专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种拉残余应力标定用装置-CN201510131527.2有效
  • 陈静;姜云禄;陈怀宁;阚盈;李东旭;张洋 - 中国科学院金属研究所
  • 2015-03-24 - 2019-07-26 - G01N3/08
  • 本发明公开了一种拉残余应力标定用装置,属于材料加工过程中实验应力测量技术领域。该装置包括拉加载机构、夹持机构和支撑机构。所述拉加载机构在标定材料全厚度方向上施加均匀拉伸或压缩应力;所述夹持机构可以根据标定材料的拉类型调整夹持位置;所述支撑机构上安装拉加载机构和夹持机构,并可以自行调整高度。本发明可以作为盲孔法、压痕应变法等残余应力检测方法的配套加载装置,准确标定拉伸应力状态下和压缩应力状态下的材料应力应变关系,同时装置操作简单灵活,使用方便,克服了三点弯曲加载时方便易用但应力场不均匀的问题
  • 一种拉压型残余应力标定装置
  • [发明专利]一种4J33可伐合金第二类残余应力的测试方法-CN202310518824.7在审
  • 张学苏;曾学良;张林杰;宁杰;龙健 - 西安交通大学
  • 2023-05-09 - 2023-08-04 - G01L5/00
  • 本发明公开一种4J33可伐合金第二类残余应力的测试方法,涉及分析仪器及材料测试技术领域,包括:将退火态无应力试样以及预加等双轴已知应力的试样装入纳米压痕仪,以待测点为圆心,以2倍晶粒平均尺寸为半径,对进入标记圆内的晶粒进行纳米压痕实验,得到标记圆中每个晶粒内入的所有压痕数据;分别对标记圆中每个晶粒内入的所有压痕数据取平均值,得到标记圆中每个晶粒对应的压痕数据平均值;对标记圆中所有晶粒对应的压痕数据平均值加和后再求平均值,得到标记圆中所有晶粒对应的压痕数据平均值,将其代入残余应力的计算模型中,得到第二类残余应力。本发明可有效减小晶粒取向差异对纳米压痕法残余应力测试精度的影响。
  • 一种j33合金第二残余应力测试方法
  • [发明专利]红外传感器开关器件及其制作方法-CN201010572107.5有效
  • 刘瑞文;焦斌斌;李志刚;陈大鹏 - 中国科学院微电子研究所
  • 2010-11-29 - 2012-05-30 - H03K17/78
  • 本发明公开了一种基于微细加工技术的、利用双材料梁的残余应力来进行工作的红外传感器开关器件及其制作方法,所述制作方法首先提供一个衬底;然后在所述衬底上淀积并刻蚀形成金属梁,以形成第一电极;接着在所述结构上淀积形成牺牲;以及在所述牺牲上方依次淀积金属和非金属材料,刻蚀并释放形成双层材料悬臂梁,以形成可与所述第一电极接触的第二电极,所述双材料悬臂梁的下层金属材料应具有张应力,所述双材料悬臂梁的上层非金属材料应具有应力本发明提出的红外传感器开关器件结构简单实用,体积小,且制作工艺简单,同时巧妙利用了双材料悬臂梁的残余应力来进行工作。
  • 红外传感器开关器件及其制作方法
  • [发明专利]一种低应力深紫外多层膜的制备方法-CN201410508395.6无效
  • 才玺坤;梅林;时光;武潇野;张立超;隋永新;杨怀江 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 2014-09-26 - 2015-01-21 - G02B1/10
  • 本发明提供一种低应力深紫外多层膜的制备方法,采用离子束溅射制备氟化物薄膜,通过工艺优化选择合适的镀膜窗口,使沉积的高低折射率材料分别具有应力和张应力,同时具有较低的光学损耗。采用这两种材料制备深紫外多层膜时,可以相互抵消大部分应力,使得多层膜的残余应力较低。该方法包括以下步骤:将融石英基底进行超声波清洗,慢提拉脱水,加热烘干;使用离子源对基底进行预处理,去除表面吸附物;离子源清洁完成后,根据设计的膜结构,采用离子束溅射方法制备深紫外多层膜。本发明有效克服了热蒸发方法制备的氟化物内部填充密度低及残余应力较大的缺点,保证多层膜具有较低应力的同时,又有良好的深紫外光学应用前景。
  • 一种应力深紫多层制备方法
  • [发明专利]一种材料残余应力深度分布的检测方法-CN202310291729.8在审
  • 谢瑞士;李园利 - 西南科技大学
  • 2023-03-23 - 2023-07-04 - G01N23/20
  • 本发明公开了一种材料残余应力深度分布的检测方法,包括:样品的前处理;采集样品的X射线衍射全谱,确定残余应力测试的衍射晶面;采集样品不同深度的X射线应力图谱,计算X射线对样品的穿透深度,拟合X射线掠入射角与X射线对样品穿透深度的关系;基于采集的样品的X射线应力图谱,采用应力表达式计算得出样品不同深度的残余应力结果,确定样品残余应力分布与X射线穿透样品不同深度的函数关系。本发明可以克服传统剥法判定应力深度方法的不足,对增加客观性和评价的准确性具有积极的意义,可为其它块体和薄膜材料的残余应力深度分布、样品疲劳寿命、关键零部件的可靠性、质量控制分析研究提供借鉴。
  • 一种材料残余应力深度分布检测方法

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