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- [发明专利]曝光装置及曝光方法-CN201210586861.3有效
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许琦欣;郑乐平
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上海微电子装备有限公司
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2012-12-28
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2014-07-02
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G03F7/20
- 一种曝光装置，用于对涂胶基底进行至少两次曝光，包括至少两个SLM、运动机构、投影物镜、工件台、涂胶基底以及控制单元，至少两个空间光调制器分别安装于运动机构上，SLM、所述运动机构以及工件台分别由控制单元控制，载有涂胶基底的工件台在控制单元的控制下运动到待曝光位置，运动机构在控制单元的控制下将至少两个SLM依次调整至投影物镜的物面进行曝光，每个空间光调制器在控制单元的控制下依次进行数据载入阶段、器件重置阶段和图形显示阶段，控制单元控制各空间调制器同时进行上述任一阶段，从而提高所有SLM整体的有效刷新率，提高无掩模光刻设备的产率，并减少了SLM图形的显示时间，可使用连续光源制作高分辨率图形。
- 曝光装置方法
- [发明专利]转移图形的方法-CN01142997.6有效
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洪齐元;张庆裕
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旺宏电子股份有限公司
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2001-12-05
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2003-06-11
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G03F7/20
- 一种转移图形的方法,是通过两阶段曝光将图形由光罩转移至晶片表面的光阻层上。第一阶段为对欲形成图形区域的光阻层,以一第一光源能量及第一光罩进行第一阶段曝光,以改变光阻层的材料性质。第一光罩包含第一图形。第二阶段使用一含有第二图形的第二光罩,并使用一第二光源能量对欲形成图形区域上光阻层进行曝光。第二光罩包含不规则分布或规则分布的第二图形。最后进行显影后,若使用的光阻层为正光阻层,则经过两次曝光的光阻层将被移除,若使用的光阻层为负光阻层,则经过两次曝光的光阻层将保留而形成所需图形。
- 转移图形方法
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