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[发明专利]电容器集合体-CN201980028595.2有效
发明人：原田真臣;竹内雅树;香川武史;松原弘 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供电容器集合体，具有多个电容器(100)以及保持多个电容器(100)的保持体(300)。多个电容器(100)分别包含半导体基板、第一电极层、电介质层、第二电极层以及外部电极。多个电容器(100)包含第一电容器(100F)与第二电容器(100S)。第二电容器(100S)关于第一电极层、第二电极层以及外部电极的至少1个具有与第一电容器(100F)不同的形状。
电容器集合体

[发明专利]一种具有光伏组件的智能机器人-CN201710620078.7在审
发明人：魏龙飞 -专利权人：魏龙飞
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H02J7/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有光伏组件的智能机器人，包括智能机器人主体、控制模块、电容器以及光伏组件，所述控制模块和所述电容器内置于智能机器人主体中，所述光伏组件位于智能机器人主体的表面，所述电容器电性连接所述光伏组件，所述控制模块控制所述光伏组件为所述电容器进行充电，所述光伏组件从下到上依次包括背板、第一EVA封装层、太阳能电池片层、第二EVA封装层、透明玻璃盖板，所述太阳能电池片层的太阳能电池包括依次层叠的背电极、P型硅衬底、本征非晶硅层、PCBM层、透明导电层以及上电极。
一种有光组件智能机器人

[发明专利]用于高密度沟槽电容器的薄膜方案-CN201910554517.8在审
发明人：郑新立;林均颖;杨锦煌;许庭祯;徐英杰;陈彦文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明实施例涉及用于高密度沟槽电容器的薄膜方案。本申请案的各种实施例涉及一种具有高电容密度的沟槽电容器及其形成方法。在一些实施例中，所述沟槽电容器上覆于衬底且填充通过所述衬底界定的沟槽。所述沟槽电容器包括下电容器电极、电容器介电质层和上电容器电极。所述电容器介电质层上覆于所述下电容器电极且加衬里于所述沟槽。所述上电容器电极上覆于所述电容器介电质层且在所述电容器介电质层上方加衬里于所述沟槽。所述电容器介电质层包括高介电系数材料。通过针对所述介电质层使用高介电系数材料，所述沟槽电容器可具有适用于配合高性能移动装置使用的高电容密度。
用于高密度沟槽电容器薄膜方案

[发明专利]半导体器件、金属-绝缘体-金属电容器结构及形成方法-CN202310347054.4在审
发明人：萧远洋;沈香谷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本文公开了用于金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的通孔阵列配置。示例性MIM电容器结构包括电容器底部金属层、位于电容器底部金属层上方的第一介电层、位于第一介电层上方的电容器中部金属层、位于电容器中部金属层上方的第二介电层以及位于第二介电层上方的电容器顶部金属层。具有第一金属通孔和第二金属通孔的金属通孔阵列被连接到电容器顶部金属层和电容器底部金属层。电容器顶部金属层的部分覆盖从第一金属通孔延伸到第二金属通孔的第二介电层的区域。本发明的实施例还提供了半导体器件和形成金属‑绝缘体‑金属电容器结构的方法。
半导体器件金属绝缘体电容器结构形成方法

[实用新型]背靠背投切电容器组试验塔-CN202022679060.4有效
发明人：李江;费亚琴;郭强;钱江 -专利权人：西安高压电器研究院常州有限责任公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种背靠背投切电容器组试验塔，包括基座，基座上设有电容器框架和气动开关，电容器框架包括若干层电容器层，且电容器层通过绝缘子支柱装在基座上，且相邻的两层电容器层间通过绝缘子支柱支撑，每层电容器层上设有若干电容器模块单元，气动开关与电容器模块单元电连接。本实用新型将电容器模块化设置，模块单元可方便的组成不同形式的电容器塔，实现电容器模块单元串联或并联运行，模块之间拼接方便快速，使用时更加方便，而且拼接后结构牢固，各项参数均能满足相关标准要求，填补了国内40.5kV及以下产品投切三相背靠背电容器组试验技术的空白。
背靠背电容器试验

[发明专利]存储器件及其制造方法-CN201010157573.7有效
发明人：梁擎擎;钟汇才 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器件及其制造方法，所述存储器件包括在半导体层中形成的MOSFET，以及位于MOSFET下方的电容器结构，所述电容器结构包括两个电容器电极，所述MOSFET的源区和漏区之一与所述两个电容器电极之一电连接，其中，所述电容器结构包括交替堆叠的多个第一叠层电容器和多个第二叠层电容器，所述多个第一叠层电容器和所述多个第二叠层电容器各自包括上极板、下极板和夹在二者之间的电介质层，所述多个第一叠层电容器和所述多个第二叠层电容器通过所述两个电容器电极并联连接，并且所述多个第一叠层电容器中的每一个的下极板与位于其下方的第二叠层电容器的上极板由公共的第一电极层形成，所述多个第二叠层电容器中的每一个的下极板与位于其下方的第一叠层电容器的上极板由公共的第二电极层形成，其中，所述第一电极层和所述第二电极层由不同的导电材料组成。
存储器件及其制造方法

[发明专利]具有电容器保护层的半导体存储器件及其制备方法-CN00131892.6无效
发明人：李容卓;赵学柱;金荣宽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2000-09-10 - 公布日： 2001-04-25 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：具有电容器保护层的半导体存储器件以及制备半导体存储器件的方法。半导体存储器件的电容器被具有多层结构的密封层覆盖。密封层包括由不同材料组成的阻隔层和电容器保护层。阻隔层由能防止电容器介质层挥发和/或能防止位于阻隔层之下的材料层与电容器保护层之间反应的材料组成。电容器保护层由能防止氢扩散到电容器介质层中的材料层组成。此外,半导体存储器件可具有在电容器与钝化层之间的作为另一电容器保护层的氢阻挡层。
具有电容器保护层半导体存储器件及其制备方法

[发明专利]一种层间电容器的形成方法-CN200710173567.9有效
发明人：顾学强 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间电容器的形成方法，在对层间介质膜选择刻蚀后于形成金属连线的同时形成电容器上极板，具体包括如下步骤：于电容器下极板形成之后，淀积一电容器介质层以及一层间介质膜；通过对层间介质膜的选择刻蚀，于其中形成至少一通孔以及一电容器极板沟槽，其中通孔内淀积有通孔填充层；淀积一金属层于上述带有通孔和电容器极板沟槽的层间介质膜；保留通孔上方的金属层与电容器极板沟槽内的金属层，而刻蚀掉金属层的其他部分，以同时形成至少一金属连线和一电容器上极板金属层，其中通孔上方剩余的金属层为金属连线，电容器极板沟槽内剩余的金属层为电容器上极板金属层，电容器上极板包括该电容器上极板金属层。与传统工艺相比，其无需额外的金属层作电容器上极板，简化了工艺流程。
一种电容器形成方法

[实用新型]具有沟槽结构的高容量硅电容器-CN201720825198.6有效
发明人：高在洪 -专利权人：宏衍微电子（大连）有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型涉及具有沟槽结构的高容量硅电容器，属于电容器技术领域。主要技术方案如下在硅基板上蚀刻沟槽结构，所述的沟槽结构为“十字型”，所述沟槽结构的纵横比为(10‑50)1；在所述沟槽结构上依次为沟槽绝缘层、第1电极层、第1介电层、第2电极层、第2介电层、第3电极层、第3介电层、第4电极层，第4电极层上方为保护层，所述的第1电极层、第3电极层通过外部端子种晶层A连接外部端子A。本实用新型提供的硅电容器，采用十字型沟槽结构，具有容量大的特点，并且各电极层及介电层的在蚀刻过程中不会有任何的损伤，电极层与外部端子通过种晶层进行连接，结构相对简单，生产制造成本低。
具有沟槽结构容量电容器

[发明专利]一种活性炭超级电容器电极材料控制形成纳米晶的工业化制备方法-CN202110321493.9在审
发明人：杜丕一;李谷尧;马宁;张永林 -专利权人：浙江大学;北海星石碳材料科技有限责任公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C01B32/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种活性炭超级电容器电极材料控制形成纳米晶的工业化制备方法。该方法是在原有工业化制备逐级纯化工艺结束后，继续在线控制气氛组成及气氛与碳的反应能力以控制孔壁厚度，从而控制活性炭关键孔径在1.2～2nm范围内，孔壁厚度在1.2～1.3nm，并形成晶粒尺度为1.13～1.16nm范围的纳米晶相，保证了独立纳米晶碳层边缘大量暴露在孔中，大幅增加电解液离子的插入通道。制得的活性炭处理后制备的超级电容器能量密度为25.48～28.83Wh/k，具有较高的能量密度。这种方法制备的纳米晶活性炭在高性能超级电容器领域具有巨大的应用价值。相较于目前市售超级电容器电极材料用活性炭同类产品，本技术产品性能关键指标及性能超过目前市售产品，处于国内、国际先进水平。
一种活性炭超级电容器电极材料控制形成纳米工业化制备方法

[发明专利]旁路电容器电路以及提供用于集成电路管芯的旁路电容的方法-CN200980162659.4无效
发明人：迈克尔·普里尔;列昂尼德·弗雷舍尔;安东·罗森 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种用于集成电路（IC）的旁路电容器电路(30)，包括：一个或多个电容器件(32、34、36)，每个被布置在管芯(12)的密封环形区域(16)的片段中，该管芯包括IC。一种提供用于IC的旁路电容的方法，包括：提供（66）包括多个管芯的半导体晶圆器件，每个管芯包括IC；在至少一个IC的密封环形区域中布置（68）一个或多个电容器件；对半导体晶圆器件进行切割（70）；在测试模式中，对于一个或多个电容器件中每一个（72），启用电容器件（74），确定（76）指示电容器件的操作的操作参数值，以及将操作参数存储（78）在存储器器件中；并且在正常操作模式中，根据具有指示相应电容器件没有缺陷的相关联操作参数值的所述电容器件中的一个或多个的电容来提供（80）用于IC的旁路电容。
旁路电容器电路以及提供用于集成电路管芯电容方法

[发明专利]电容支撑结构、电容器结构及其制作方法-CN200810041708.6无效
发明人：彭坤;韩启成;陈晓军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-08-14 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种电容支撑结构、电容器结构及其制作方法，用于解决传统DRAM存储单元电容器电容极板易倒塌问题。该电容支撑结构包括依次位于层间绝缘层上的第一阻挡层，中间介质层和第二阻挡层；贯通所述第二阻挡层，中间介质层和第一阻挡层的电容沟槽，该电容沟槽内用于形成电容器。电容器极板位于电容沟槽侧壁和底部，且高于电容沟槽表面。该电容支撑结构握住电容沟槽中的电容器极板，对电容器极板可起到支撑作用，从而可有效解决传统电容器极板在去除模具层后，电容器极板易倒塌的问题。
电容支撑结构电容器及其制作方法

[实用新型]一种耐高温管状电机电容器-CN202122366577.2有效
发明人：尹青 -专利权人：上海冯源建设发展有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01G2/02 文献下载
摘要：本实用提供了一种耐高温管状电机电容器，涉及电容器技术领域，包括：主体、散热鳍片、隔热层、导热层、铜箔层、电容器内壳、电容器、支撑柱、散热孔、防尘网；主体外壁固定连接有若干个散热鳍片，主体外壁固定连接有隔热层；隔热层内部内壁固定连接有导热层；导热层内部内壁固定连接有铜箔层；铜箔层内部内壁固定连接有电容器内壳；电容器内壳内部固定连接有电容器；电容器前后左右均固定连接有支撑柱；效果在于：通过支撑柱将电容器支撑起来，使电容器悬空起来，使电容器的热量能够更好的散发出；然后通过散热孔可实现电容器内壳内部产生的热量与外部气体交换实现散热，且防尘网可防止外部灰尘进入，从而保证良好的散热性能。
一种耐高温管状电机电容器

[实用新型]一种具有高温预警功能的电容器-CN202222259471.7有效
发明人：杜嘉杰;魏蓉晖 -专利权人：深圳东佳电子有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01G2/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电容器，尤其涉及一种具有高温预警功能的电容器。本实用新型提供一种能够对电容器进行散热的具有高温预警功能的电容器。一种具有高温预警功能的电容器，包括有电容器内芯、正极、负极、铝外壳、陶瓷绝缘层和防爆层等，电容器内芯底部一侧固连有正极，电容器内芯底部一侧固连有负极，电容器内芯外侧连接有一层防爆层，防爆层外侧连接有一层铝外壳，铝外壳外侧连接有一层能够对电进行绝缘的陶瓷绝缘层，正极和负极均贯穿陶瓷绝缘层。本实用新型通过散热机构能够对电容器内芯进行散热，如此能够避免电容器内芯温度过高而导致损坏。
一种具有高温预警功能电容器

[实用新型]设有若干电容器芯子的逆变焊机用薄膜电容器-CN202120648148.1有效
发明人：张定 -专利权人：东莞市泰容电子科技有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型公开了设有若干电容器芯子的逆变焊机用薄膜电容器，若干电容器芯子设置在一个壳体内，若干电容器芯子上下分层设置，任一层电容器芯子中的所有电容器芯子并联，任一层电容器芯子与其他层电容器芯子并联。本设计所述的逆变焊机用滤波薄膜电容器，为无极性电容器，采用多层电容器芯子并联后安装于一个壳体中，形成一个单独的电容器，铜排或电缆线方式引出，利于加工材料的节约和安装的方便。
设有若干电容器芯子逆变焊机用薄膜

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