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- [发明专利]显示装置-CN202211650063.2在审
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木村史哉;铃村功
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株式会社日本显示器
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2022-12-21
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2023-06-27
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G02F1/1333
- 一个实施方式的显示装置具备：被供给影像信号的信号线；与所述信号线交叉并且被供给扫描信号的扫描线；与所述信号线连接并且至少一部分与所述扫描线相对置的半导体层；覆盖所述半导体层的第1绝缘层；配置在所述第1绝缘层的上方的彩色滤光片；配置在所述彩色滤光片的上方并且与所述彩色滤光片相对置的像素电极；以及公共电极，其形成与该公共电极和所述像素电极之间的电位差相应的电场。所述第1绝缘层具有用于将所述半导体层与所述像素电极连接的第1接触孔。所述第1接触孔设于在俯视下从所述彩色滤光片错开的位置。
- 显示装置
- [发明专利]显示装置-CN202211306654.8在审
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山口阳平;铃村功
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株式会社日本显示器
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2018-02-26
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2022-12-20
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H01L29/51
- 本发明涉及显示装置。要解决的课题在于提高使用氧化物半导体的TFT的可靠性。显示装置的特征在于，包含具有形成有多个像素的显示区域的基板，所述像素包含使用了第一氧化物半导体(12)的第一TFT，在所述第一氧化物半导体(12)之上，形成第一栅极绝缘膜(13)，所述第一栅极绝缘膜(13)由第一硅氧化膜(131)与第一铝氧化膜(132)的层叠构造形成，在所述第一铝氧化膜(131)之上形成有第一栅电极(14)。
- 显示装置
- [发明专利]显示装置-CN202210560855.4在审
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木村史哉;铃村功;长泽顺子;井本温子
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株式会社日本显示器
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2022-05-23
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2022-12-13
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H01L27/12
- 本发明提供能够实现高分辨率的显示装置。显示装置包括半导体层(SC1)、第1绝缘层(14)、栅极电极(GE1)、第2绝缘层(15)、第3绝缘层(18)、滤色片(CF)和具有像素电极(PE)、第1导电层(TE1)和第2导电层(TE2)的多个透明导电层(TE)。所述第1导电层位于所述第2绝缘层与所述第3绝缘层之间，通过形成于所述第1绝缘层和所述第2绝缘层的第1接触孔(h7)而与半导体层(SC1)的第2区域接触。所述第2导电层位于滤色片(CF)之上，与所述第1导电层接触。像素电极(PE)位于所述第2导电层之上，与所述第2导电层接触。
- 显示装置
- [发明专利]传感器装置-CN202210498201.3在审
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铃村功;佐野匠
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株式会社日本显示器
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2022-05-09
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2022-11-11
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G01D5/26
- 根据一实施方式，传感器装置具备：绝缘基材，具有蛇行的带状部和与上述带状部连接的岛状部；第1无机绝缘膜，配置在上述岛状部之上；第1布线层，配置在上述第1无机绝缘膜之上；第2无机绝缘膜，配置在上述第1布线层之上；第2布线层，配置在上述第2无机绝缘膜之上；有机绝缘膜，配置在上述第2布线层之上；阻挡膜，由无机绝缘材料形成，将上述有机绝缘膜覆盖；传感器元件，配置在上述阻挡膜之上；以及密封膜，由无机绝缘材料形成，将上述传感器元件覆，上述传感器元件是有机光电二极管，上述阻挡膜将上述有机绝缘膜的侧面覆盖，上述密封膜在上述传感器元件的外侧与上述阻挡膜及上述第2无机绝缘膜相接。
- 传感器装置
- [发明专利]显示装置-CN201810159539.X有效
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山口阳平;铃村功
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株式会社日本显示器
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2018-02-26
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2022-11-11
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H01L27/32
- 本发明涉及显示装置。要解决的课题在于提高使用氧化物半导体的TFT的可靠性。显示装置的特征在于，包含具有形成有多个像素的显示区域的基板，所述像素包含使用了第一氧化物半导体(12)的第一TFT，在所述第一氧化物半导体(12)之上，形成第一栅极绝缘膜(13)，所述第一栅极绝缘膜(13)由第一硅氧化膜(131)与第一铝氧化膜(132)的层叠构造形成，在所述第一铝氧化膜(131)之上形成有第一栅电极(14)。
- 显示装置
- [发明专利]显示装置及液晶显示装置-CN202080091333.3在审
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木村史哉;铃村功
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株式会社日本显示器
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2020-11-20
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2022-08-12
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G02F1/1368
- 本发明涉及显示装置及液晶显示装置，目的在于，应对在超高精细显示装置中用于连接TFT和像素电极的、形成于有机钝化膜的通孔内的电极图案化不良。为了实现这一点，本发明采用如下构成：一种显示装置，在基板100上形成有TFT(薄膜晶体管)，覆盖所述TFT形成有有机钝化膜120，在所述有机钝化膜120上形成有第一像素电极122、第一公共电极124、第二像素电极127、第二公共电极129，其特征在于，所述第一像素电极122通过形成于所述有机钝化膜120的通孔121与所述TFT连接，所述通孔121由填料50填充，所述第二像素电极127的端部存在于所述填料50的上侧。
- 显示装置液晶
- [发明专利]显示装置的制造方法-CN202210280593.6在审
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铃村功
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株式会社日本显示器
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2018-11-28
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2022-06-21
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H01L21/77
- 本发明提供显示装置的制造方法，在具有由氧化物半导体构成的TFT的显示装置中，减小源极/漏极电阻并实现具有稳定的Vd‑Id特性的TFT。形成有多个具有由氧化物半导体(105)构成的薄膜晶体管(TFT)的像素的显示装置，氧化物半导体中形成有沟道，在沟道的两侧形成的漏极及源极，在沟道与漏极之间或沟道与源极之间形成有中间区域，在氧化物半导体的沟道与中间区域之上形成有栅极绝缘膜(106)，在栅极绝缘膜之上形成有氧化铝膜(107)，在沟道的上方且在氧化铝膜之上形成有栅电极(109)，在栅电极的两侧形成有侧壁间隔件(108)，以覆盖栅电极、侧壁间隔件及源极及漏极的方式形成有层间绝缘膜(110)。
- 显示装置制造方法
- [发明专利]显示装置-CN201880083528.6有效
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铃村功
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株式会社日本显示器
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2018-11-28
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2022-04-08
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G09F9/30
- 本发明的课题为，在具有由氧化物半导体构成的TFT的显示装置中，减小源极/漏极电阻并实现具有稳定的Vd‑Id特性的TFT。本发明的内容为：形成有多个具有由氧化物半导体105构成的薄膜晶体管(TFT)的像素的显示装置，其特征在于，所述氧化物半导体105中形成有沟道，在所述沟道的两侧形成的漏极及源极，在所述沟道与所述漏极之间或所述沟道与所述源极之间形成有中间区域，在所述氧化物半导体105的所述沟道与所述中间区域之上形成有栅极绝缘膜106，在所述栅极绝缘膜106之上形成有氧化铝膜107，在所述沟道的上方且在所述氧化铝膜107之上形成有栅电极109，在所述栅电极109的两侧形成有侧壁间隔件108，以覆盖所述栅电极109、所述侧壁间隔件108及所述源极及漏极的方式形成有层间绝缘膜110。
- 显示装置
- [发明专利]显示装置-CN201710266582.1有效
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铃村功;渡部一史;石井良典;三宅秀和;山口阳平
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株式会社日本显示器
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2017-04-21
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2021-03-16
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H01L27/12
- 本发明涉及显示装置。能够在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，包含具有形成有像素的显示区域的基板，其特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体(109)的第一TFT，在所述氧化物半导体(109)之上形成作为绝缘物的氧化膜(110)，所述氧化膜(110)之上形成栅电极(111)，在所述第一TFT的漏极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第一通孔而连接第一电极(115)，在所述第一TFT的源极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第二通孔而连接第二电极(116)。
- 显示装置
- [发明专利]显示装置-CN201710267224.2有效
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山口阳平;铃村功;三宅秀和
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株式会社日本显示器
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2017-04-21
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2020-10-30
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G02F1/1362
- 本发明涉及显示装置。本发明的技术课题为可以在同一基板内形成LTPS TFT和TAOS TFT。其为包含具有形成有像素的显示区域的基板的显示装置，其特征在于，所述像素包含使用了TAOS的第一TFT，在所述第一TFT的漏极上形成有第一LTPS(112)，在所述第一TFT的源极上形成有第二LTPS(113)，所述第一LTPS(112)经由在覆盖所述第一TFT的绝缘膜(105)中形成的第一通孔(108)而与第一电极(106)连接，所述第二LTPS(113)经由在覆盖所述第二TFT的绝缘膜中形成的第二通孔(108)而与第二电极(107)连接。
- 显示装置
- [发明专利]显示装置及半导体器件-CN202010081137.X在审
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神内纪秀;渡壁创;花田明纮;小野寺凉;铃村功
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株式会社日本显示器
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2020-02-05
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2020-08-25
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H01L27/12
- 本发明涉及显示装置及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，其特征在于，具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，上述第一TFT中，覆盖上述氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112)，第一漏电极(110)介由上述第一绝缘膜中形成的第一通孔(132)连接于上述氧化物半导体，第一源电极(111)介由第二通孔(133)连接于上述氧化物半导体，覆盖上述第一漏电极及上述第一源电极而形成第二绝缘膜(115)，漏极布线(120)介由上述第二绝缘膜中形成的第三通孔(130)连接于上述第一漏电极，源极布线(122)介由上述第二绝缘膜中形成的第四通孔(131)连接于上述第一源电极。
- 显示装置半导体器件
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