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[发明专利]半导体器件、半导体装置和它们的制造方法-CN98106033.1无效
发明人：冢本达彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1998-03-05 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：解决方案是在半导体器件内部形成由p+型硅衬底10和p+型发射极埋入区域14和p+型发射极引出区域20构成的发射极导通部分。而且，把该半导体器件的p+型硅衬底10管芯键合到发射极引线框架ERF上，用该发射极导通部分，把发射极电极E和发射极引线框架ERF电连接起来。这样，由于可以废止把发射极电极E和发射极引线框架ERF连接起来的发射极键合细丝，可以消除由该发射极键合细丝所产生的电感，所以可以改善半导体装置的高频特性。
半导体器件半导体装置它们制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200910166647.0有效
发明人：高桥和也 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2009-08-24 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：在具有两层电极结构的分立式双极型晶体管中，将第一层发射极电极与发射极区域由形成于它们之间的第一绝缘膜的发射极接触孔连接。将第二层发射极电极与第一层发射极电极由形成于它们之间的第二绝缘膜的发射极通孔连接。故在第二层发射极电极下方，发射极接触孔和发射极通孔重叠，产生两个绝缘膜厚度的高度差。该高度差也影响第二层发射极电极表面，在其上使用焊料粘合金属片时，由于凹凸大产生不良粘合。本发明的半导体装置使设于第一层发射极电极上下的发射极接触孔和发射极通孔不重叠，对于一个发射极电极使发射极接触孔和发射极通孔相互分开地配置多个。故在第二层发射极电极表面，即便高度差为最大，也仅受设于膜厚较厚的绝缘膜的发射极通孔高度差的影响，第二层电极表面的平坦性提高。可以避免金属片不良粘合。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202010376529.9在审
发明人：梅本康成;小屋茂树;大部功;井手野馨 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：在基板上依次配置有集电极层、基极层、发射极层、以及发射极台面层。还配置有基极电极以及发射极电极。在俯视时，发射极台面层具有在第一方向上长的形状，基极电极包含与发射极台面层在第一方向上隔着间隔配置的基极电极焊盘部。在发射极电极以及基极电极上，分别配置有发射极布线以及基极布线。发射极布线通过发射极接触孔与发射极电极连接。在第一方向上，发射极台面层的基极布线侧的边缘与发射极接触孔的基极布线侧的边缘的间隔比发射极台面层与基极布线的间隔窄。
半导体装置

[发明专利]太阳电池及太阳电池的制备方法-CN202310341102.9在审
发明人：张倬涵;陈达明;胡匀匀;柳伟;季雯娴;杨睿;徐冠超;张学玲;杨广涛;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本公开提供了一种太阳电池，包括：衬底、第一发射极、第二发射极、绝缘间隔结构、第一电极和第二电极；衬底具有相对设置的正面和背面；第一发射极和第二发射极设置于衬底的背面，第一电极设置于第一发射极远离衬底的一侧且电连接于第一发射极，第二电极设置于第二发射极远离衬底的一侧且电连接于第二发射极；绝缘间隔结构设置于第一发射极与第二发射极之间，且第一发射极与第二发射极通过绝缘间隔结构相间隔。绝缘间隔结构将第一发射极与第二发射极进行有效地间隔，避免载流子在第一发射极与第二发射极的界面上的复合，因而能够有效降低太阳电池的反向漏电，提高太阳电池的效率。
太阳电池制备方法

[实用新型]一种IGBT芯片版图金属层-CN202021820854.1有效
发明人：郭乔;林泳浩;李伟聪 -专利权人：珠海市浩辰半导体有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种IGBT芯片版图金属层，芯片版图包括元胞区、终端区、栅极压焊点、发射极压焊点；所述终端区位于元胞区的外围，栅极压焊点、发射极压焊点位于元胞区内部；其特征在于，版图金属层包括发射极金属及栅极金属；所述发射极金属包括位于元胞区内部的第一发射极金属，以及位于元胞区与终端区连接过渡区的第二发射极金属；所述第二发射极金属在过渡区环绕构成等位环场板，并与第一发射极金属电连接；所述栅极金属环绕在第一发射极金属与第二发射极金属之间，并留有第一发射极金属与第二发射极金属电连接的通道。本实用新型能够满足发射极金属和栅极金属的设计要求，增加电流流通路径，改善电流均匀性，提高关断能力。
一种 igbt 芯片版图金属

[发明专利]一种新型绝缘栅双极性晶体管-CN202110873522.2在审
发明人：何艳静;詹欣斌;袁嵩;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：；N‑漂移区，位于N+缓冲区之上；表面结构，位于N‑漂移区之上，表面结构包括：两个沟槽栅极，沟槽栅极延伸至N‑漂移区；P基区以及浮空P基区，P基区位于沟槽栅极的内侧，浮空P基区位于沟槽栅极的外侧；沟槽发射极，位于P基区中；第一N+发射极以及P+发射极，位于沟槽栅极内侧；第一N+发射极和P+发射极依次交替设置在垂直于平面的z方向上；第二N+发射极，位于沟槽发射极的两侧；顶部发射极，覆盖P基区、浮空P基区、沟槽栅极、第一N+发射极和P+发射极、沟槽发射极以及第二N+发射极，且顶部发射极连接沟槽发射极。
一种新型绝缘极性晶体管

[发明专利]功率放大器模块-CN201811182641.8有效
发明人：近藤将夫;柴田雅博 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：在活性区域上层叠有集电极层、基极层以及发射极层。由层间绝缘膜覆盖集电极层、基极层以及发射极层。垫片与元件分离区域热耦合。在层间绝缘膜上配置有发射极凸块。发射极凸块经由设置于层间绝缘膜的导通孔与发射极层电连接，并且也与垫片电连接。在俯视时，发射极凸块与发射极层中的流过发射极电流的区域亦即发射极区域部分地重叠。
功率放大器模块

[发明专利]具有两个辅助发射极导体路径的半导体模块-CN201580008490.2有效
发明人： S.哈特曼;D.科泰特;S.基钦 -专利权人： ABB瑞士有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：半导体模块（10）包括：至少一个半导体芯片（12），其包括至少一个半导体开关（14），该至少一个半导体开关（14）具有集电极（18）、发射极（22）和栅极（20）；集电极端子（24），其连接到集电极（18）；栅极端子（26），其连接到栅极（20）；发射极端子（28），其经由具有发射极电感（32）的发射极导体路径（30）连接到发射极（22）；辅助发射极端子（38），其连接到发射极（22）；第一导体路径（34），其连接到发射极（22）；和第二导体路径（36），其连接到发射极（22）具有与第一导体路径（34）不同的与发射极导体路径（30）的互感耦合。第一导体路径（34）和第二导体路径（36）能连接到辅助发射极端子（38）和/或第一导体路径（34）连接到辅助发射极端子（38）并且第二导体路径（36）连接到第二辅助发射极端子（44）。半导体开关（14）是IGBT，并且第一导体路径（34）和第二导体路径（36）中的每个包括桥接点（40），用于使相应导体路径连接到辅助发射极端子（38）。
具有两个辅助发射极导体路径半导体模块

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911347505.4在审
发明人：长田尚 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：具体地，该半导体器件包括：条状沟槽栅极、条状沟槽发射极、N型发射极层、P型基极层和P型基极接触层，该条状沟槽发射极布置为面向沟槽栅极，该N型发射极层和该P型基极层被该沟槽栅极和该沟槽发射极包围，并且P型基极接触层布置在形成在半导体衬底中的沟槽发射极的一侧上P型基极接触层、发射极层和沟槽发射极与发射极电极共同地连接，并且沟槽发射极在半导体衬底的厚度方向上形成得比沟槽栅极更深。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]IGBT器件及其制备方法-CN202211405951.8在审
发明人：侯晓伟;郭依腾;罗杰馨;柴展 -专利权人：上海功成半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT器件及其制备方法，器件包括：衬底，衬底上形成有IGBT的发射极、栅极和集电极；虚设栅极，设置于栅极和IGBT发射极之间；NMOS管，其源极和栅极与IGBT栅极电连接，漏极与虚设栅极电连接；NPN三极管，其集电极与虚设栅极电连接，发射极与IGBT发射极电连接，基极通过电感与IGBT发射极电连接；PNP三极管，其集电极与虚设栅极电连接，发射极与IGBT发射极电连接，基极通过所述电感与IGBT发射极电连接。
igbt 器件及其制备方法

[实用新型]一种碳硅硫净化器能量转换棒-CN202222535524.3有效
发明人：张景尧 -专利权人：张景尧
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C02F5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳硅硫净化器能量转换棒，包括发射极、发射极座、出线管，发射极座通过密封螺丝与碳硅硫净化器本体密封连接，出线管设置在发射极座上，发射极通过射频线与碳硅硫净化器本体的信号发射器连接，射频线设置在出线管的内部，发射极的外部罩设有塑料套管，塑料套管的一端通过密封压盘一与发射极座连接。本实用新型采用上述结构的碳硅硫净化器发射极，能够解决现有的碳硅硫净化器能量转换棒更换困难以及不易加工的问题。
一种碳硅硫净化器能量转换

[发明专利]电子源装置-CN200510106468.X无效
发明人：山本睦;古贺启介;盐田昭教 -专利权人：松下东芝映象显示株式会社
申请日： 2005-09-26 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：一种电子源装置，其包括：多个电子发射部分，它们被布置在Si基底上的矩阵中；以及多条相互正交的发射极线和栅极线，多个电子发射部分中的每一个发射部分都由来自于多条发射极线和多条栅极线的信号进行控制，以执行相互独立的发射电子操作另外，设置了包围着对应发射极线的器件隔离区；在各条发射极线上制出接触孔；在被器件隔离区包围着的区域的外部区域上，设置了与各条发射极线相对应的多个发射极线安装电极；以及借助于接触孔，连接到各个发射极线安装电极的导线被连接到与各个发射极线安装电极所对应的发射极线上
电子装置

[发明专利]高频晶体管-CN201510208919.4有效
发明人：潘光燃;文燕;高振杰;马万里;石金成 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提出了一种高频晶体管，包括：多个并行的发射区窗口；多个并行的发射极金属，多个所述发射极金属中的每个所述发射极金属均覆盖在多个所述发射区窗口中的每个所述发射区窗口的上方，其中，多个所述发射极金属中的第一个发射极金属和最后一个发射极金属独立于其他发射极金属，且所述其他发射极金属均并行相连，其中，所述其他发射极金属为多个所述发射极金属中除所述第一个发射极金属和所述最后一个发射极金属之外的发射极金属。通过本发明的技术方案，可以确保线宽相同的相互平行的高频晶体管的发射区窗口在复制到晶圆后，多发射极高频晶体管内部不同位置的发射极可以产生一致的高频特性，以避免使多发射极高频晶体管产生较大噪音。
高频晶体管

[发明专利]前级放大器电路、光接收放大器电路以及光拾取器装置-CN200710091824.4无效
发明人：横山高士 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-03-23 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H03F3/08 文献下载
摘要：本发明的前级放大器电路具有：发射极接地放大电路，使用了连接到光接收元件的发射极接地晶体管；其它的发射极接地放大电路，使用了连接到其它光接收元件的其它发射极接地晶体管；发射极接地切换开关，通过切换，使得上述各个发射极接地晶体管当中其中一个的发射极接地，从而仅使上述各个发射极接地放大电路当中的其中一个工作。
放大器电路接收以及拾取装置

[实用新型]一种考虑芯片表面压力均衡的凸台式压接型IGBT模块-CN202020943021.8有效
发明人：侯婷;郭伟力;姬煜轲;李岩;何智鹏;周月宾;刘智;马定坤;王来利 -专利权人：南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种考虑芯片表面压力均衡的凸台式压接型IGBT模块，包括由发射极上凸台和发射极下凸台组成的发射极凸台，发射极上凸台下部设置有柱形发射极孔，发射极下凸台包括凸台本体，凸台本体上连接有与柱形发射极孔配合连接的开口销，开口销中设置有蝶形弹簧，蝶形弹簧顶部紧贴柱形槽的顶部；凸台本体下侧依次设置有发射极钼片、芯片、集电极钼片以及集电极凸台。
一种考虑芯片表面压力均衡台式压接型 igbt 模块

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