专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]曝光方法-CN200810004639.1有效
  • 陈儒德;吴文宗 - 联华电子股份有限公司
  • 2008-01-21 - 2009-07-29 - G03F7/20
  • 一种曝光方法,用于制造一元件,其包括:提供具有多个曝光区的一晶圆。其中晶圆上覆盖有一光阻层。提供具有多个曝光区反馈参数组的一反馈参数地图,而曝光区反馈参数组分别相对应于晶圆的曝光区。曝光区反馈参数组中至少一组曝光区反馈参数组与其他曝光区反馈参数组不同。根据反馈参数地图,以一曝光工具,在晶圆上的每一曝光区依序进行一曝光制程,以图案化晶圆上的光阻层。其中曝光工具在每一曝光区进行曝光制程时,是根据反馈参数地图中,相对应在每一曝光区的曝光区反馈参数组,调整曝光工具的一曝光制程参数组。
  • 曝光方法
  • [发明专利]曝光控制系统及其方法-CN201510511407.5有效
  • 林晋安;李宗德;林耿生;王浩任;陈信宇 - 广达电脑股份有限公司
  • 2015-08-19 - 2019-04-26 - H04N5/235
  • 本发明提供一种曝光控制系统及其方法。该曝光控制系统包括:一图像提取单元,用以一第一曝光值及一第二曝光值对一场景提取长曝光图像及短曝光图像;以及一处理器,用以分别计算长曝光图像及短曝光图像的直方图,并依据长及短曝光图像的直方图、第一曝光值、及第二曝光值计算曝光比,其中当曝光比小于一第一阈值时,处理器将当前曝光模式切换至一低动态范围模式,其中当曝光比大于一第二阈值时,处理器将当前曝光模式切换至一高动态范围模式,其中当曝光比介于第一阈值及第二阈值之间时,处理器不切换当前曝光模式。
  • 曝光控制系统及其方法
  • [发明专利]曝光机的曝光方法-CN200910148715.0有效
  • 徐福润 - 景兴精密机械有限公司
  • 2009-06-30 - 2011-01-05 - G03F7/20
  • 本发明曝光机的曝光方法,曝光机具有一曝光平台供承载被加工物及原稿,另于曝光平台上方处设有至少一光源组用以产生朝向曝光平台照射曝光光源,再以该光源组依照预设路径位移的方式,让曝光光源到达曝光平台的预定区域,而对曝光平台上的被加工物进行曝光显影;俾可大幅减少灯泡数量,相对缩减整体曝光机的体积,降低设备成本,以及降低曝光机的聚热现象;尤其,光源组仅通过曝光平台需要被曝光光源照射的区域,因此不会浪费不必要的加工成本
  • 曝光方法
  • [实用新型]一种背面曝光-CN202021111052.3有效
  • 兰沈凯;催豪;吴杰明 - 信利(仁寿)高端显示科技有限公司
  • 2020-06-16 - 2020-12-04 - G03F7/20
  • 本实用新型公开了一种背面曝光机,包括曝光光源、机架、透明曝光平台和抽真空装置,其中机架包括水平架和支撑水平架的竖直架,所述水平架开设有开口,对应开口、所述透明曝光平台固定在水平架上,所述待曝光基板固定在透明曝光平台的上端面上,且所述待曝光基板的功能面背向所述透明曝光平台设置。实施本实用新型,通过将曝光平台设置为透明曝光平台,待曝光基板的功能面背向透明曝光平台设置,采用背面曝光的方式,可以改善正面曝光方式产生的基板底部曝光不充分进而产生Under cut现象。
  • 一种背面曝光
  • [发明专利]曝光机及曝光系统-CN201710279243.7在审
  • 李凯波;张晨;胡超;王欢;崔家卿 - 昆山国显光电有限公司
  • 2017-04-25 - 2017-07-04 - G03F7/20
  • 本发明涉及一种曝光机及曝光系统,曝光机对涂布有感光材料的待曝光基板进行曝光曝光机包括激发装置及发光装置。所述发光装置位于所述激发装置与所述待曝光基板之间。所述激发装置根据曝光图形向所述发光装置发射激发物质。所述发光装置在受到所述激发物质的激发下向所述待曝光基板发射光线,以对所述待曝光基板进行曝光。该曝光机及曝光系统无需采用掩膜版,而是在激发装置的激发下使得发光装置向待曝光基板发射光线从而实现曝光,并且只需要调节激发装置发射的激发物质的状态,即可根据不同的曝光图形对待曝光基板进行曝光,从而适用于各种不同类型的集成电路,避免了传统曝光工艺需要每次更换掩膜版的步骤,节约了成本而且降低了加工难度。
  • 曝光系统
  • [发明专利]一种新型双面双载板机构数字化直写曝光机及曝光方法-CN201910419633.9在审
  • 汪孝军;梅文辉;阳强;李贵鸿 - 中山新诺科技股份有限公司
  • 2019-05-20 - 2020-11-20 - G03F7/20
  • 本发明实施例公开了一种新型双面双载板机构数字化直写曝光机,包括曝光机基座,还包括设置在曝光机基座上用于对感光板曝光的上面进行曝光的上端曝光引擎系统、设置在曝光机基座上用于对感光板曝光另一面进行曝光的下端引擎曝光系统、设置在曝光机基座上用于夹持感光板运动至曝光区域的双工作台载板机构,以及引擎、双工作台、视觉系统标定机构,保证系统曝光图形精度;由于无需像传统双面曝光机的玻璃夹板机构,与感光板面无接触,极大地提高了曝光良率外层感光板曝光流程,不需翻板对位流程,一次对位同时进行正反两面同时曝光;内层感光板曝光流程,不需打标和翻板对位流程,同时进行正反两面同时曝光
  • 一种新型双面板机数字化曝光方法
  • [发明专利]曝光方法、曝光装置以及物品制造方法-CN201910825064.8在审
  • 永井善之;籔伸彦 - 佳能株式会社
  • 2019-09-03 - 2020-03-17 - G03F7/20
  • 提供一种曝光方法、曝光装置以及物品制造方法,该技术能够一边维持生产率一边降低曝光不均。曝光方法是曝光装置中的曝光方法,该曝光装置包含将掩模的图案投影到基板的投影光学系统,该曝光装置对所述基板进行扫描曝光,该曝光方法具有:取得在扫描曝光中发生的所述投影光学系统的光学特性的变动的信息的工序;以降低由所述变动产生的曝光不均的方式来确定作为所述基板上的每一个点的曝光时间的目标值的目标曝光时间的工序;以使所述基板上的每一个点的曝光时间成为已确定的所述目标曝光时间的方式来调整曝光条件的工序;以及按照调整过的所述曝光条件来进行所述基板的扫描曝光的工序
  • 曝光方法装置以及物品制造
  • [发明专利]一种直播间的曝光控制方法、装置、介质及设备-CN202210320785.5在审
  • 王璐 - 武汉斗鱼鱼乐网络科技有限公司
  • 2022-03-29 - 2022-08-02 - H04N21/2187
  • 本发明提供一种目标直播间的曝光控制方法、装置、介质及设备,包括:获取目标直播间的当天必须曝光量;确定目标直播间截止到当前时间窗口时的预估累计曝光量以及当天对应的预估总曝光量;根据预估累计曝光量、预估总曝光量及当天必须曝光量确定目标直播间在当前时间窗口的曝光概率;基于曝光概率在当前时间窗口对目标直播间进行曝光;如此,由于预估累计曝光量及预估总曝光量是和历史时间窗口对应的历史曝光量相关的,在确定当前时间窗口的曝光概率时充分考虑到对应历史时间窗口的曝光量,若历史时间窗口的曝光量存在变化,当前时间窗口的曝光概率也可以随之动态变化,故可提高曝光概率的精度,提高目标直播间的曝光效果及直播平台的精准运营。
  • 一种直播曝光控制方法装置介质设备
  • [发明专利]曝光装置及曝光加工方法-CN201910599001.5有效
  • 徐占辉;张晓辉;裴强胜;刘涛;何李志;尹建刚;高云峰 - 大族激光科技产业集团股份有限公司
  • 2019-07-04 - 2022-01-04 - G03F7/20
  • 本发明涉及一种曝光装置及曝光加工方法,该曝光装置包括激光输出模块、曝光镜头、载台、移动机构和控制模块,激光输出模块所输出的激光束通过光路系统传至曝光镜头,曝光镜头包括多个调光通道,多个调光通道通过选择性地开闭,形成曝光图案;载台上设有能量检测模块,能量检测模块能够检测曝光镜头的曝光能量;控制模块用于根据曝光能量调整激光输出模块的输出功率;当曝光镜头相对载台移动并对载台上的工件进行曝光时,控制模块调整曝光图案本发明的曝光装置及曝光加工方法,能量检测模块检测并通过控制模块对激光输出模块调控,并采取移动曝光的方式对工件进行大幅面曝光,确保曝光能量一致,提高曝光效果,且无需多套光路组合,降低了成本。
  • 曝光装置加工方法
  • [发明专利]一种优化光学邻近效应修正中曝光辅助图形的方法-CN202010802375.5有效
  • 付欣欣;于世瑞 - 上海华力微电子有限公司
  • 2020-08-11 - 2023-04-28 - G03F1/36
  • 本发明提供一种优化OPC中曝光辅助图形的方法,主要包括:生成光阻模型,在待优化的曝光图形中增加曝光辅助图形,并对比增加前后的曝光图形的中心光强极值、对比度和曝光关键尺寸;若满足条件,则对比曝光辅助图形的中心光强极值和曝光图形的成像阈值,若满足条件,则输出曝光辅助图形的设置规则。通过对比增加曝光辅助图形前后的曝光图形的中心光强极值、对比度和曝光关键尺寸可以筛选出对曝光图形曝光有益的曝光辅助图形的设置规则;对比曝光辅助图形的中心光强极值和曝光图形的成像阈值可以确保曝光辅助图形不会成像通过简单的计算就可以将符合要求的曝光辅助图形规则提取出来,解决了现有技术中曝光辅助图形规则不易提取且计算量大的问题。
  • 一种优化光学邻近效应修正曝光辅助图形方法
  • [发明专利]晶圆边缘曝光方法、晶圆边缘曝光装置及掩膜板-CN202010206803.8有效
  • 陈琦南 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-03-23 - 2023-01-20 - G03F7/20
  • 本发明涉及半导体制作领域,公开了一种晶圆边缘曝光方法、晶圆边缘曝光装置及掩膜板。其中,晶圆边缘曝光方法,包括:提供晶圆,所述晶圆边缘具有多个待曝光区域和与所述多个待曝光区域临接的非曝光区域;提供晶圆边缘曝光装置,所述晶圆边缘曝光装置依次对准各所述待曝光区域、且与所述非曝光区域相互隔离,对各所述待曝光区域进行曝光处理。与现有技术相比,本发明实施方式所提供的晶圆边缘曝光方法、晶圆边缘曝光装置及掩膜板具有在保证晶片的曝光效果的同时、减少曝光过程中对有效晶片的损伤的优点。
  • 边缘曝光方法装置掩膜板

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