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[发明专利]铌酸锂器件的制备方法及其结构-CN202111045217.0在审
发明人：贾连希;曾宪峰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明提供一种铌酸锂器件的制备方法及其结构，该制备方法首先将完整的单元区域及不完整的单元区域定义出来，然后在对铌酸锂薄膜进行刻蚀时，基于该完整的单元区域及不完整的单元区域单独对其下方的铌酸锂薄膜进行刻蚀，这样对于每一个单元区域下方的铌酸锂薄膜刻蚀时，均是以硬掩膜层作为掩膜，其他区域被光刻胶层保护，这样可以对每个单元区域的铌酸锂薄膜刻蚀采用不同的刻蚀条件，进行工艺优化，避免了现有的两步掩膜刻蚀技术导致晶圆边缘处刻蚀平整度较低，晶圆边缘的粗糙、铌酸锂薄板厚度变化大的问题；另外，因为铌酸锂晶圆的价格昂贵，采用本实施例的制备方法可以有效降低铌酸锂刻蚀工艺的开发成本。
铌酸锂器件制备方法及其结构

[发明专利]一种高质量薄膜铌酸锂微纳光栅的制备方法-CN202011492990.7有效
发明人：周奉杰;钱广;顾晓文;唐杰 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量薄膜铌酸锂微纳光栅的制备方法，包括：对LNOI材料进行表面清洁；制备高精度的电子束标记；涂覆电子束正胶ZEP 520A，进行LNOI光栅图形以及电子束标记保护区域曝光；蒸发剥离Ni金属，作为光栅波导刻蚀掩膜；采用F基RIE干法刻蚀与NH4OH：H2O2：H2O的湿法处理，循环多次达到指定刻蚀深度；采用30％HNO3去除剩余的Ni掩膜；生长氧化硅上包层。本发明所述方法用于制备LNOI光栅，有效解决了铌酸锂刻蚀后生成物附着问题，提高了LNOI光栅的侧壁光滑度和垂直度。
一种质量薄膜铌酸锂微纳光栅制备方法

[发明专利]一种玻璃基悬浮脊形硅波导的制备方法-CN202010316675.2有效
发明人：尚金堂;汪子及 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明公开一种玻璃基悬浮脊形硅波导的制备方法，包括如下步骤：步骤1，制备带沟道的玻璃基底；步骤2，通过阳极键合工艺在玻璃基底上形成硅器件层；步骤3，在硅器件层上旋涂光刻胶，并进行光刻，在硅器件层上留下与波导脊形图案一致的条形光刻胶，再进行干法刻蚀，得到脊形硅波导芯层。此种方法可有效增强悬浮脊形硅波导芯层的结构强度及稳定性。
一种玻璃悬浮脊形硅波导制备方法

[发明专利]一种基于飞秒激光直写的光学模拟平台制备方法-CN202111178870.4在审
发明人：侯智善;曹宇;蔡燕;丁潇川;薛伟;陈瑞溢;朱小伟 -专利权人：温州大学
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于飞秒激光直写的光学模拟平台制备方法，包括：样品片准备、加工台调平；之后启动加工程序，使得飞秒激光焦点位于光刻胶/硅的交界面而且在激光焦点保持不动的同时，样品片按照设计结构实现长程连续移动，最终在样品片上完成整个波导阵列的扫描；然后再经未交联光刻胶去除、旋涂波导阵列包层等步骤，既得到微米级别聚合物基波导阵列。该制备方法利用飞秒激光双光子聚合高精度点‑线‑面加工能力实现微米级别聚合物基波导阵列的快速制备。由于飞秒激光无掩模、真三维的加工特点，实现了聚合物波导阵列任意的高度、宽度、截面的精确定制，进而利用波导截面双折射梯度实现相关光学模拟实验。
一种基于激光光学模拟平台制备方法

[发明专利]太赫兹波段光子晶体的加工方法-CN201910050804.5有效
发明人：蔡志祥;孙智龙;李洋;阮玲慧;王志勇;谢飞;谢密 -专利权人：武汉因泰莱激光科技有限公司
申请日： 2019-01-20 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光增材制造设备及其太赫兹波段光子晶体的加工方法，包括打印机架，在所述打印机架内设有载物平台；在所述载物平台上开设有进料口，所述进料口与载物平台下方的储料箱相连通；在所述载物平台上安装有刮刀机构和打印平台，所述打印平台设置在载物平台的中间位置，打印平台安装在载物平台下方的成型机构内；在所述打印平台的上方设有激光扫描系统。本发明利用激光增材制造设备进行太赫兹波段光子晶体的加工无需添加任何支撑，无需进行真空冷冻干燥，后处理简单、成本低、强度高，有利于光子太赫兹波段光子晶体的大规模工业化生产。
赫兹波段光子晶体加工方法

[发明专利]一种模斑转换器的制作方法及模斑转换器-CN202110810706.4在审
发明人：王亮;蒋凯;蒋忠君;张博健 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本公开提供了一种模斑转换器的制作方法及模斑转换器，其中，模斑转换器的制作方法包括：提供一衬底；在上述衬底上生长保护层；在上述保护层上定义楔形结构区域；在上述楔形结构区域，通过一次接触式曝光得到光栅式结构；通过热熔上述光栅式结构，得到楔形结构；通过刻蚀，将上述楔形结构转移至上述衬底上；在上述楔形结构上制作脊波导结构，得到模斑转换器。
一种转换器制作方法

[发明专利]一种具有保护层的SiO2-CN201811183941.8有效
发明人：张巍;李承栋;郭盼盼;徐培鹏;赵阳;黄伟;张培晴 -专利权人：宁波大学
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有保护层的SiO2沟道型硫系波导及其制备方法，解决了现有技术中SiO2沟道型波导制备中沟道侧壁粗糙的问题，其技术方案要点是，通过在Si/SiO2基片的SiO2的表层涂覆光刻胶作为掩膜层，再将具有掩膜层的Si/SiO2基片放入ICP刻蚀机内刻蚀SiO2沟道，通过通入氩气和三氟甲烷气体调节刻蚀精度，再在具有SiO2沟道的Si/SiO2基片上依次镀设As2Se3硫系薄膜和SU‑8聚合物，最后将掩膜层及其上方的As2Se3硫系薄膜和SU‑8聚合物从Si/SiO2基片上剥离得到波导，本发明公开的一种具有、保护层的SiO2沟道型硫系波导及其制备方法，通过控制氩气和三氟甲烷两种气体的配比来优化刻蚀参数，可将SiO2沟道侧壁的粗糙度降到最低，进而减小了波导侧壁的粗糙度。
一种具有保护层 sio base sub

[发明专利]一种等离激元波导的制备方法-CN202010604741.6在审
发明人：陶金;邱英;刘子晨;肖希;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本申请涉及一种等离激元波导的制备方法，该制备方法包括步骤：在衬底上刻蚀一保护层；在所述保护层上形成刻蚀窗口；在所述刻蚀窗口内采用干法刻蚀工艺刻蚀所述衬底，使所述衬底上形成一沟道；去除所述保护层；在形成有沟道的衬底上镀一层金属基材。本申请提供的等离激元波导的制备方法，不仅使得刻蚀难度较小，而且材质价格不高，成本更低。
一种离激元波导制备方法

[发明专利]光波导及其制造方法-CN201880069569.X在审
发明人：前田真吾;近藤直幸;中芝彻;栗副润子 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明一个方面涉及一种种光波导，其特征在于包括：高折射率的芯形成层；以及低折射率的第一包覆层，与所述芯形成层的第一主面接合，其中，所述芯形成层在其平面方向上具有芯部(A)、与所述芯部(A)的两侧邻接的侧面包覆部(B)、以及与所述侧面包覆部(B)的另一侧邻接的高折射率部(C)，所述芯部(A)在其平面方向上具有中央区域以及GI区域，所述GI区域中折射率自所述中央区域起向所述芯部(A)与所述侧面包覆部(B)的界面连续降低，所述侧面包覆部(B)具有折射率恒定的区域。
波导及其制造方法

[发明专利]石墨烯掺杂梯形包层的MZI型光波导混合集成热光开关及其制备方法-CN201910762017.3有效
发明人：衣云骥;吕佳文;曹悦;林柏竹;杨悦;孙小强;王菲;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：一种石墨烯掺杂梯形包层的MZI型光波导混合集成热光开关及其制备方法，属于光波导型热光开关制备技术领域。本发明是在二氧化硅衬底上旋涂光敏聚合物芯层材料，采用掩模版对光敏聚合物芯层材料进行光刻得到光波导芯层，然后旋涂石墨烯掺杂的聚合上包层材料、蒸镀金属膜、旋涂光刻胶、对版光刻、显影制备电极图形，最后解理，从而在衬底上制备出石墨烯掺杂梯形包层的MZI型光波导混合集成热光开关。本发明以梯形的包层结构代替平整的包层结构，提高了电极的加热效率。采用掺杂单层石墨烯分散液的聚合物材料代替传统聚合物材料，解决聚合物热导率低导致的功耗大和开关时间长的问题。本发明具有工艺流程简单、制备精度良好等优异效果。
石墨掺杂梯形包层 mzi 波导混合集成开关及其制备方法

[发明专利]二氧化硅-聚合物三维MZI波导热光开关及其制备方法-CN202010077558.5在审
发明人：衣云骥;吕佳文;曹悦;林柏竹;杨悦;张永博;张大明;王菲 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-01-30 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：一种采用三维集成技术制备的垂直集成的二氧化硅‑聚合物三维MZI波导热光开关及其制备方法，属于聚合物‑二氧化硅光波导集成芯片制备技术领域。是在Si/SiO2衬底上沉积生长一层掺锗的高折射率SiO2层；然后制备第一掩膜层，等离子体刻蚀SiO2层，得到以掺锗的SiO2为芯层的波导结构；去除掩模层后，继续生长SiO2层，作为下层波导的上包层和上层波导的下包层；再制备第二掩膜层，等离子体刻蚀SiO2层得到凹槽；旋涂PMMA层，旋涂后得到倒脊形的波导芯层；旋涂一层低折射率NOA系列光敏材料作为上包层；最后制备铝电极。本发明的MZI结构解决了现有垂直X结结构开关功耗大的问题，使开关的响应速度更快。
二氧化硅聚合物三维 mzi 波导开关及其制备方法

[发明专利]一种光子晶体中纳米直孔周期性阵列制备方法-CN201610802133.X有效
发明人：葛道晗;张金花;钱栋梁;张立强;程广贵 -专利权人：江苏大学
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明提供一种光子晶体中纳米直孔周期性阵列制备方法，该方法可以快速实现纳米级光子晶体中直孔阵列的自定位周期性制备。该方法包括以下步骤：首先选择材料，接着制备样品，在硅片上PECVD淀积氮化硅，接着进行光刻，再用离子束轰击去除图形区的氮化硅，然后进行第一次电化学腐蚀，氧化形成多孔硅衬底POPS，化学机械抛光、KOH溶液腐蚀形成倒金字塔尖端，最后进行第二次电化学腐蚀制备具有周期性且具有自定位功能的纳米直孔阵列。上该方法易于操作，处理简单，适合大批量快速纳米级周期性孔制备，该方法制备的纳米孔定位更精确。
一种光子晶体纳米周期性阵列制备方法

[发明专利]柔性光波导及其制备方法-CN201811251369.4在审
发明人：冯雪;叶柳顺;陈颖 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性光波导及其制备方法，包括：提供基板，并在基板上依次形成牺牲层和第一光限制层；在第一光限制层上形成光刻胶层，再对光刻胶层进行曝光、显影，以曝露第一部分的第一光限制层；在剩余的光刻胶层上覆盖光传输层，得到至少一个光传输单元；在光传输单元上覆盖第二光限制层，得到预制体；提供柔性衬底，将预制体转印于柔性衬底上，得到柔性光波导。该柔性光波导包括柔性衬底以及依次形成于柔性衬底上的第一光限制层和第二光限制层，第一光限制层和第二光限制层之间包埋有至少一个光传输单元。本发明柔性光波导是一种类皮肤超薄光波导，可以实现柔性电子器件的高度集成且微型化，用于柔性可穿戴医疗电子器件时可以提高人体舒适感。
光限制层柔性光波导衬底光传输单元光刻胶层预制体基板制备柔性电子器件微型化电子器件高度集成光传输层光波导可穿戴刻胶层牺牲层包埋覆盖曝露显影转印皮肤曝光医疗

[发明专利]平面光学元件、传感器元件及其制造方法-CN201380052754.5有效
发明人： W·沙德 -专利权人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有至少一个光子组件(4)的平面光学元件(1)，该光子组件(4)排列在至少一个基质(2)上，该基质(2)包含至少一个聚合物或者由至少一个聚合物构成，其中基质(2)包括至少一个第一薄膜层(21)和第二薄膜层(22)，该第一薄膜层(21)具有第一侧(211)以及相对第二侧(212)，而第二薄膜层(22)具有第一侧(221)以及相对第二侧(222)，其中第二薄膜层(22)的第一侧(221)排列在第一薄膜层(21)的第二侧(212)，并且至少第二薄膜层(22)至少在子区域(225)含有纳米线(3)。本发明还涉及相应的传感器及其制造方法。
平面光学元件传感器以其制造方法

[发明专利]光波导的制造方法-CN201480056491.X在审
发明人：三上修;大森健太郎;绳田秀行 -专利权人：学校法人东海大学;日产化学工业株式会社
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种构成信号损失特性极其小，能够进行表面高密度安装和高速运作，且可以实现高生产性的光路转换部件的光波导的制造方法。作为解决本发明课题的方法为光波导的制造方法以及由该制造方法获得的光波导，所述光波导的制造方法是制造从支持体的表面沿相对于该表面不垂直的倾斜方向传播光的光波导的方法，其包括下述工序：(1)在该支持体上具备防反射膜的工序，(2)在上述防反射膜上配放感光性树脂组合物，隔着光掩模用从相对于上述支持体表面非垂直的方向入射的光线将该感光性树脂组合物进行曝光并使其固化的工序，以及(3)通过显影来除去未曝光的感光性树脂组合物的工序。
波导制造方法

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