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[发明专利]利用氯硅烷残液与壳聚糖制备复合硅吸附剂的方法及设备-CN202011246856.9在审
发明人：苏泽模 -专利权人：四川广阳环保科技有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： B01J20/24 文献下载
摘要：本发明涉及氯硅烷残液处理及回收的技术领域，具体涉及利用氯硅烷残液与壳聚糖制备复合硅吸附剂的方法及设备，通过采用氯硅烷残液和氮气混流的方式进行原料的加注，保证加料量的准确，促进反应的进行，减少反应时间，增加制得吸附剂的颗粒均匀性，提高其使用效果，同时，通过采用对冲导入压缩空气的方式，避免氯硅烷残液和各反应药剂反应生成的吸附剂堵塞料枪，在混合液体中形成较多的气泡，裹挟反应生成的吸附剂漂浮至混合液体表面，以溢流的方式实现制得吸附剂的提前分离，提高反应效率，通过该设备使氯硅烷残液的处理过程中的液体、气体均得到有效、安全、环保的处理，避免氯硅烷残液处理过程造成二次污染，实现了氯硅烷残液的经济、环保利用。
利用硅烷聚糖制备复合吸附剂方法设备

[发明专利]一种新型对流式氯硅烷用电加热器及其加热方法-CN202310910492.7在审
发明人：徐昆仑;杨晓萍;蒋涛 -专利权人：镇江东方电热有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： F24H3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型对流式氯硅烷用电加热器及其加热方法，包括外壳体，外壳体的两端分别设置有物料进口和物料出口，物料进口和物料出口通过第一法兰连接在氯硅烷物料管路上，使外壳体成为氯硅烷物料管路的一部分；外壳体的内部设置有容器内筒，容器内筒的内部设置有导流筒，容器内筒和导流筒之间形成导流空间，该导流空间内通过绝缘件设置有电热元件，本发明中物料进口和物料出口通过第一法兰连接在氯硅烷物料管路上，使外壳体成为氯硅烷物料管路的一部分，在场地有限的情况下，能够直接连接氯硅烷物料管路，不需要大范围的修改氯硅烷物料管路布置，减少安装空间，且该电加热器通过第一法兰进行安装，检修时方便拆卸。
一种新型对流硅烷用电加热器及其加热方法

[发明专利]检测系统及检测方法-CN201510236831.3有效
发明人：马志华;严大洲;肖荣晖;汤传斌;杨永亮;郑红梅 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：该检测系统包括氢气供应装置、惰性气体供应装置、汽化室和混气室，汽化室具有用于通入氯硅烷的进样口，混气室的第一入口与汽化室的出口相连通，氢气供应装置的出口和惰性气体供应装置的出口并联连接于混气室的第二入口；该检测系统还包括依次串联设置的氯硅烷还原装置、脱除装置、甲烷吸脱附装置、气相色谱仪和数据输出装置，且氯硅烷还原装置的入口与混气室的出口连通，脱除装置用于去除氯化氢和未反应的氯硅烷。本发明通过氯硅烷还原装置将含氯硅烷中的碳元素氢化还原为甲烷，然后将甲烷送入气相色谱仪中并对甲烷中的碳含量进行测定，从而实现了检测含氯硅烷中的总碳含量。
检测系统方法

[发明专利]一种利用细硅粉生产氯硅烷的方法及氯硅烷产品-CN201811334031.5有效
发明人：陈建;李波;李兴岭;吴晓东 -专利权人：成都蜀菱科技发展有限公司
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用细硅粉生产氯硅烷的方法及氯硅烷产品，涉及有机硅技术领域。该利用细硅粉生产氯硅烷的方法包括：将细硅粉造粒后再进行烘干得到反应硅粒；将反应硅粒、氧气和氯化氢在流化床中反应，其中，氧气和反应硅粒的质量比为2‑5:100，优选为3‑5:100。该氯硅烷产品应用上述利用细硅粉生产氯硅烷的方法制备而得。其通过在利用细硅粉生产氯硅烷的过程中通入氧气，以破坏细硅粉表面包裹的碳，从而使细硅粉造粒干燥后得到的反应硅粒和氯化氢气体在流化床中反应，得到氯硅烷产品，产品的收率在86％以上。
一种利用细硅粉生产硅烷方法产品

[发明专利]一种纳米级防水微粉产品及其制备方法-CN02157969.5有效
发明人：阎新育 -专利权人：阎新育
申请日： 2002-12-23 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： C08L83/00 文献下载
摘要：本发明是一种纳米级防水微粉产品，其特点是将一甲基三氯硅烷或一甲基三氯硅烷和二甲基二氯硅烷、三甲基一氯硅烷、一乙基三氯硅烷、一苯基三氯硅烷、一乙烯基三氯硅烷的混合物在50－80℃和酸性条件下水解聚合，洗至中性
一种纳米防水产品及其制备方法

[发明专利]一种光敏感性Zr-B-Si-C陶瓷前驱体及其原位制备方法-CN201910309890.7有效
发明人：林佳;张厚安;杨益航;黄桂美;王金伙 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C08F299/02 文献下载
摘要：所述方法为：将甲基乙烯基二氯硅烷和硼烷二甲硫醚混合均匀，然后加入金属钠进行脱氯，得到甲基乙烯基硼硅烷；将氯甲基三氯硅烷、甲基氯甲基二氯硅烷和二氯二茂锆混合均匀，然后加入金属镁进行第一保温反应，再加入还原剂进行第二保温反应，得到聚锆碳硅烷；将甲基乙烯基硼硅烷和聚锆碳硅烷混合均匀，得到乙烯基Zr‑B‑Si‑C烷；将乙烯基Zr‑B‑Si‑C烷与巯基丙酸酯混合均匀，然后加入光引发剂引发聚合反应，制得所述陶瓷前驱体。
一种光敏感性 zr si 陶瓷前驱及其原位制备方法

[发明专利]多晶硅生产过程中废气的回收方法-CN201811196199.4有效
发明人：侯雨;王惠;宋高杰;相文强;董越杰;赵阳 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： B01D53/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅生产过程中废气的回收方法，该方法使用吸附装置对废气进行回收，吸附装置包括吸附柱，包括以下步骤：1)将多晶硅生产过程中的废气通入吸附装置的吸附柱，吸附柱内装填有吸附剂，通过吸附剂吸附废气中的氯硅烷、硼、磷、金属氯化物；2)将吸附柱进行分段解析，先解析出吸附的氯硅烷，再解析出吸附的其余杂质。本发明中的回收方法通过分段解析将吸附柱吸附的杂质进行分离，将吸附柱吸附的氯硅烷与其余的杂质分离开，这样可以充分有效的回收利用氯硅烷，而且能够去除氯硅烷中的大量杂质，提高氯硅烷的纯度，且该回收方法回收效率高，能耗低，并且可以通过选择性回收，降低回收氯硅烷中的杂质含量，提高原料和产品的品质。
多晶生产过程废气回收方法

[发明专利]一种多晶硅生产中还原尾气的回收方法及装置-CN202110649748.4有效
发明人：蒋国瑜;司文学;杨永亮;张立宁;严大洲 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C01B3/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅生产中还原尾气的回收方法，其包括如下步骤：a将还原尾气送入冷却系统，分离得到尾气和氯硅烷冷凝液；b将尾气和氯硅烷冷凝液送入淋洗装置进行淋洗；c将淋洗处理后的尾气依次进行压缩和冷却；d将尾气送入吸收塔吸收尾气中的氯化氢气体，所述吸收塔底得到氯硅烷富液，塔顶得到富含氢气的尾气；e将氯硅烷富液送入解吸塔，所述解吸塔顶得到氯化氢，塔底得到氯硅烷贫液，将所述氯硅烷贫液与所述氯硅烷富液进行热交换后送入吸收塔中用作吸收液
一种多晶生产还原尾气回收方法装置

[发明专利]三氯硅烷的纯化系统以及硅晶体-CN201810156765.2有效
发明人：岸亮太;石田昌彦;祢津茂义 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-02-24 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供三氯硅烷的纯化系统以及硅晶体，所述三氯硅烷的纯化系统能够防止伴随高沸点化合物的转化而产生的加成物的解离所引起的再污染、平衡制约所引起的杂质残留。在多段式杂质转化工序中供给含有硅晶体中成为供体或受体的杂质的三氯硅烷。该三氯硅烷中的杂质在蒸馏辅助剂的存在下转化为高沸点化合物。多个杂质转化工序部(101～10n)串联连接，杂质转化工序部均具备来自前段部的三氯硅烷的接收部(a)、蒸馏辅助剂的导入部(b)、面向后段部的三氯硅烷的输出部(c)和将残余部分(高沸点化合物、蒸馏辅助剂、三氯硅烷残液)排出至该杂质转化工序部外的排放部(d)。
硅烷纯化系统以及晶体

[实用新型]检测系统-CN201520300272.3有效
发明人：马志华;严大洲;肖荣晖;汤传斌;杨永亮;郑红梅 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：该检测系统包括氢气供应装置、惰性气体供应装置、汽化室和混气室，汽化室具有用于通入氯硅烷的进样口，混气室的第一入口与汽化室的出口相连通，氢气供应装置的出口和惰性气体供应装置的出口并联连接于混气室的第二入口；该检测系统还包括依次串联设置的氯硅烷还原装置、脱除装置、甲烷吸脱附装置、气相色谱仪和数据输出装置，且氯硅烷还原装置的入口与混气室的出口连通，脱除装置用于去除氯化氢和未反应的氯硅烷。本实用新型通过氯硅烷还原装置将含氯硅烷中的碳元素氢化还原为甲烷，然后将甲烷送入气相色谱仪中并对甲烷中的碳含量进行测定，从而实现了检测含氯硅烷中的总碳含量。
检测系统

[实用新型]一种提高冷凝氯硅烷回收效率的系统-CN202220511368.4有效
发明人：陈尚银;乌力吉;孙让定;马鑫;赵江;樊超 -专利权人：青海丽豪半导体材料有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B01D3/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高冷凝氯硅烷回收效率的系统，涉及氯硅烷回收技术领域，本实用新型包括氯化氢解析塔，氯化氢解析塔塔顶出气口通过管道固定连接有回收罐，氯化氢解析塔的底部出气口通过管道固定连接有冷凝器，冷凝器的出气口通过管道固定连接有氯硅烷中间罐，氯硅烷中间罐的出气口通过管道固定连接有输送泵，输送泵的输出端通过管道固定连接有精馏罐区，输送泵输出端与精馏罐区之间管道的外侧壁固定安装有减压阀。本实用新型为一种提高冷凝氯硅烷回收效率的系统，当精馏罐区出现异常时，氯硅烷中间罐能够存储氯硅烷，从而降低了风险，而且还保证了多晶硅生产装置的连续运转，提高了产量。
一种提高冷凝硅烷回收效率系统

[实用新型]一种吸附去除氯硅烷中硼磷的装置-CN202222333072.0有效
发明人：沈峰;杨伟强;姜洪涛;冯晓春;童贵;季建波;张祥 -专利权人：新疆协鑫新能源材料科技有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种吸附去除氯硅烷中硼磷的装置，所述装置包括换热器，用于对含硼磷的氯硅烷进行降温；和一个以上的吸附柱，所述吸附柱内部设有含滤帽的分布器，所述分布器的内部填充有活性炭吸附剂，用于吸附含硼磷的氯硅烷中的杂质本实用新型利用活性炭吸附剂的物理和化学反应，高效的、有选择性的去除氯硅烷中金属杂质，解决后系统精馏装置各塔提纯除杂负荷，提高采出率，降低能耗进而降低操作成本。同时，氯硅烷通过物理降温后均匀进入吸附柱活性炭吸附剂床层，在一定的压力、温度及流速工艺条件下，能够高效的去除氯硅烷中金属杂质，使得出口氯硅烷硼磷杂质降至10PPb以下。
一种吸附去除硅烷中硼磷装置

[实用新型]甲基氯硅烷含量检测装置-CN202320132099.5有效
发明人：段明发;韩秀杰;王金波 -专利权人：聊城凯瑞化工有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型属于甲基氯硅烷含量检测技术应用设备领域，尤其涉及一种甲基氯硅烷含量检测装置，包括检测装置本体，所述检测装置本体包括沿甲基氯硅烷的通入方向依次设置有用于与待取样检测的甲基氯硅烷成品输送管相连接的连通管、检测机构和用于对甲基氯硅烷起水解作用的水解机构，所述连通管的下端设置有便于惰性气体导入的引气管，所述检测机构包括壳体，所述壳体内设置有用于检测甲基氯硅烷含量指标的检测仪，所述检测仪的下端设置有导出管，本实用新型设计合理、结构简单、加工方便且能够有效保证甲基氯硅烷输送检测过程中的密闭性，并有效防止其出现倒流，保证产品品质。
甲基硅烷含量检测装置

[发明专利]一种氯硅烷残液生产氯化氢气体的方法-CN201610328710.6有效
发明人：黄兵;李银光;张雯雯;陈樑;郑惠文 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： C01B7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种氯硅烷残液生产氯化氢气体的方法，属于多晶硅生产废物资源化领域；本发明将氯硅烷残液在含饱和盐酸反应釜中高速搅拌水解，水解产生的氢气和氯化氢气体、过饱和盐酸释放的氯化氢气体及被气流带出未反应完全的氯硅烷雾滴或气体进入吸收塔，氯硅烷气体及部分氯化氢气体被近饱和盐酸吸收，吸收液变为饱和盐酸返回反应釜，剩余的氢气和氯化氢气体经过水冷和深冷后进入三氯氢硅的合成工序。本发明利用氯硅烷残液水解产生氯化氢、氯硅烷残液水解反应为放热反应、饱和盐酸无法再吸收氯化氢的原理，用饱和盐酸水解氯硅烷残液直接获得氯化氢气体，省去了专门的盐酸解析设备，减少能源消耗，降低生产装置建设和运行成本
氯化氢气体氯硅烷残液饱和盐酸水解氢气反应釜氯化氢盐酸吸收塔多晶硅生产废物氯硅烷气体放热反应合成工序降低生产解析设备能源消耗三氯氢硅水解反应运行成本装置建设过饱和气流带吸收液再吸收中高速资源化深冷水冷雾滴返回生产释放吸收

[发明专利]乙硅烷的制备方法-CN201811594038.0在审
发明人：万烨;刘见华;赵雄;严大洲;赵宇;郭树虎 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种乙硅烷的制备方法。该制备方法包括：对多晶硅残液进行过滤，得到滤液；对滤液进行精馏过程，得到氯代乙硅烷；使氯代乙硅烷与还原剂进行还原反应，得到乙硅烷。多晶硅残液中包含氯代乙硅烷，以多晶硅残液为制备原料能够省去氯代乙硅烷的制备步骤，大大降低乙硅烷的制备成本。通过过滤步骤将多晶硅残液中的固体杂质(如颗粒状物质、金属聚合物、含无定形硅和金属的杂质)去除，最后将得到的滤液与还原剂进行反应，得到所需的产品乙硅烷。上述制备方法具有成本低和乙硅烷纯度高等优点。
乙硅烷制备多晶硅残液氯代还原剂过滤金属聚合物颗粒状物质固体杂质还原反应无定形硅精馏去除金属