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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810174843.8无效
发明人： 清水昭博;大木长斗司;野中裕介;一濑胜彦 -专利权人：株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社
申请日： 2001-06-29 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有在半导体基板的一主面的第1区域构成了沟道形成区域的n沟道导电型场效应晶体管、及在上述半导体基板的一主面的与第1区域不同的第2区域构成了沟道形成区域的p沟道导电型场效应晶体管，在该半导体器件中，在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力、与在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力相互不同。在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力是拉伸应力，在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力是压缩应力。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]回收方法和利用回收方法制造的成像设备-CN200710154349.0无效
发明人：加藤隆行;山本康义;船越雅浩;齋藤雅昭;竹内郁夫;鵜林伸介;吉川直弥;清水昭博;宫泽英朗 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2002-08-23 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： G03G21/00 文献下载
摘要：一种含有部件的设备的回收方法，包括：收集步骤：用于从设备中收集部件；处理步骤：用于处理收集的部件，使它适应于有不同技术规格的设备；和安装步骤：用于安装在处理步骤中处理后的部件到设备上。
回收方法利用制造成像设备

[发明专利]纸处理系统-CN200410084175.1有效
发明人：中村智一;佐藤彰洋;清水昭博;后藤达也;平井克明;栉田秀树 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2004-10-15 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： B41J29/38 文献下载
摘要：为了提供一种并行地执行多件任务，生产率高的纸处理系统，并行地执行作为一件任务的将用复印部300形成图像的纸装载到纸装载装置500上的任务，以及，作为另外的任务，将储存在插页机600中的多页特殊纸张用整理器700打捆进行钉缀处理后输出的装订任务。
处理系统

[发明专利]纸张处理装置-CN200410084185.5无效
发明人：后藤达也;佐藤彰洋;清水昭博;平井克明;栉田秀树;中村智一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2004-10-15 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： G03G15/00 文献下载
摘要：在能够并行执行多个把纸张处理装置的一个或者多个组合起来(打印机(300)与纸张装载装置(500)，插入器(600)与修整器(700))进行动作的任务(1、2)的纸张处理系统A中，CPU电路单元(150)在由检测传感器(S54)检测出了盖板(551)是开状态的情况下，独立地进行使用能够从盖板(551)的开口访问的水平传送路径(502)以及传送辊对(503、504、505)的一方任务(1)和没有使用能够从盖板(551)的开口访问的部分的另一方任务(2)的停止控制。
纸张处理装置

[发明专利]片材处理系统-CN200410084172.8无效
发明人：中村智一;佐藤彰洋;清水昭博;后藤达也;平井克明;栉田秀树 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2004-10-15 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： B41L43/02 文献下载
摘要：一种片材处理系统，包括：多个片材处理装置，主片材输送路径，副片材输送路径，控制片材处理装置的控制器。控制器在使用主片材输送路径执行一件任务的同时，使用副片材输送路径执行与前述一件任务并列的另一件任务。
处理系统

[发明专利]显影剂供应装置和显影剂供应容器-CN03136986.3有效
发明人：加藤隆行;清水昭博 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2003-05-26 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： G03G15/08 文献下载
摘要：一种显影剂供应装置包括：一个用于可拆卸地保持具有一个显影剂排出口以及一个用于密封显影剂排出口的密封构件的显影剂供应容器的保持构件；一个可旋转地支承在保持构件上的可旋转构件；一个设置在位于可旋转构件和保持构件之间的连接部分上的转化机构，用于把可旋转构件的转动转化为保持构件的滑动操作；其中，密封构件通过滑动操作从封闭位置移动到打开位置。
显影剂供应装置容器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN01814948.0无效
发明人： 清水昭博;大木长斗司;野中裕介;一濑胜彦 -专利权人：株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社
申请日： 2001-06-29 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，具有在半导体基板的一主面的第1区域构成了沟道形成区域的n沟道导电型场效应晶体管、及在上述半导体基板的一主面的与第1区域不同的第2区域构成了沟道形成区域的p沟道导电型场效应晶体管，在该半导体器件中，在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力、与在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力相互不同。在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力是拉伸应力，在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力是压缩应力。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03120531.3有效
发明人：钵嶺清太;清水昭博;大木長斗司;酒井哲;山本直樹 -专利权人：株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社
申请日： 2003-03-13 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在此提供一种制造具有分别形成在半导体基片上的n型FET和p型FET的半导体器件的方法，其中包括：(a)在所述n型FET和p型FET上形成第一绝缘膜，用于在沟道形成区中产生伸张应力，以覆盖所述晶体管的栅极，并且用一个绝缘膜覆盖所述p型FET的栅极和所述半导体基片的元件隔离区之间的半导体区域；(b)通过蚀刻有选择地从所述p型FET的上表面除去所述第一绝缘膜；(c)在所述n型FET和所述p型FET上形成第二绝缘膜，用于在所述p型FET的沟道形成区中产生压缩应力，以覆盖所述晶体管的栅极；以及(d)有选择地除去在n型FET上的第二绝缘膜。本发明可以同时增加n型FET和p型FET的漏极电流(提高电流驱动能力)。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]回收方法和利用回收方法制造的成像设备-CN02142207.9无效
发明人：加藤隆行;山本康义;船越雅浩;齋藤雅昭;竹内郁夫;鵜林伸介;吉川直弥;清水昭博;宫泽英朗 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2002-08-23 - 公布日： 2003-03-12 - 主分类号： G03G21/00 文献下载
摘要：一种含有部件的设备的回收方法，包括收集步骤用于从设备中收集部件；处理步骤用于处理收集的部件，使它适应于有不同技术规格的设备；和安装步骤用于安装在处理步骤中处理后的部件到设备上。
回收方法利用制造成像设备