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[发明专利]制备半导体器件的方法-CN98109612.3无效
发明人：广田俊幸 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-06-04 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：根据本发明，提供了一种方法，该方法可以确保形成DRAM中的半球形硅晶颗粒，其中DRAM具有堆栈电容器结构，而该结构中具有半球形硅晶颗粒，该方法可以将足量的杂质引入半球形硅晶颗粒，并可以防止耗尽引起的电容器退化在本发明中，第一硅薄膜制作在具有MOS晶体管的半导体衬底上，并制成预定形状，然后在第一硅薄膜表面形成自生氧化层。顺次地，形成含有杂质的第二硅薄膜和不含杂质的第三硅薄膜，然后在不将其暴露在空气中的条件下，进行退火处理，形成半球形硅晶颗粒。此后，利用深腐蚀工艺将电极彼此分离，形成存储电极，最后形成介质薄膜和平板电极，制成电容器。
制备半导体器件方法

[发明专利]金属-绝缘体-金属电容器-CN202011015487.2有效
发明人：黃吉河;谈文毅 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，包含一半导体基底，其上具有一导体层；一介电层，覆盖所述半导体基底和所述导体层；一第一电容器电极，设置在所述介电层上，其中从上方观察时，所述第一电容器电极与所述导体层部分重叠；一电容器介电层，设置在所述第一电容器电极上；一第二电容器电极，设置在所述电容器介电层上；以及至少一个通孔，设置在所述介电层中并且将所述第一电容器电极与所述导体层电连接。
金属绝缘体电容器

[发明专利]一种电容器保护设备及串联补偿装置-CN201610855005.1在审
发明人：胡信龙 -专利权人：上海北堃电力科技有限公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种电容器保护设备及串联补偿装置，属于电容器保护技术领域。其中，本发明公开的一种电容器保护设备包括限压装置、晶闸开关、旁路开关、阻尼装置和快速开关；限压装置并联于卧式电容器组；晶闸开关与旁路开关串联后并联于卧式电容器组；阻尼装置与快速开关串联后并联于旁路开关。本发明通过限压装置、快速开关和旁路开关的先后动作为卧式电容器组提供了多级保护，限压装置为一级保护；快速开关为二级保护，同时为限压装置提供一级保护；旁路开关为三级保护，同时为快速开关和阻尼装置提供二级保护，各级保护逐个开启，既提高了电容器使用寿命，又提高了保护器件使用寿命，提高了输电线路的稳定性。
一种电容器保护设备串联补偿装置

[发明专利]一种电容器保护设备及串联补偿装置-CN201610855016.X在审
发明人：胡信龙 -专利权人：上海北堃电力科技有限公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种电容器保护设备及串联补偿装置，属于电容器保护技术领域。其中，本发明公开的一种电容器保护设备包括限压装置、晶闸开关、旁路开关、阻尼装置和真空永磁开关；限压装置并联于立式电容器组；晶闸开关与旁路开关串联后并联于立式电容器组；阻尼装置与真空永磁开关串联后并联于旁路开关本发明通过限压装置、真空永磁开关和旁路开关的先后动作为立式电容器组提供了多级保护，限压装置为一级保护；真空永磁开关为二级保护，同时为限压装置提供一级保护；旁路开关为三级保护，同时为真空永磁开关和阻尼装置提供二级保护，各级保护逐个开启，既提高了电容器使用寿命，又提高了保护器件使用寿命，提高了输电线路的稳定性。
一种电容器保护设备串联补偿装置

[发明专利]叠层电容器-CN200680043046.5有效
发明人：高岛宽和;上冈浩;高木义一 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2006-11-01 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明的叠层电容器中，在实现低ESL化和高ESR化的同时，能够容易地在高频侧或低频侧设定谐振频率。在电容器本体(8)中，在叠层方向排列配置第一电容器部(11)和第二电容器部(12)。一面使第一电容器部(11)的谐振频率比第二电容器部(12)的谐振频率高，使得第一电容器部(11)有助于低ESL化，一面使第二电容器部(12)的每1层的ESR比第一电容器部(11)的每1层的ESR高，使第二电容器部并且，使第一电容器部(11)的总ESR比第二电容器部(12)的总ESR或低、或高。
电容器

[实用新型]一种3D-硅基电容器组-CN202222511565.9有效
发明人：牟舜禹;谢波;李军;黄俭帮;李少奎;赵军胜;彭小丽;田承浩 -专利权人：成都宏科电子科技有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01G4/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种3D‑硅基电容器组，包括至少两个电容器本体，当包括两个电容器本体时，两个所述电容器本体之间通过导电粘结层串联或并联连接形成3D‑硅基电容器组；当包括大于两个电容器本体时，多个所述电容器本体之间通过电极并联连接形成3D‑硅基电容器组，且所述电容器本体之间通过绝缘层连接。本实用新型的有益效果为根据不同电容器的结构以及不同电容器的规格数量，将电容器之间通过粘结层或电极，来实现将多个电容器结构并联或串联为一个3D‑硅基电容器结构，能够使得构造的3D‑硅基电容器的容量大，且耐高压
一种电容器

[实用新型]一种新型电容器-CN201420737069.8有效
发明人：段仲达 -专利权人：绍兴上虞宏晟技术转让服务有限公司
申请日： 2014-12-01 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01G2/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型电容器，包括电容器外壳，所述电容器外壳的外部设有金属罩，电容器外壳处于金属罩内腔中，且金属罩与电容器外壳的开口处的外沿连接固定，所述金属罩与电容器外壳之间设有一层软性橡胶层，所述软性橡胶层内设有空气腔本实用新型提供的一种新型电容器的优点在于：通过在电容器外壳的外部设置金属罩，且在金属罩与电容器外壳之间设置一层软性橡胶层，且在软性橡胶层内设有空气腔，在电容器长期使用发热而产生爆炸时，由于软性橡胶层的弹性作用，以及空气腔的缓冲作用，在电容器爆炸时，不会将四周其他电子元器件毁坏，从而有效防止整个电路系统损坏，节约大量成本，且安全可靠。
一种新型电容器

[发明专利]一种石墨烯基高压脉冲薄膜电容器-CN201710372668.2在审
发明人：董健年;余延顺;张军;崔艳丽;臧敏 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯基高压脉冲薄膜电容器，所述电容器由1个以上电介质层和1个以上石墨烯电极层交替叠层方式构成，所述的石墨烯电极层由连接的金属化膜和石墨烯薄膜组成。本发明在电容器电极表面增设石墨烯薄膜，可以利用石墨烯薄膜优良的面导热性能，将电容器层间电极的热量快速转移至电容器电极外，以显著降低电容器内电极的热积累，实现对电容器内电极的温度控制与热管理，降低电容器因温升导致的电场强度损耗，有利于稳定脉冲电容器的储能量，便于实现电容器的小型化与大容量化。
一种石墨高压脉冲薄膜电容器

[实用新型]一种散热优良的电容器-CN201620273833.X有效
发明人：陈佳露 -专利权人：陈佳露
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01G4/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种散热优良的电容器，包括电容器外壳、两个电极引脚、端盖、硬质绝缘内胆、绝缘填充料和电容器芯，硬质绝缘内胆设置在电容器外壳内，电容器芯设置在硬质绝缘内胆内，绝缘填充料设置在电容器外壳内并且填充在硬质绝缘内胆和电容器芯之间，电容器芯上的极性端设有电极引脚，所述电容器外壳的内壁上设置有散热层，且所述散热层通过粘胶剂粘接在电容器外壳内壁上，所述散热层的厚度为3mm‑5mm，并在所述散热层上开设有散热孔。本实用新型结构简单、设计合理，通过设置有散热层，能够提高其散热效果，增加其使用寿命。
一种散热优良电容器

[发明专利]多层栅模拟CMOS工艺边缘应力优化集成方法和低电压系数多晶电容器-CN202210935982.8在审
发明人：殷万军;杨永晖;刘玉奎;钟怡;朱坤峰;龚榜华;曹依琳;谭开洲;黄磊 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开多层栅模拟CMOS工艺边缘应力优化集成方法和低电压系数多晶电容器，方法步骤包括：1)形成低电压系数集成双多晶电容器区的N型阱，在N型阱以外区域形成自对准P型阱；2)淀积低电压系数集成双多晶电容器下电极多晶膜层；3)淀积双多晶电容器第一层介质，并实现双多晶电容器下电极边缘保护层制作；4)淀积电容器介质层，并完成电容器介质层结构制作；低电压系数多晶电容器包括P型衬底、P型外延层、N型阱、自对准P型阱、场氧化层、牺牲氧化层、栅氧化层、多晶膜层、二氧化硅介质层、电容介质层、低介电系数填充膜层、金属互连膜层、顶层金属键合区外保护介质钝化层；本专利改善了双多晶电容器的边缘效应，降低了可集成双多晶电容器的机械应力。
多层模拟 cmos 工艺边缘应力优化集成方法电压系数多晶电容器

[发明专利]固体电解电容器及其制造方法和制造设备-CN200410008561.2有效
发明人：竹谷丰;吉田觉昭;上川秀德;岸本泰广;小岛洋一;高松武史;药井博 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 1998-10-14 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01G9/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种固体电解电容器，能减小电容器体与引线架之间的接触电阻和这些构件的内阻。还涉及固体电解电容器的制造方法，包括步骤：阀金属的阳极体上形成介质氧化膜，氧化膜上形成固体导电物质的阴极层以构成电容器芯；电容器芯的阴极层上涂碳层，碳层上涂银浆层以制成电容器体；用银粘接剂把引线架粘接到电容器的银浆层上涂有碳层的电容器芯与银浆相互振动，电容器芯浸入银浆中，并按振动方向从银浆内取出，使碳层上涂银浆层。引线架表面用其导电率比引线架基体的导电率高的高导电材料局部或全部形成高导电层，高导电层从电容器体的连接件延伸到外电路连接件。
固体电解电容器及其制造方法设备

[发明专利]固体电解电容器及其制造方法和制造设备-CN98124315.0有效
发明人：竹谷丰;岸本泰広;吉田觉昭;小岛洋一;上川秀德;高松武史;药井博 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋电子部品株式会社
申请日： 1998-10-14 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01G9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种固体电解电容器，能减小电容器体与引线架之间的接触电阻和这些构件的内阻。还涉及固体电解电容器的制造方法，包括步骤：阀金属的阳极体上形成介质氧化膜，氧化膜上形成固体导电物质的阴极层以构成电容器芯；电容器芯的阴极层上涂碳层，碳层上涂银浆层以制成电容器体；用银粘接剂把引线架粘接到电容器的银浆层上涂有碳层的电容器芯与银浆相互振动，电容器芯浸入银浆中，并按振动方向从银浆内取出，使碳层上涂银浆层。引线架表面用其导电率比引线架基体的导电率高的高导电材料局部或全部形成高导电层，高导电层从电容器体的连接件延伸到外电路连接件。
固体电解电容器及其制造方法设备

[发明专利]层间电容器的形成方法-CN200710173566.4有效
发明人：顾学强 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间电容器的形成方法，其利用一刻蚀阻挡层作为电容器介质，而无需额外的介质层淀积来形成电容器介质，同时利用同一金属层来形成上层金属连线与电容器上极板，具体包括如下步骤：于一电容器下极板形成后，淀积一刻蚀阻挡层和一层间介质膜；通过刻蚀，于层间介质膜中形成一电容器极板沟槽，其中该电容器极板沟槽穿过层间介质膜而止于刻蚀阻挡层并暴露出部分刻蚀阻挡层，以所暴露出的刻蚀阻挡层作为电容器介质；于该电容器极板沟槽内形成一电容器上极板
电容器形成方法

[发明专利]集成电路、集成电路的金属化结构及其制造方法-CN202111186473.1在审
发明人：杨奇翰;陈龙辉;陈冠宇;魏士展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)的金属化结构包含：金属间介电(IMD)层；图案化金属层，嵌入在IMD层中；图案化顶部金属层，配置在IMD层上；电通孔，包括穿过IMD层的通孔材料且连接图案化顶部金属层和嵌入在IMD层中的图案化金属层；以及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。MIM电容器包含：第一电容器金属层，包括接触嵌入在IMD层中的图案化金属层的MIM电容器着陆区域的通孔材料；第二电容器金属层，包括接触图案化顶部金属层的第一MIM电容器端子区域的通孔材料；以及绝缘体层，配置在第一电容器金属层与第二电容器金属层之间。
集成电路金属化结构及其制造方法

[发明专利]内装电容器模块和其制造方法及用于它的电容器-CN200410085129.3有效
发明人：平野浩一;吉田雅宪;中谷诚一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01G17/00 文献下载
摘要：一种内装电容器模块，包括内装电路板(53a、53b)和内装电容器(45)的电容器内装层(43a)，上述电路板(53a)包括用于与上述电容器(45)的阴极和阳极通电的配线层(41)和连接触头(44)，上述电容器内装层(43a)包括与上述电容器(45)的某个表面的至少一部分一体化的铁磁性层(31)，在上述电路板(53a、53b)或上述电容器内装层(43a)中配置卷绕上述电容器(45)的线圈(A1－A16)，或者与上述电容器并列配置电感器部件由此，提供一种能够实现小型化和高密度化及薄型化的内装电容器模块和其制造方法及用于它的电容器。
电容器模块制造方法用于