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[发明专利]一种可连续进行电镀和化镀的设备和方法-CN202111605262.7在审
发明人：史蒂文·贺·汪 -专利权人：新阳硅密（上海）半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C25D19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种可连续进行电镀和化镀的设备和方法，其中，可连续进行电镀和化镀的设备包括移动机构、晶圆夹具以及多个工作槽，晶圆夹具用于夹持晶圆，移动机构连接晶圆夹具；工作槽包括镀槽，镀槽包括电镀槽和化镀槽，镀槽共享一个晶圆夹具。在本发明中，镀槽共享一个晶圆夹具，从而有效降低了设备对晶圆夹具数量的要求，极大的降低了设备成本；并且，此举也避免了频繁更换晶圆夹具而导致的晶圆损毁、氧化、翘曲等诸多风险，极大的提高了工艺质量；此外，镀槽同时包含电镀槽和化镀槽，电镀工艺和化镀工艺在同一设备中进行，使得镀覆设备的结构更加紧凑，生产效率更高、生产成本更低。
一种连续进行电镀设备方法

[发明专利]一种超薄晶圆电镀、化镀整合工艺-CN202011120973.0在审
发明人：严立巍;文锺;符德荣 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开一种超薄晶圆电镀、化镀整合工艺，包括以下步骤：键合玻璃载板的超薄晶圆或是缓坡状边缘的超薄晶圆，超薄晶圆与电镀槽的电源接触点接合，开始进行电镀制程，完成电镀后，环状夹具固定住超薄晶圆进入旋转喷淋腔体，完成光阻去除步骤，进行种子层刻蚀及化镀的前处理制程，环状夹具继续固定住超薄晶圆进入化镀槽，分别完成各种金属化镀制程，环状连同超薄晶圆最后完成清洗及干燥步骤，将环状夹具与超薄晶圆分离。本发明超薄晶圆电镀、化镀整合工艺设备整合工艺可以水平/垂直式配搭，旋转及浸泡式配搭以完成最佳的制程效率，超薄晶圆无间断的在不同类型的反应槽中传送、定位完成每一制程，避免中间间隔产生的自然氧化或污染。
一种超薄电镀整合工艺

[发明专利]半导体晶圆自动化学镍钯金化镀工艺及化镀设备-CN202310530488.8在审
发明人：吴攀 -专利权人：广东芯华镁半导体技术有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C28/02 文献下载
摘要：本发明属于电镀工艺技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆自动化学镍钯金化镀工艺及化镀设备，包括以下步骤：(1)采用酸性除油剂对晶圆的表面进行清洗；(2)采用过硫酸钠与硫酸对晶圆的表面进行微蚀处理；(3)利用酸性液体对晶圆的表面进行酸洗；(4)浸锌，使晶圆的表面涂覆有锌金属层；(5)化学镀镍，于所述晶圆的铜层上形成镍层；(6)化学镀钯，于晶圆上的镍层上化学沉淀钯层；(7)化学浸金，于晶圆的铜层上形成镍钯金镀层。(8)超声波冲洗，下料；本发明提供的晶圆化镀工艺中，通过控制每种镀层的电镀成型时间，多次电镀，进而确保晶圆镀层的均匀性，保证每个晶圆化镀工艺的作业模式相近，产品质量水平稳定，提高生产效率。
半导体自动化学镍钯金化镀工艺设备

[发明专利]一种基于晶圆背面金属化蒸镀的防止金属镀层异常的方法-CN202210596451.0在审
发明人：叶顺闵;林伯璋;蔡孟霖;许邦泓;萧维彬 -专利权人：滁州钰顺企业管理咨询合伙企业（有限合伙）
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种基于晶圆背面金属化蒸镀的防止金属镀层异常的方法，包括如下步骤：S1、根据靶材类型确定靶材容器；S2、检查靶材放入靶材容器的位置是否正确；S3、判断靶材添加是否有误；S4、根据靶材类型调节蒸镀制程加热功率；S5、进行晶圆背面金属化蒸镀制程，本发明能够定义靶材异常因素，预防在晶圆背面金属化蒸镀制程时异常发生，防止因晶圆背面金属化蒸镀异常，导致生产良率降低，晶圆重新加工风险提升
一种基于背面金属化防止金属镀层异常方法

[发明专利]一种半导体功率器件的制造方法-CN202210420622.4在审
发明人：潘嘉;杨继业;姚一平;黄璇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体功率器件的制造方法，提供正面工艺完成的IGBT晶圆，正面工艺包括形成正面金属层；对IGBT晶圆的背面进行Taiko减薄；对IGBT晶圆的背面进行离子注入并退火，形成集电区；将IGBT晶圆的正面放置到静电吸盘上；在IGBT晶圆的背面生长一层氧化层；将IGBT晶圆从静电吸盘中取出；利用化学镀工艺在正面金属层上镀上目标金属；去除IGBT晶圆背面的氧化层；在IGBT晶圆背面形成背面金属层。本发明通过在进行化镀工艺之前在IGBT晶圆背面形成氧化层，使得晶圆背面有氧化层保护，解决了IGBT化镀工艺导致背面金属脱落的问题，避免了造成晶圆碎片或机台沾污。
一种半导体功率器件制造方法

[发明专利]一种双面晶圆化镀工艺-CN202310122236.1在审
发明人：周曙华;李旻姝;蒋雪娇;汪智灵 -专利权人：浙江萃锦半导体有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：本发明属于半导体工艺领域，具体涉及一种双面晶圆化镀工艺，具体步骤包括晶圆正面保护、晶圆背面研磨、背面研磨层的腐蚀和清洗、去除正面保护、背面种子层金属的生长和双面化学镀，本发明提出的双面同时化镀工艺，在镀覆金属层时过程不需外加电源驱动，且具有均镀能力好的优点，不管晶圆表面的结构多么复杂，镀层厚度很均匀，镀层外观良好，晶粒细小，无孔，耐蚀性好；2.且双面同时化镀的方式可以减少整个产品的制作周期，在一定程度上可以节约成本；3.并且由于同时进行同一种金属化的工艺
一种双面晶圆化镀工艺

[发明专利]一种高均匀度的晶圆化镀前处理方法-CN202310514804.2在审
发明人：孙彩霞;王健;赵细海 -专利权人：苏州尊恒半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23C18/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高均匀度的晶圆化镀前处理方法，涉及晶圆化镀技术领域，具体包括以下步骤：针对晶圆表面污渍的不同，在前处理过程中，进行了两次的清洗，从而可以有效的去除晶圆表面残留的油污和灰尘颗粒，使得清洗处理后的晶圆表面清洗均匀且晶圆表面无明显缺陷，由于清洗液中并未添加有毒有害环境的物质，使得整个晶圆的清洗过程中不产生对环境有污染的物质，从而也提高了晶圆前处理整个过程中的绿色环保性，为人们的使用带来了便利；在晶圆的表面进行了镀膜处理，从而使得处理好的在晶圆表面上获得超薄聚甲基丙烯酸薄膜，使得晶圆的表面更加光滑均匀，在之后的化镀过程中，可以使得镀上的金属物质更加均匀，增加了晶圆整体使用时的耐用性。
一种均匀晶圆化镀前处理方法

[发明专利]一种测试蒸镀膜厚的方法-CN202211289147.8在审
发明人：叶顺闵;林伯璋;蔡孟霖;许邦泓;萧维彬 -专利权人：滁州钰顺企业管理咨询合伙企业（有限合伙）
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种测试蒸镀膜厚的方法，将晶圆和测试片均放入行星盘相应的放置槽并进行晶圆背面金属化蒸镀制程，蒸镀完成后对两吋测试片进行膜厚测试，确认镀层厚度是否符合需求，进行破坏测试和拉力测试确认镀层外观有无剥落或颗粒产生，本发明完善了晶圆背面金属化蒸镀制程，可检测蒸镀制程后晶圆的镀层膜厚，同时可检测晶圆镀层外观有无剥落或颗粒产生，以此降低了产品异常率，可保证后续工序顺利进行，降低了成品的报废率，大大提升了生产效率，并降低了生产成本
一种测试镀膜方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110318654.9在审
发明人：蔡柏豪;郑明达;吕文雄;刘旭伦;吴凯第;林素妃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：方法包括：在晶圆的第一导电部件上方形成晶种层，在该晶种层上形成图案化镀掩模，以及在该图案化镀掩模中的开口中镀第二导电部件。该镀包括执行多次镀循环，每个镀循环都包括使用第一镀电流密度执行的第一镀工艺，以及使用小于第一镀电流密度的第二镀电流密度执行的第二镀工艺。然后去除图案化镀掩模，并蚀刻晶种层。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体大功率陶瓷DPC自动电镀工艺及电镀设备-CN202310530486.9在审
发明人：吴攀 -专利权人：广东芯华镁半导体技术有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C25D5/12 文献下载
摘要：本发明属于电镀工艺技术领域，尤其涉及一种半导体大功率陶瓷DPC自动电镀工艺及电镀设备，包括以下步骤：(1)清理陶瓷基板预处理；(2)镀金；(3)镀钯；(4)镀镍；(5)碱性化学镀镍；(6)酸性化学镀钯；(8)超声波碱洗，(9)腐蚀调整；本发明提供的晶圆化镀工艺中，镍镀层、钯镀层和金镀层按预设顺序依次进行，通过控制每种镀层的电镀成型时间，多次电镀，进而确保晶圆镀层的均匀性的同时，保证每个晶圆化镀工艺的作业模式相近
半导体大功率陶瓷 dpc 自动电镀工艺设备

[发明专利]一种晶圆蒸镀异常的处理方法-CN202210596348.6在审
发明人：叶顺闵;林伯璋;蔡孟霖;许邦泓;萧维彬 -专利权人：滁州钰顺企业管理咨询合伙企业（有限合伙）
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆蒸镀异常的处理方法，包括如下步骤：S1、晶圆蒸镀；S2、检测发现晶圆蒸镀异常；S3、晶圆背金处理；S4、测量晶圆厚度是否符合要求；S5、晶圆补磨；S6、晶圆抛光；S7、标准制程1和2；S8、去水分烘烤；S9、重新晶圆蒸镀，本发明制定了重工流程规范，当检测发现晶圆蒸镀异常时，使异常晶圆能正确的重新做晶圆背面补磨减薄和晶圆背面蒸镀，减少了晶圆异常报废处理的频次，降低了生产线的生产报废率
一种晶圆蒸镀异常处理方法

[发明专利]多层金属层蒸镀装置及蒸镀方法-CN202310431952.8在审
发明人：周华;李晋湘;张汀;王莉菲;贺中鹤;陈俊宇 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C14/20 文献下载
摘要：本发明提供一种多层金属层蒸镀装置及蒸镀方法。多层金属层蒸镀装置包括：传输腔，传输腔内设置的机械臂包括：晶圆托盘、退火组件及静电吸盘，退火组件用于执行退火，静电吸盘用于将晶圆吸附固定于晶圆托盘表面；蒸镀腔，位于传输腔的一侧，用于对晶圆进行前段蒸镀以在晶圆的表面蒸镀形成第一金属层；退火组件用于对前段蒸镀后的晶圆进行退火以在第一金属层与晶圆之间形成金属硅化物层；蒸镀腔还用于对退火后的晶圆进行后段蒸镀以在第一金属层的表面蒸镀形成第二金属层。通过对装置的改进，在不增加工艺成本的前提下改善了蒸镀工艺的质量，增加了金属层与晶圆的粘附性，减少了多层金属层之间的空隙，降低了金属层剥落的风险。
多层金属层蒸镀装置方法

[发明专利]多层金属层蒸镀装置及其蒸镀方法-CN202310431954.7在审
发明人：周华;李晋湘;张汀;曹语盟;石培俊 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种多层金属层蒸镀装置及蒸镀方法。多层金属层蒸镀装置包括：传输腔，传输腔内设置的机械臂包括：晶圆托盘、退火组件及固定组件，退火组件用于执行退火，固定组件用于将晶圆夹持固定于晶圆托盘表面；蒸镀腔，位于传输腔的一侧，用于对晶圆进行前段蒸镀以在晶圆的表面蒸镀形成第一金属层；退火组件用于对前段蒸镀后的晶圆进行退火以在第一金属层与晶圆之间形成金属硅化物层；蒸镀腔还用于对退火后的晶圆进行后段蒸镀以在第一金属层的表面蒸镀形成第二金属层。通过对装置的改进，在不增加工艺成本的前提下改善了蒸镀工艺的质量，增加了金属层与晶圆的粘附性，减少了多层金属层之间的空隙，降低了金属层剥落的风险。
多层金属层蒸镀装置及其方法

[发明专利]一种晶圆用化学镀镍液及其制备方法-CN202210359117.3在审
发明人：洪学平;姚玉 -专利权人：江苏矽智半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C18/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆用化学镀镍液及其制备方法，涉及化学镀镍技术领域。本发明制备的晶圆用化学镀镍液，主要是由硫酸镍、次磷酸钠、4‑戊基邻苯二甲腈、4‑(2‑甲酸基‑3‑丙酸基)邻苯二甲腈、8,9‑二氨基苯并噻唑、水等混合得到；在后续对预处理的晶圆进行化学镀的过程中，形成双亲性酞菁和咪唑；本发明制备的晶圆用化学镀镍液要在光照条件下给预处理的晶圆镀镍；其中，预处理的晶圆是将晶圆进行脱脂、除尘、表面喷砂、酸洗、超声清洗处理得到。本发明制备得到晶圆用化学镀镍液的稳定性较强，且晶圆用化学镀镍液制备的镀镍晶圆的镀层耐腐蚀性、镀层结合力、光亮性较强。
一种晶圆用化学镀镍液及其制备方法

[发明专利]晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件-CN202210407375.4在审
发明人：杨凌辉;黎哲;邓方圆;吴荣成;刘晗 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件，晶圆单面化学镀方法包括：提供一侧形成Taiko环的晶圆；提供刚性支撑板；将Taiko环的端面与刚性支撑板紧密相连；将紧密相连的晶圆以及刚性支撑板进行化学镀处理；分离化学镀处理后的晶圆与刚性支撑板。利用该单面化学镀方法可进行采用Taiko减薄工艺减薄后的晶圆单面化学镀处理，省去了现有化学镀工艺前后的贴膜和揭膜工序，避免了原有化学镀贴膜工艺漏液的发生；采用刚性支撑板与晶圆的Taiko环的端面进行粘接，有助于减小单面化学镀时晶圆的翘曲度，可以显著降低晶圆单面化学镀后片内色差，对产品的外观及应用的可靠性都有所提升。
单面化学方法半导体器件制造

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