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[发明专利]一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法-CN202010045548.3有效
发明人：胡竞楚;杨昌平;李慧娟;徐玲芳;余昌昊;梁世恒;王瑞龙;肖海波;胡季帆 -专利权人：太原科技大学;湖北大学;南京铱方巨人新能源科技有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明涉及半导体、电子功能材料领域，公开了一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法，所述绝缘化剂中包括Pb3O4:Sub>、CuO、B2O3按一定质量比混合制成新的绝缘化剂，并通过瓷片绝缘化的过程，使用绝缘化剂，得到电阻值更高的电容器瓷片，提高电容器的性能。
一种提高晶界层电容器电阻绝缘及其使用方法

[发明专利]一种晶硅片式电容器的制备方法-CN201410318673.1有效
发明人：曾新仁 -专利权人：上海金沛电子有限公司
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅片式电容器的制备方法，包括如下步骤：在晶硅片的上、下表面涂布含有金属粉体的树脂浆料；将80～120块涂布有所述树脂浆料的晶硅片叠加，于80～90℃下烘干，得到电容器前驱体；将所述电容器前驱体的侧面通过热喷涂的方法印刷上金属电极，得到晶硅片式电容器。本发明的优点在于，硅晶的半导体性能优异，电容器制备时基材加热温度较低，施工时间短、环保无污染。
电容器硅片制备树脂浆料前驱体种晶半导体性能上金属电极金属粉体热喷涂下表面硅晶烘干时基加热叠加侧面印刷施工环保

[发明专利]电容器阵列结构及制备方法-CN202110360663.4在审
发明人：郭帅 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容器阵列结构及制备方法，电容器阵列结构的制备方法包括：在形成第一电容孔的步骤之后，提供包括依次层叠的第二衬底、第二支撑层及第二牺牲层的键合晶圆，并将键合晶圆键合于叠层结构上，其中，第二牺牲层远离第二支撑层的表面为键合面；形成第二电容孔，第二电容孔至少沿厚度方向贯穿键合晶圆，以暴露出第一电容孔，以使第一电容孔和第二电容孔相连通。采用晶圆键合工艺，有效降低刻蚀电容工艺的难度，使得在降低电容线宽的同时，增加电容高度，提高存储电容的容量和DRAM存储密度。
电容器阵列结构制备方法

[发明专利]层叠陶瓷电容器-CN201380002427.9有效
发明人：小西幸宏;粕谷雄一;西川润;谷口克哉;水野高太郎;小和瀬裕介;北村翔平 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种即使使内部电极层薄层化也能够防止静电电容和电容温度特性的恶化的层叠陶瓷电容器。用于解决课题的方案是构成层叠陶瓷电容器的电介质层（14）的陶瓷晶粒包括粗晶陶瓷晶粒SPr，该粗晶陶瓷晶粒SPr的粗晶粒径Dcoa，在电介质层（14）的最大厚度为Tmax、电介质层（14）的最小厚度为Tmin
层叠陶瓷电容器

[发明专利]电容器的制作方法及电容器阵列结构、半导体存储器-CN202010778901.9有效
发明人：占康澍;夏军 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容器的制作方法及电容器阵列结构、半导体存储器，其中，电容器的制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成待刻蚀基底；待刻蚀基底包括牺牲层和支撑层；牺牲层和支撑层交替设置，且待刻蚀基底远离衬底的一侧为第一支撑层；晶圆包括中心区域和围绕中心区域的边缘区域；在待刻蚀基底上形成在中心区域具有第一图案的第一硬掩膜层；第一图案包括阵列排布的通孔；以第一硬掩膜层为掩膜刻蚀待刻蚀基底，形成电容孔；边缘区域则未形成电容孔；在电容孔的底部和侧壁上沉积下电极层，并逐层去除待刻蚀基底；依次在下电极层上形成电容介质层和上电极层。本发明提供的方案，可解决电容器刻蚀过程中，晶圆边缘容易出现塌陷和剥落的问题。
电容器制作方法阵列结构半导体存储器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310407944.6在审
发明人：陈美丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，所述半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的功能器件；形成于所述功能器件上的MIM电容器；其中，在所述功能器件和所述MIM电容器之间形成有一屏蔽层在此，通过在功能器件和MIM电容器之间形成一屏蔽层，隔离所述功能器件与所述MIM电容器之间的相互干扰，由此既能够避免晶圆面积的浪费又能够使得可放置于MIM电容器下的功能器件不受限制。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体元件-CN201110089947.0有效
发明人：陈家忠;黄崎峰;卢泽华;刘莎莉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体元件，包含：一第一MOM电容器；一第二MOM电容器直接位于第一MOM电容器上方且垂直重叠在第一MOM电容器上，其中第一与第二MOM电容器均包含多个平行电容器手指；一第一与一第二端点电性耦合至第一MOM电容器；以及一第三与一第四端点电性耦合至第二MOM电容器。第一、第二、第三与第四端点设置于各自的晶圆的表面。藉此本发明的半导体元件可测量出特定金属层所造成的工艺变化，且可有效缩减MOM电容器设计工具所占据的晶片面积。
半导体元件

[发明专利]全固态电容器-CN201480009510.3有效
发明人：小野智之;平原诚一郎;大户贵司;积洋二;永吉麻衣子 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01G11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种高电容且在低频区域中的静电电容的频率依存性较小的全固态电容器。本发明的全固态电容器(1)，包括无机固体电解质(2)；和夹着它而设置的一对集电体(3A、3B)，所述无机固体电解质(2)具有多晶结构，当作为电阻分量而将所述无机电解质(2)的晶粒内电阻表示为R1，将晶粒晶界电阻表示为R2，将所述无机固体电解质(2)与所述集电体(3A、3B)的界面电阻表示为R3；作为静电电容分量而将所述无机固体电解质的晶粒内电容表示为C1，将晶粒晶界电容表示为C2，将所述无机固体电解质(2)与所述集电体(3A、3B)的界面电容表示为C3时，R1＜R2＜R3，并且C1＜C3且C1＜C2。
固态电容器

[发明专利]制造水平沟槽电容器和动态随机存取存储单元阵列的方法-CN98108711.6有效
发明人：卢志远 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 1998-05-29 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种制造隐匿于半导体基底的水平沟槽电容器的方法，包括下列步骤：蚀刻多个沟槽；在沟槽形成第一介电层；在沟槽中填入第一多晶硅层；在基底与第一多晶硅层上形成第二介电层；限定该第二介电层；生长一外延硅层和非晶硅层，形成一外延硅/非晶硅层；蚀刻出多个端点接触窗；在这些端点接触窗的该外延硅/非晶硅层侧壁上形成一绝缘衬垫；以及在这些端点接触窗填入一第二多晶硅层，以形成一正极接触点。本发明还涉及具有水平沟槽电容器的随机存取存储器的制造方法。本发明用于半导体集成电路的制造工艺中，以减小沟槽电容器的高宽比并增大其电容。
制造水平沟槽电容器动态随机存取存储单元阵列方法

[发明专利]电介体瓷器及电容器-CN200880003384.5有效
发明人：山口胜义 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2008-01-29 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明的电介体瓷器含有以钛酸钡为主成分的晶粒、和在该晶粒之间形成的晶界相，相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔，按氧化物换算的情况下，以规定的比例含有镁、钇、锰，并且，相对于钛酸钡100质量份，以氧化物换算的情况下另外，通过将上述电介体瓷器作为电介体层适用，能够形成高电容且电容温度特性稳定的电容器。
电介体瓷器电容器

[发明专利]对双电荷层电容器进行电激活的方法-CN200610109154.X无效
发明人：太田秀利;林圭一;谷川孝志;清水敦 -专利权人：电源系统株式会社
申请日： 2006-08-03 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01G9/155 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种对双电荷层电容器进行电激活的方法，所述方法使提高静电电容和降低内阻成为可能。该方法是对双电荷层电容器进行电激活的方法，其中，将含有石墨状细晶碳的无孔碳质电极浸入在有机电解溶液中。所述方法至少包含：将双电荷层电容器在恒流下充电直到极间电压达到预定电压，该预定电压不低于静电电容形成电压但低于额定电压；进行预定时间的恒压充电，其间有机电解溶液中的溶质离子被认为在此预定电压下被均匀地吸附在细晶碳表面上
电荷电容器进行激活方法

[发明专利]半导体器件的电容器及其形成方法-CN98115946.X有效
发明人：金荣宽;朴仁善;李相旼;朴昌洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-07-10 - 公布日： 1999-07-14 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供一种使用含硅导电层作为存储节点的高电容的电容器及其形成方法。电容器包括存储节点、非晶Al2O3介质层和平板节点。此时,通过将反应汽相材料提供到存储节点上的方法,例如原子层淀积法形成非晶Al2O3层。此外,在形成非晶Al2O3层之前,对存储节点进行快速热氮化处理。形成平板节点后在约850℃下通过退火致密非晶Al2O3层,由此实现接近理论值30埃的氧化层的等效厚度。
半导体器件电容器及其形成方法

[发明专利]半导体陶瓷粉末、半导体陶瓷及层叠型半导体陶瓷电容器-CN200880021669.1有效
发明人：川本光俊 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2008-06-13 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明涉及SrTiO₃系晶界绝缘型的半导体陶瓷。该半导体陶瓷中施主元素固溶于晶粒中，并且受主元素至少存在于晶界中，结晶面的(222)面中的积分宽度为0.500°以下，且晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下。将其烧成，得到半导体陶瓷。另外，使用该半导体陶瓷，得到层叠型半导体陶瓷电容器。由此，实现即使晶粒的平均陶瓷粒径为1.0μm以下，也具有5000以上的大表观相对介电常数εr_APP，且绝缘性也优越的SrTiO₃系晶界绝缘型的半导体陶瓷粉末、烧结该半导体陶瓷粉末而成的半导体陶瓷、及使用该半导体陶瓷，能够实现基于薄层化·多层化的大电容的层叠型半导体陶瓷电容器。
半导体陶瓷粉末层叠电容器

[发明专利]显示装置-CN202210135977.9在审
发明人：金德会 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种显示装置，包括：基底、缓冲层、非晶硅层、第一阻光层、驱动晶体管、上部电容器电极、第一开关晶体管、下部电极、发光层以及上部电极。所述驱动晶体管设置在所述缓冲层上，所述第一阻光层定位在所述缓冲层下面，并且所述驱动晶体管包括包含多晶硅的第一有源层和设置在所述第一有源层上的第一栅极电极。上部电容器电极设置在所述第一栅极电极上并且包括金属氧化物半导体。所述上部电容器电极与所述第一栅极电极一起构成电容器。
显示装置

[发明专利]双电层电容器-CN201680054792.8有效
发明人：芳尾真幸;小林直哉 -专利权人：帝伯爱尔株式会社;TOC超级电容器株式会社;芳尾真幸
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01G11/28 文献下载
摘要：一种双电层电容器，在60℃、3.5V的定电流定电压连续充电试验中放电容量维持率能够维持在80％以上的时间为1000小时以上，该双电层电容器中，正极含有石墨作为正极活性物质，正极侧的集电体是铝材，所述铝材由非晶碳覆盖膜覆盖，所述非晶碳覆盖膜的厚度为60nm以上且300nm以下。
双电层电容器