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[发明专利]钛酸铋钠—钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷及其制备方法-CN200610041830.4无效
发明人：张昌松;高峰;郭晨洁;田长生 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提出一种钛酸铋钠－钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷及其制备方法，以替代传统的含铅系压电陶瓷。本发明以微晶模板钛酸铋与原始粉料、有机溶剂和粘结剂混合生成最终的钛酸铋钠－钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷，其中，织构陶瓷的微晶模板是用二氧化钛、氧化铋、氯化钠以及氯化钾生成形貌为片状的钛酸铋粉体，原始粉料包括碳酸钠、碳酸钾、二氧化钛和氧化铋，经过球磨制浆、流延、叠压、热水等静压、切割、预烧及涂银工序，最终生成钛酸铋钠－钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷。本发明的优点在于可以利用工厂现有的片式电子元件生产设备，同时整个过程完全符合环保要求，所制备出的钛酸铋钠－钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷其电性能已经达到压电陶瓷实用化要求。
钛酸铋钠钛酸铋钾无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高织构度及高电致应变性能的钛酸铋钠基无铅压电织构陶瓷及其制备方法-CN202210819578.4有效
发明人：戴叶婧;赖丽香;李斌 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及无铅压电织构陶瓷制备技术领域，特别涉及一种高织构度及高电致应变性能的钛酸铋钠基无铅压电织构陶瓷及其制备方法。本发明结合了离子掺杂改性和织构技术，通过熔盐法制备得到钛酸铋模板晶体，通过反应模板晶粒生长法(RTGG)结合改进的流延成型工艺，制备得到一种高织构度及高电致应变性能的钛酸铋钠基无铅压电织构陶瓷，化学式为(Ti1‑xNbx)O3(0≤x≤0.015)，陶瓷晶粒沿001高度取向，织构陶瓷具有较高的织构度
一种高织构度高电致应变性能钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种无铅织构压电驱动器及其制备方法-CN202310086367.9在审
发明人：张婷;张少峰;唐勇;肖倩;刘季超;徐鹏飞 -专利权人：深圳振华富电子有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10N30/00 文献下载
摘要：本申请涉及压电陶瓷器件技术领域，提供了一种无铅织构压电驱动器。本申请提供的无铅织构压电驱动器包括无铅织构压电驱动器瓷体以及设于无铅织构压电驱动器瓷体两侧面的外电极，无铅织构压电驱动器瓷体包括N层无铅织构化陶瓷膜材，N≥2，N为整数，至少2层无铅织构化陶瓷膜材的表面印刷有内电极，且印刷有内电极的无铅织构化陶瓷膜材按照正负电极交错方式循环堆叠，其中，无铅织构化陶瓷膜材包括铌酸钠钾系母材和片状模板。本申请无铅织构压电驱动器具有高应变、低迟滞的性能，可以提高无铅织构压电驱动器的压电常数和位移应变，降低位移迟滞，并在提高压电性能的同时对居里温度几乎无影响。
一种无铅织构压电驱动器及其制备方法

[发明专利]钛酸铋钠-钛酸钡-钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷及其制备方法-CN201310653739.8有效
发明人：邓珉阳;李晓雷;李婷;赵志浩 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提供一种钛酸铋钠‐钛酸钡‐钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷及其制备方法，以Bi4Ti3O12晶体为模板，将模板与基体粉料、有机溶剂、粘结剂等有机添加剂混合，获得浆料，浆料经流延工艺制备厚度为30‐60μm的膜片，膜片通过层压、切割、排胶、冷等静压后烧结，制得一种高取向生长的BNBK织构陶瓷材料；由于过程中的精确控制，保证材料的原始组分不改变。制备的钛酸铋钠‐钛酸钡‐钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷，组成为（1‐x‐y）Na0.5Bi0.5TiO3‐xBaTiO3‐yK0.5Bi0.5TiO3三元体系，晶粒定向效果良好，在无铅压电领域性能优良，压电常数达
钛酸铋钠钛酸钡钛酸铋钾无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种兼顾低烧结温度和高压电性能的无铅钛酸盐织构陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202310918819.5在审
发明人：常云飞;寇蔷薇;张则睿;刘琳婧;吕蕊;谢航;孙媛;杨彬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：一种兼顾低烧结温度和高压电性能的无铅钛酸盐织构陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及无铅钛酸盐织构陶瓷材料及其制备方法和应用。方法：一、基体细粉制备；二、流延浆料制备；三、织构陶瓷制备。应用于高性能多层结构的环境友好型压电元器件中。
一种兼顾烧结温度高压电性能无铅钛酸盐织构陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种低温织构高电学性能三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷-CN201811619612.3有效
发明人：常云飞;杨彬;吴丰民;吴杰;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：一种低温织构高电学性能三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷，涉及一种三元系钛酸铅基弛豫铁电织构材料及其制备方法和应用。解决三元系钛酸铅基弛豫铁电普通陶瓷电学性能低，而高质量铅基织构陶瓷难以制备且烧结温度高的问题。三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷的化学通式为xPb(A,Nb)O
钛酸铅基三元系弛豫铁电制备陶瓷取向制备方法和应用电学性能织构多层压电器件高电场区化学通式基体粉体片状微晶生长助剂陶瓷素坯织构材料织构陶瓷烧结宽温区膜片铅基细晶应用

[发明专利]一种织构化压电陶瓷及其制备方法和用途-CN201910043876.7有效
发明人：陈朗;马晓姿;袁国亮 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明涉及一种织构化压电陶瓷及其制备方法和用途，所述织构化压电陶瓷包括模板晶体材料和钪酸铋钛酸铅基体材料，所述钪酸铋钛酸铅基体材料定向生长在模板晶体材料上；所述织构化压电陶瓷保持了钪酸铋钛酸铅基体材料本体较高的居里温度的特性，其居里温度≥435℃，且本发明所述织构化压电陶瓷的织构度很高，其织构度≥83％，使得织构化压电陶瓷的性能接近单晶性能，其机电耦合系数Kp最高可达0.71，Kt最高可达0.64，机械品质因数Qm最高可达248，且其具有较高的致密度，其密度≥7.36g/cm3，本发明所述的织构化压电陶瓷的压电常数最高可达1480pC/N，其在压电传感器、压电电机和高精度位移方面具有广阔的前景
一种织构化压电陶瓷及其制备方法用途

[发明专利]制备织构可控的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的方法-CN200910071931.X无效
发明人：冯明;周玉;王文;贾德昌 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：制备织构可控的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的方法，它涉及一种铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法。本发明解决了现有技术中制备铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料织构不可控和致密度低的问题。本发明的方法先将醋酸铅溶于冰乙酸和乙二醇甲醚的混合溶液得溶液A，再将乙酸镁和乙醇铌的混合物溶于冰乙酸和乙二醇甲醚的混合溶液得溶液B，再向溶液B中加入钛酸四丁酯得溶液C，最后把溶液A和C混合并加入稳定剂得到PMN-PT前躯体溶胶，然后利用匀胶机将前躯体溶胶涂覆到基片上，烘干后进行预烧，再放入快速热处理炉中焙烧，然后冷却至室温即得到织构可控的PMN-PT铁电薄膜。本发明得到的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料织构可控，致密度高。
制备可控铌镁酸铅铅铁薄膜方法

[发明专利]一种片状钛酸铋钠模板晶粒及其制备方法-CN200810034763.2有效
发明人：李永祥;伍萌佳 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2008-03-18 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明涉及一种片状钛酸铋钠模板晶粒及其制备方法，属于织构化无铅压电陶瓷模板晶粒制备领域。本发明可作为各种组成的织构化钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的模板，对于提高织构化钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的密度、取向度以及压电性能都有积极的作用。
一种片状钛酸铋钠模板晶粒及其制备方法

[发明专利]一种片状铌酸钾钠粉体的制备方法-CN201410359506.1在审
发明人：沈波;李玲玉;白王峰;张杨;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种片状铌酸钾钠粉体的制备方法，该方法是以Bi₂O₃、碱金属碳酸盐和Nb₂O₅为原料，NaCl为熔盐，先通过熔盐法制备片状₅O₁₈粉体；然后，以片状Bi_2.5Na_3.5Nb₅O₁₈和碱金属碳酸盐为原料与现有技术相比，本发明制备工艺简单，成本低，可重复性强，生产效率高，制备所得的片状(K_0.5Na_0.5)NbO₃粉体为钙钛矿结构，分布均匀，尺寸更大，可用作大长径比的模板来制备无铅压电织构陶瓷，有利于提高陶瓷织构度和压电性能，对推动无铅压电陶瓷的研究有重要意义。
一种片状铌酸钾钠粉体制备方法

[发明专利]一种基于织构化高温压电陶瓷的多层陶瓷致动器-CN201910293235.7在审
发明人：陈朗;马晓姿;袁国亮 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C04B35/472 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于织构化高温压电陶瓷的多层陶瓷致动器，所述织构化高温压电陶瓷具体包括<001>晶向的PbTiO₃模板晶体材料、钪酸铋钛酸铅高温压电基体材料；所述钪酸铋钛酸铅高温压电基体材料的通式为xBiScO₃‑(1‑x)PbTiO₃，并且0.3≤x≤0.5；所述多层陶瓷致动器的制备流程包括：先制备出高温煅烧的钪酸铋钛酸铅高温压电陶瓷粉体，然后将钪酸铋钛酸铅高温压电陶瓷粉体、PbTiO₃模板晶体材料和CuO助烧剂混合，并利用流延技术制成压电陶瓷膜片，经叠片、热压、排胶、烧制等工艺，最后引出外电极进行极化，即可得到该织构化多层陶瓷致动器。所述的基于织构化高温压电陶瓷的多层陶瓷致动器适用于25℃至280℃的工作温度范围，且在200V驱动电压下的应变量最高可达3.84‰。
高温压电陶瓷多层陶瓷织构化致动器钛酸铅钪酸铋晶体材料压电基体粉体制备压电陶瓷膜片高温煅烧流延技术驱动电压外电极应变量助烧剂极化叠片晶向排胶热压烧制

[发明专利]一种KNN基压电织构厚膜的制备方法-CN201110153079.8有效
发明人：翟继卫;付芳 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-06-09 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于无铅压电材料领域，涉及一种无铅压电织构厚膜及其制备方法。本发明的无铅压电织构厚膜的制备方法，包括下列步骤：制备基料；制备模板；将模板与基料按一定的比例配料置于研钵中进行研磨，加入配好的粘结剂后继续研磨制得浆料；把浆料进行丝网印刷获得膜片；将膜片切割后进行等静压；热处理后获得取向良好的无铅压电织构厚膜。本发明的制备方法所获得K0.5Na0.5NbO3基压电织构厚膜具有良好的取向度，有利于器件小型化、片式化的发展。
一种 knn 压电织构厚膜制备方法

[发明专利]一种无铅压电织构厚膜及其制备方法-CN200910046632.0无效
发明人：翟继卫;付芳;丁西亚 -专利权人：同济大学
申请日： 2009-02-25 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明属于无铅压电材料领域，公开了一种无铅压电织构厚膜及其制备方法，本发明的无铅压电织构厚膜的方法，包括下列步骤：选择基料；选取模板；将模板与基料按一定的比例配料置于球磨罐中，加入配好的溶剂后球磨制得浆料；将浆料流延后获得膜片；将膜片切割后进行等静压；取出压好的样品热处理，得到取向良好的无铅压电织构厚膜。
一种压电织构厚膜及其制备方法

[发明专利]一种反常压电各向异性无铅压电陶瓷及其织构化制备方法-CN201310702273.6有效
发明人：周昌荣;杨涛;周秀娟;杨华斌;周沁;陈国华;袁昌来;马家峰;杨云 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种反常压电各向异性无铅压电陶瓷及其织构化制备方法，成分为(Bi1/2Na1/2)TiO3+x(Nb2O5+CeO2)，x为摩尔分数，0.005织构化制备方法采用高压柱体成型法，只需进行传统烧结工艺就可以促进陶瓷的织构化，通过垂直压力轴方向的切割，可以显著提高钛酸铋钠基压电陶瓷的压电性能及各向异性，本发明反常压电各向异性钛酸铋钠基压电陶瓷制备工艺简单、稳定，性能优良，其压电常数d33可达125pC/N，相比传统非织构化样品性能提高65%，压电各向异性kt/kp可达8.1，相比传统非织构化样品各向异性提高113%。
一种反常压电各向异性陶瓷及其织构化制备方法

[发明专利]丝网印刷制备织构化钛酸铋钠钾压电陶瓷的工艺-CN200410017305.X无效
发明人：李永祥;荆学珍;曾江涛;杨群保;殷庆瑞 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2004-03-30 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明涉及一种丝网印刷制备织构化钛酸铋钠钾压电陶瓷的工艺。采用本方法所选择的原料及提供的工艺条件，可以获得取向度因子达80％的织构化钙钛矿无铅压电陶瓷。该钙钛矿无铅压电陶瓷的化学式为：(1－x)Na_0.5Bi_0.5TiO₃:xK_0.5Bi_0.5CO₃，Bi₂O₃为其它原料，加入粘结剂、溶剂，配成丝网印刷浆料，然后通过多层印刷和干燥得到陶瓷膜片，并进一步剪裁、叠压、排塑、烧结得到织构化陶瓷
丝网印刷制备织构化钛酸铋钠钾压电陶瓷工艺

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