专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于PLC在金刚石生长系统中的控制方法-CN202010774584.3有效
  • 苗岱;牛进毅 - 山西云矽电子科技有限公司
  • 2020-08-04 - 2022-11-18 - C23C16/27
  • 本发明涉及一种基于PLC在金刚石生长系统中的控制方法,包括:PLC控制器根据流程启动信号控制和真空系统中元件的反馈信号对真空系统进行抽气控制流程;PLC控制器根据真空系统中元件的反馈信号对真空系统进行工艺控制流程以进入金刚石生长流程;在金刚石生长流程中,PLC控制器根据从上位机获取的生长信息配方表,利用真空系统进行真空压力控制、利用耔晶载物盘系统进行生长位置控制、利用辉光系统进行辉光控制,同时利用工艺气体系统进行工艺气体控制;PLC控制器根据工艺停止信号和真空系统中元件的反馈信号对真空系统进行排气控制流程,使真空腔体内的压力恢复至常压。该方法在PLC的协同下实现了更安全更智能化的金刚石生长控制。
  • 一种基于plc金刚石生长系统中的控制方法
  • [发明专利]碳化硅晶圆锭切割晶圆片的剥离方法及使用该方法的装置-CN202210714072.7在审
  • 苗岱;牛进毅 - 山西云矽电子科技有限公司
  • 2022-06-22 - 2022-09-23 - B28D5/00
  • 本发明涉及晶圆加工技术领域,具体为碳化硅晶圆锭切割晶圆片的剥离方法,包括如下步骤,第一层晶圆片裂解:采用激光光束从SiC晶圆锭上表面辐照改质层,对晶体加热,使之产生热应力效应,同时在晶圆锭圆柱面沿着改质层进行激光刻蚀,形成一圈环切槽,多孔陶瓷吸盘从SiC晶圆锭上表面向下,对第一层晶圆片进行吸附,同时使金属裂片环沿着SiC晶圆锭圆柱面移动至改质层处,使金属裂片环嵌入至改质层的环切槽内,金属裂片环上方,多组外部液氮喷嘴同步向金属裂片环喷射液氮,在液氮的低温作用下,金属裂片环快速降温,金属裂片环在低温下收缩,在金属裂片环收缩时的挤压下,层晶圆片自晶圆锭裂解,简化了液氮存储搬运结构,减少了占地面积。
  • 碳化硅晶圆锭切割晶圆片剥离方法使用装置
  • [发明专利]一种碳化硅晶圆锭切割晶圆片的多层改质方法及设备-CN202210727737.8在审
  • 牛进毅;苗岱 - 山西云矽电子科技有限公司
  • 2022-06-22 - 2022-09-20 - H01L21/268
  • 本发明涉及晶圆加工技术领域,特别是一种碳化硅晶圆锭切割晶圆片的多层改质方法及设备,包括如下步骤S1、将研磨抛光后的直径小于等于250mm,厚度100mm的SiC晶圆锭通过多孔陶瓷吸盘,固定到大理石平台上,平台的平整度达到0级;S2、激光改质;S3、激光器向上移动一个晶圆片的厚度。以770μm厚度的晶圆片为例,激光器向上移动850μm。使聚焦平面深度改为(N‑1)×850μm,然后激光束扫描整个焦平面重复2步骤,完成第2层SiC晶圆锭改质;S4、重复3步骤,直到完成N层SiC晶圆锭改质;通过调整改质激光器的技术指标,节省了每层剥离后对晶圆锭上表面进行研磨抛光的时间(研磨抛光时间10m),以10层为例,减少了9次研磨抛光时间,节省了90m。
  • 一种碳化硅晶圆锭切割晶圆片多层方法设备
  • [实用新型]用于金刚石生长的PLC冷却装置及金刚石生长系统-CN202021593738.0有效
  • 苗岱;牛进毅 - 山西云矽电子科技有限公司
  • 2020-08-04 - 2021-06-08 - C30B29/04
  • 本实用新型涉及一种用于金刚石生长的PLC冷却装置及金刚石生长系统,PLC冷却装置包括:控制模块、水冷机、若干进水管路、若干回水管路和若干水流计,其中,水冷机与控制模块双向电连接;若干进水管路中每路进水管路的进水端均连接至水冷机的出水口,若干进水管路中每个进水管路的出水端与金刚石生长系统中若干待冷却部件的冷却水入口一一对应连接;若干回水管路中每个回水管路的进水端与若干待冷却部件的冷却水出口一一对应连接,若干回水管路中每个回水管路的出口端均连接至水冷机的入水口;若干水流计一一对应设置在若干进水管路上,且若干水流计中的每个水流计均电连接至控制模块。该冷却装置能够达到无人值守的功能。
  • 用于金刚石生长plc冷却装置系统
  • [实用新型]一种基于PLC的耔晶载物盘移动系统及金刚石生长系统-CN202021593729.1有效
  • 苗岱;牛进毅 - 山西云矽电子科技有限公司
  • 2020-08-04 - 2021-05-07 - G05B19/05
  • 本实用新型涉及一种基于PLC的耔晶载物盘移动系统及金刚石生长系统,耔晶载物盘移动系统包括:控制模块、升降电机、旋转电机、旋转升降机构和耔晶载物盘,其中,控制模块电连接至升降电机以控制升降电机的驱动,且控制模块电连接至旋转电机以控制旋转电机的驱动;升降电机和旋转电机均与旋转升降机构连接以驱动旋转升降机构上升和旋转;耔晶载物盘水平设置在旋转升降机构上并且位于真空腔体中,耔晶载物盘随旋转升降机构的旋转和升降而进行旋转和升降。该耔晶载物盘移动系统在金刚石生长过程中耔晶载物盘的位置始终按照输入的配方表中的位置进行定位,定位精度较高,降低了耔晶生长的不确定因素,从而可以生长得到质量较好的金刚石耔晶。
  • 一种基于plc耔晶载物盘移动系统金刚石生长
  • [实用新型]一种微波等离子体化学气相沉积装置-CN202021593741.2有效
  • 牛进毅;苗岱 - 山西云矽电子科技有限公司
  • 2020-08-04 - 2021-05-07 - C23C16/458
  • 本实用新型涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置,包括:与生长平台连接的带水冷的旋转升降机构,带水冷的旋转升降机构包括主轴、升降机构、旋转机构和冷却机构,其中,主轴与生长平台连接;升降机构与主轴连接,以驱动主轴带动生长平台在反应腔内上下移动;旋转机构与主轴连接,以驱动主轴带动生长平台在反应腔内做旋转运动;冷却机构与主轴连接,用于对生长平台进行水冷散热。本实用新型的微波等离子体化学气相沉积装置,设置有与生长平台连接的带水冷的旋转升降机构,在制备金刚石膜时,可以为化学气相沉积工艺提供稳定的生长平台,避免了金刚石膜出现生长不均匀的现象,采用水冷散热,避免了由于采用冷却空气散热对电磁波产生微扰。
  • 一种微波等离子体化学沉积装置
  • [实用新型]微波等离子体化学气相沉积装置-CN202021593746.5有效
  • 牛进毅;苗岱 - 山西云矽电子科技有限公司
  • 2020-08-04 - 2021-02-09 - C23C16/27
  • 本实用新型涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置,包括:波导装置;反应腔,设置在所述波导装置下方,与所述波导装置连接;冷却罩,与所述反应腔连接,用于对所述反应腔进行风冷散热;屏蔽罩,围设在所述反应腔外部,以防止所述反应腔内的电磁辐射泄漏;旋转升降机构,所述旋转升降机构与所述反应腔内设置的生长平台连接,以实现所述生长平台在所述反应腔内做直线运动和旋转运动。本实用新型的微波等离子体化学气相沉积装置,可以为化学气相沉积工艺提供稳定的生长平台,避免了金刚石膜出现生长不均匀的现象。
  • 微波等离子体化学沉积装置
  • [发明专利]微波等离子体化学气相沉积装置-CN202010773689.7在审
  • 牛进毅;苗岱 - 山西云矽电子科技有限公司
  • 2020-08-04 - 2020-11-10 - C23C16/27
  • 本发明涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置,包括:波导装置;反应腔,设置在所述波导装置下方,与所述波导装置连接;冷却罩,与所述反应腔连接,用于对所述反应腔进行风冷散热;屏蔽罩,围设在所述反应腔外部,以防止所述反应腔内的电磁辐射泄漏;旋转升降机构,所述旋转升降机构与所述反应腔内设置的生长平台连接,以实现所述生长平台在所述反应腔内做直线运动和旋转运动。本发明的微波等离子体化学气相沉积装置,可以为化学气相沉积工艺提供稳定的生长平台,避免了金刚石膜出现生长不均匀的现象。
  • 微波等离子体化学沉积装置
  • [发明专利]晶圆片定位及测厚装置-CN201310665971.3有效
  • 牛进毅;张峰;苗岱;贾娟芳 - 中国电子科技集团公司第二研究所
  • 2013-12-11 - 2014-03-19 - H01L21/67
  • 本发明公开了一种晶圆片定位及测厚装置,解决了现有的倒角设备是通过无识别的粗略定位进行倒角所造成的倒角后晶圆片外形尺寸同一性差的问题。包括在吸附台台板上的轴通过孔下方的吸附台台板的下底面上固定设置有带座轴承(2),伺服电机(5)的输出轴通过联轴器(6)与轴的下端连接,在吸附台台板上设置有动密封座(7)和真空导入盒(8),轴的上端是依次从动密封座和真空导入盒穿过的,在倒L形测厚仪支架(17)的顶架上设置有非接触测厚仪(18),在动密封座的左侧的吸附台台板上设置有直线电机定子(19)和直线电机动子(20),在直线电机转子上设置有镭射长度侦测仪的光幕发射器和镭射长度侦测仪的光幕接收器。提高了定位检测效率。
  • 晶圆片定位装置

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