段、出风段、以及连通进风段与出风段的弯折段,出风段位于排气通道的排气口旁,弯折段与进风段连通的端部内竖直设置有支撑隔板、且支撑隔板将与进风段连通的端部左右分割成进气侧段与排气侧段;在同一竖直平面上,进气侧段的宽度大于排气侧段的宽度。本实用新型支撑隔板不仅能够提高缸头的整体强度,还能有效减少强制风冷通道内的噪音,在同一竖直平面上,进气侧段的宽度大于排气侧段的宽度,从而合理平衡进风侧段与排气侧段的进风量。
  • 一种气缸
  • [发明专利]一种光催化含氟单体修饰制备超疏水多孔硅的方法-CN201910630935.0在审
  • 吴连斌;苗笑梅;颜悦;裴勇兵;邵永帅 - 杭州师范大学
  • 2019-07-12 - 2020-04-28 - C30B33/10
  • 本发明涉及多孔硅表面修饰技术领域,尤其涉及一种光催化含氟单体修饰制备超疏水多孔硅的方法,本方法利用光催化的方式将带有双键的含氟基团单体与单晶硅片表面的硅氢键反应,从而将含氟基团化学接枝到多孔硅的表面,得到超疏水多孔硅。本发明克服了现有技术中的改善多孔硅表面化学和机械稳定性的方法处理难度大、反应要求高、反应程度不可控制,处理后的多孔硅稳定性差等缺陷,具有反应条件较为简单,高效,成本低廉的优点,反应后可以长期保持良好的超疏水状态,并在多种液体环境下保持稳定,且不影响多孔硅表面光致发光效应。此外,本技术应用较广,适用于一切具有硅氢键的硅基材料表面接枝改性,使得达到表面超疏水及稳定佳特性。
  • 一种光催化单体修饰制备疏水多孔方法

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