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[发明专利]基于地应力诱导效应的深部高应力岩巷中深孔高效掏槽爆破方法-CN202210743419.0有效
发明人：丁晨曦;杨仁树;黄佳强;张金华;赵继忠;王德胜;龚敏;陈建华;李红勇;肖成龙 -专利权人：北京科技大学;首钢集团有限公司矿业公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： F42D1/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供的基于地应力诱导效应的深部高应力岩巷中深孔高效掏槽爆破方法，涉及深部岩体钻爆掘进领域。包括：在待掘进岩巷原位临空面开展地应力爆破测试，获取所述待掘进岩巷原位所处地层岩体的地应力、爆炸应力波及围岩夹制力协同作用下的裂纹分布状态；根据所述裂纹分布状态在所述待掘进岩巷的临空面布设掏槽孔网；基于所述掏槽孔网实施掏槽爆破基于工程实践发现的地应力对爆炸裂纹扩展的诱导效应对岩石破碎抛掷的影响效应，针对深部高应力岩巷的中深孔掏槽爆破，在掏槽爆破网孔布设时充分综合考虑地应力对岩石破碎抛掷的影响效应，可以改善高应力岩巷中深孔掏槽爆破效果本发明适用于深部高应力岩巷掘进场景中。
基于应力诱导效应深部高岩巷中深孔高效掏槽爆破方法

[发明专利]一种拱坝全坝体的等效应力分析方法-CN201711206117.5有效
发明人：王仁坤;薛利军;陈丽萍;张敬;饶宏玲;赵永刚;邵敬东;周钟 -专利权人：中国电建集团成都勘测设计研究院有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种拱坝全坝体的等效应力分析方法，属于水电站拱坝设计技术领域，提供一种可实现快速计算处理的拱坝全坝体的等效应力分析方法，包括如下步骤：步骤一、开展拱坝应力有限元计算；步骤二、建立拱梁网格；步骤三、计算拱梁网格节点的几何参数；步骤四、插值得到拱梁网格节点的应力；步骤五、计算等效应力。针对拱坝设计中复杂计算模型大量计算工况和方案得到的有限元计算成果，本发明所述的分析方法通过在有限元计算成果数据的基础上采用拱梁网格作为插值网格，将插值网格中的节点作为后续等效应力计算的节点，以实现快速、实用且稳定的等效应力分析计算，切实解决拱坝设计中有限元成果定量评判的问题。
一种拱坝全坝体等效应力分析方法

[发明专利]具有改善的电荷迁移率的电结构的结构及其制造方法-CN200810003510.9无效
发明人：朱慧珑;王敬 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：所述方法包括在半导体衬底上形成N型场效应晶体管器件和P型场效应晶体管器件；在所述N型场效应晶体管上方形成压应力膜，以便在与所述N型场效应晶体管器件相关的第一沟道中施加拉应力；并且在所述P型场效应晶体管器件上方形成拉应力膜，以便在与所述P型场效应晶体管制造相关的第二沟道中施加压应力。所述方法还包括在与所述N型场效应晶体管相关的第一栅极和与所述P型场效应晶体管相关的第二栅极之间形成至少一浅区，以便在所述第一和第二沟道中产生传导应力。
具有改善电荷迁移率结构及其制造方法

[发明专利]球形储罐沉降监测方法、系统及装置-CN202211428217.3在审
发明人：毛学强;刘洪涛;谭川江;王福善;刘绍东;冯泉;柳楠;严东寅;薛剑;张玉福;宋文明;岳彬 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01C5/00 文献下载
摘要：其中，该方法包括：获取球形储罐受到的等效应力，其中，上述等效应力包括：压缩应力和局部应力；对上述等效应力进行分析处理，得到处理结果，其中，上述处理结果包括：沉降形式结果、失稳形式结果和应力超标结果，上述沉降形式结果用于表征支柱沉降形式，上述失稳形式结果用于表征支柱是否发生失稳，上述应力超标结果用于表征局部应力是否发生超标；将上述处理结果进行输出处理。
球形沉降监测方法系统装置

[发明专利]一种场效应管的驱动装置、方法及电气系统-CN202211168465.9在审
发明人：刘海涛;杨乐乐;谢舜蒙;陈燕平;窦泽春;漆宇;陈正文;丁清澍;寇晨晨;魏海山;忻兰苑 -专利权人：中车株洲电力机车研究所有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请公开了一种场效应管的驱动装置、方法及电气系统，涉及电气控制领域，驱动装置包括：控制模块，用于接收上位机发送的开关信号，并基于开关信号确定调速信号；调速信号用于在电应力区间降低场效应管的开关速度，电应力区间为场效应管在开关过程中产生电应力的时间段；驱动模块，用于根据开关信号和调速信号调节场效应管在开关过程中的驱动电压。本申请能够动态调节场效应管的开关速度，兼顾电应力与开关损耗最优，保证场效应管的运行安全，同时减小对控制模块的电磁干扰。
一种场效应驱动装置方法电气系统

[发明专利]一种低Smile的半导体激光器封装结构-CN201610946466.X在审
发明人：王卫锋;陶春华;梁雪杰;刘兴胜 -专利权人：西安炬光科技股份有限公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明提出一种低Smile的半导体激光器封装结构，采用了上下对称的应力缓释层设计，使得热沉上下对应的应变收缩量一致，确保激光芯片所承受的应力最小，有效降低了半导体激光器的smile效应。
一种 smile 半导体激光器封装结构

[发明专利]一种基于动静组合应力分析的冲击地压危险监测预警方法-CN202010714159.5有效
发明人：蔡武;曹安业;窦林名;巩思园;何江;贺虎;王桂峰;袁莎莎;葛庆 -专利权人：中国矿业大学;徐州弘毅科技发展有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： E21F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于动静组合应力分析的冲击地压危险监测预警方法，基于动载效应和静载效应叠加诱发冲击地压机理、并结合动静组合效应进行冲击地压危险监测预警；动静组合效应通过分别确定震动波衰减累积重构的动载效应参量、震动波CT反演的静载效应参量和微震损伤重构的静载效应参量的各参量权重，采用加权平均方法计算动静组合应力系数，并结合矿压瞬间动载应力增量的动载应力系数综合确定最终危险区域及其危险程度。
一种基于动静组合应力分析冲击地压危险监测预警方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810174843.8无效
发明人：清水昭博;大木长斗司;野中裕介;一濑胜彦 -专利权人：株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社
申请日： 2001-06-29 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有在半导体基板的一主面的第1区域构成了沟道形成区域的n沟道导电型场效应晶体管、及在上述半导体基板的一主面的与第1区域不同的第2区域构成了沟道形成区域的p沟道导电型场效应晶体管，在该半导体器件中，在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力、与在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力相互不同。在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力是拉伸应力，在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力是压缩应力。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种预应力下的有机玻璃箱梁模型剪力滞效应的实验装置-CN201920313190.0有效
发明人：蔺鹏臻;刘应龙;雒敏 -专利权人：兰州交通大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： G01M5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种预应力下的有机玻璃箱梁模型剪力滞效应的实验装置，包括有机玻璃箱梁模型、模拟预应力钢筋的钢丝绳、模拟锚具和定位钢丝绳的钢丝绳定位器、模拟施加预应力的钢丝绳收紧器、实现预应力筋连接的钢丝绳紧固夹、预应力施加大小实时测试的S型拉力传感器、箱梁剪力滞效应应变测试系统。其特征在于在有机玻璃箱梁模型上，在拟模拟预应力作用的位置，粘贴有钢丝绳定位器，将钢丝绳通过钢丝绳紧固夹紧固，钢丝绳紧固夹之间串联有钢丝绳收紧器和S型拉力传感器，S型拉力传感器和计算机之间通过静态应变采集仪连接本实用新型针对有机玻璃箱梁模型，提供了一种有效的预应力加载装置，所测数据能够真实反映预应力作用下箱梁的剪力滞效应，模拟程度高，实用性好，易于实施。
钢丝绳有机玻璃箱采集仪紧固夹剪力钢丝绳定位器本实用新型钢丝绳收紧预应力作用预应力加载装置应变测试系统定位钢丝绳预应力钢筋预应力施加控制系统连接电源实时测试实验装置应变测试预应力筋紧固锚具下箱箱梁粘贴串联施加计算机

[发明专利]电池多尺度等效分析方法和装置-CN202110333225.9在审
发明人：赵帅;王林;李伟;郑颢;王玉超;许杨剑 -专利权人：广州汽车集团股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：将动力电池中的卷芯结构作为代表性体积单元，构建细观尺度模型，基于所述代表性体积单元和所有所述卷芯结构之间的特定连接关系，构建宏观尺度模型；对所述细观尺度模型进行求解，获取所述细观尺度模型对应的等效刚度张量和等效应力；基于所述细观尺度模型对应的等效刚度张量和等效应力，对所述宏观尺度模型进行耦合计算，更新所述宏观尺度模型中与所述细观尺度模型相对应的积分点的等效刚度张量和等效应力。该方法可以有效提高动力电池仿真分析的计算效率，且可充分反映动力电池的力学特性。
电池尺度等效分析方法装置

[发明专利]缺口-尺寸效应下耦合应变能梯度的结构疲劳寿命评估方法-CN202111287098.X在审
发明人：朱顺鹏;李雪康;菅敏;王喆;伊枭剑;廖鼎;何金超 -专利权人：电子科技大学;内蒙古第一机械集团有限公司;北京理工大学
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G06F30/15 文献下载
摘要：本发明公开一种缺口–尺寸效应下耦合应变能梯度的结构疲劳寿命评估方法，应用于可靠性分析领域，针对含缺口金属结构件在外部载荷作用下普遍存在的缺口效应(局部应力集中)和尺寸效应问题；本发明通过耦合应变能梯度，建立了一种尺寸效应下不同应力比作用的缺口结构疲劳寿命预测和评估方法；以基于稳定迟滞回线计算得到的总应变能密度为基础，建立合理的缺口结构疲劳寿命预测模型；利用应变能梯度定义不同缺口–尺寸效应下损伤区域的边界长度和体积并提取应变能密度；用权函数来表征缺口–尺寸效应下有效损伤区内不同位置的应变能密度对结构全局疲劳损伤的贡献；最终以概率模型来描述疲劳寿命的分散性。
缺口尺寸效应耦合应变梯度结构疲劳寿命评估方法

[发明专利]一种高地应力因素主导下地下洞室纵轴线布置方法-CN201911182405.0有效
发明人：侯东奇;金伟;张顺利;刘瑞雪;杨英;魏映瑜 -专利权人：中国电建集团成都勘测设计研究院有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： E21D9/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种高地应力因素主导下地下洞室纵轴线布置方法，属于岩石力学地下工程洞室布置设计技术领域，用以解决高地应力因素主导下的地下洞室纵轴线布置优化设计问题，减轻或规避因洞室围岩偏压而引起的严重变形破坏风险本发明提出以主应力空间π平面法向的水平投影方向为参考方向，使高地应力条件下洞室的纵轴线尽量与上述水平投影方向呈较小夹角甚至重合的方向进行布置，可有效地提高洞室纵向压缩效应，减小洞室横向剪切变形效应，以充分利用高地应力引起的高围压增加围岩自承载能力
一种高地应力因素主导地下纵轴布置方法

[发明专利]一种材料多轴蠕变失效应变预测方法-CN201710169462.X有效
发明人：张玉财;蒋文春;王传龙;涂善东;王宁 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种材料多轴蠕变失效应变预测方法，属于应变预测技术领域。其特征在于：包括如下步骤：步骤（1），获得材料蠕变速率和应变速率之间的关系；步骤（2），由幂律蠕变控制孔洞长大理论，获得单轴及多轴应力状态参数；步骤（3），表示单轴及多轴应力作用下的蠕变失效应变，并获得多轴蠕变延性因子；步骤（4），获得不同应力状态下的多轴蠕变失效应变拟合参数，从而得到多轴蠕变延性因子预测方程；步骤（5），利用有限元软件预测材料在多轴应力状态下的蠕变失效应变及其寿命。本材料多轴蠕变失效应变预测方法能够通过材料在多轴应力状态下的蠕变失效应变计算方法，更准确地预测材料在高温状态下的多轴蠕变的失效应变。
一种材料多轴蠕变失效应变预测方法

[发明专利]应力敏感损害油气层的建模方法、损害程度时空演化4D定量与智能诊断方法及其系统-CN202110991116.6有效
发明人：蒋官澄;朱鸿昊;贺垠博;杨丽丽;彭春耀;董腾飞;骆小虎;罗绪武;梁兴;谭宾;冉启华;刘小波;程荣超;全晓虎;崔凯潇;蔡军 -专利权人：中国石油大学（北京）
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01V99/00 文献下载
摘要：本发明涉及油田勘探技术领域，公开了一种应力敏感性损害储层的建模方法、确定储层损害程度的方法及其系统。所述建模方法包括：确定待诊断井的预设区域内的储层受到的有效应力；根据所述储层的孔隙的孔径分布特征、所述有效应力下的所述储层的各个毛管束的直径与长度、及流体流量公式，确定所述储层中的流体的流量，其中，所述毛管束由多个固体基质及所述多个固体基质之间的孔隙组成；以及根据所述储层的渗透率模型及所述储层中的流体的流量，确定应力敏感性损害储层的时空演化模拟方程。本发明可定量模拟由应力敏感性引起的储层损害特征的四维时空演化过程，从而对未发生储层损害的井进行储层损害定量预测和损害规律时空推演。
应力敏感损害油气建模方法程度时空演化定量智能诊断及其系统

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110090704.9有效
发明人：殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；衬底中的场效应晶体管；场效应晶体管上的第一层间介质层，所述第一层间介质层为应力介质材料；第一层间介质层上的第二层间介质层。利用场效应晶体管上的为应力介质材料的第一层间介质层，增加对场效应晶体管器件的应力作用，通过提高作用空间的体积来增强对器件的应力，解决由于空间减小不能满足器件应力需求的问题。
半导体器件及其制造方法

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