[发明专利]晶片的生成方法有效
申请号: | 201610080065.0 | 申请日: | 2016-02-04 |
公开(公告)号: | CN105855732B | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 平田和也;西野曜子;高桥邦充 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | B23K26/00 | 分类号: | B23K26/00;B23K26/03;B23K26/0622;B23K26/08;B23K26/53;B23K26/70;B28D5/00;C30B29/36;C30B29/40;C30B33/06 |
代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供晶片的生成方法,从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法具有:分离起点形成步骤,将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距锭的正面相当于要生成的晶片厚度的深度,并且使聚光点与六方晶单晶锭相对地移动而对锭的正面照射激光束,形成与正面平行的改质层和从改质层沿着c面伸长的裂痕而形成分离起点。分离起点形成步骤由如下的步骤构成:第1分离起点形成步骤,利用第1输出形成分离起点;第2分离起点形成步骤,以与第1分离起点形成步骤中形成的改质层重叠的方式,利用比第1输出大的第2输出以每1脉冲的能量成为与第1分离起点形成步骤相同的能量的重复频率照射激光束,而使改质层与裂痕乖离。 | ||
搜索关键词: | 晶片 生成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶片的生成方法,从六方晶单晶锭生成晶片,该六方晶单晶锭具有:第1面和位于该第1面的相反侧的第2面;从该第1面至该第2面的c轴;以及与该c轴垂直的c面,该晶片的生成方法的特征在于,具有如下的步骤:/n分离起点形成步骤,将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距该第1面相当于要生成的晶片的厚度的深度,并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而对该第1面照射该激光束,形成与该第1面平行的改质层和从该改质层伸长的裂痕而形成分离起点;以及/n晶片剥离步骤,在实施了该分离起点形成步骤之后,从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该六方晶单晶锭剥离而生成六方晶单晶晶片,/n该分离起点形成步骤包含如下的步骤:/n改质层形成步骤,该c轴相对于该第1面的垂线倾斜偏离角,使激光束的聚光点沿着与在该第1面和该c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对地移动而形成直线状的改质层,从而形成于该六方晶单晶锭的内部的改质层传播的裂痕沿着该c面伸长;以及/n转位步骤,在形成该偏离角的方向上使该聚光点相对地移动而转位规定的量,/n该分离起点形成步骤包含:第1分离起点形成步骤,利用第1输出形成分离起点;以及第2分离起点形成步骤,以与该第1分离起点形成步骤中形成的改质层重叠的方式,利用比该第1输出大的第2输出以每1脉冲的能量成为与该第1分离起点形成步骤相同的能量的重复频率照射激光束,而使改质层与裂痕乖离,从而将改质层的两侧的裂痕彼此连结。/n
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