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[发明专利]一种晶圆光阻涂布方法-CN202211578574.8在审
发明人：王晨星;杨云春;郭鹏飞;陆原;张栓 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆光阻涂布方法，涉及半导体技术制造领域，尤其涉及一种光阻涂布方法。该方法包括：获取待涂布晶圆；根据膜厚需求，制备基部光刻胶，基部光刻胶包括稀释剂和正性光刻胶，稀释剂与正性光刻胶的体积比大于或等于3且小于或等于10；对待涂布晶圆旋涂基部光刻胶，以使待涂布晶圆表面形成润湿层；在润湿层旋涂正性光刻胶，以使待涂布晶圆表面形成光刻胶膜。本发明提供的晶圆光阻涂布方法利用稀释剂和正性光刻胶形成的基部光刻胶来代替传统的润湿剂，避免了一些衬底无法喷涂润湿剂的问题，同时改善了目前主流的厚胶掩膜制备技术中光刻胶膜厚度不均匀，厚膜流动性差的问题，提升了光刻胶膜的厚度均匀性
一种圆光阻涂布方法

[发明专利]软基纳米半导体敏化薄膜太阳能电池及制造方法-CN200610134934.X无效
发明人：栾松;栾文彦;栾竹 -专利权人：栾松;栾文彦;栾竹
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明公开一种软基纳米半导体敏化薄膜太阳能电池，由基体(1)、导电层(2)、纳晶半导体电极层及染料敏化层(3)、固态电解质层(4)、金属电极层(5)、基体(6)复合而成，与导电层(2)相接有电池阳极接线纳晶半导体电极层坯料是通过低温等离子场处理而形成纳晶半导体电极层，具有生产工艺简单、造价低廉、重量轻、使用方便等优点。
纳米半导体薄膜太阳能电池制造方法

[实用新型]可见光催化纳晶钛空气净化的喷剂装置-CN202121904168.7有效
发明人：刘国法 -专利权人：上海临港金土环保有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B01D53/86 文献下载
摘要：本实用新型的可见光催化纳晶钛空气净化的喷剂，属于净化空气材料的技术领域，解决现有技术的材料在净化空气时容易二次污染的技术问题。其包括所述喷剂经过掺杂改性的可见光催化纳晶氧化钛材料制备成溶液。本实用新型属于物理净化，产品的主要成份是无机物，无色无味，形成的多孔纳晶吸附空气污染物，利用可见光能量进行氧化分解，不会造成环境二次污染，吸收外界可见光能量，对TVOC和病菌、病毒进行降解。
可见光催化纳晶钛空气净化装置

[发明专利]超压缩导电性和磁性响应凝胶机器人-CN201610562195.8有效
发明人：邢孟秋;商海涛;魏泓;蒋坤 -专利权人：深圳市前海金卓生物技术有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： C08F289/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种超压缩导电性和磁性响应凝胶机器人，其包括主体和连接在其上的三至八条侧臂，所述侧臂材料包含弹性蛋白复合晶胶‑氧化铁磁性纳米颗粒复合材料，所述弹性蛋白复合晶胶‑氧化铁磁性纳米颗粒复合材料包括弹性蛋白复合晶胶和负载于弹性蛋白复合晶胶上的氧化铁磁性纳米颗粒，所述弹性蛋白复合晶胶包括弹性蛋白、明胶和碳纳米管。
压缩导电性磁性响应凝胶机器人

[实用新型]一种电火锅微晶板支架及其形成的电火锅-CN202123062872.5有效
发明人：韦通晏;陆宇铖;李博;杨旭;施豪;陈志硼 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： A47J36/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电火锅微晶板支架，所述电火锅微晶板支架为圆形结构，沿着所述电火锅微晶板支架的周向方向设置有至少两个胶槽，且相邻的胶槽通过连接槽连接；所述胶槽和连接槽均为位于微晶板支架上的凹槽。本申请提供的一种电火锅微晶板支架，增加了多个胶槽之间的连接槽，使得打胶连续，不仅有效解决了多个胶槽的打胶不连续性、胶水暂停时长带来的混合枪头胶水固化挤压出胶困难等问题，同时也提高了生产效率。
一种电火锅微晶板支架及其形成

[实用新型]一种显影辊及硒鼓-CN202121240515.0有效
发明人：陈海滨;仲鹏举 -专利权人：珠海市连盛电子科技有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03G15/08 文献下载
摘要：本实用新型为解决打印机领域存在的显影辊回收不便的问题，提供一种显影辊及硒鼓，该显影辊包括轴芯、套筒和弹性层，套筒外壁设置有纳胶槽，纳胶槽沿套筒的轴向螺旋延伸，轴芯设置在套筒内，弹性层设置在套筒的外壁上。本实用新型的显影辊，套筒外壁设置有纳胶槽，沿纳胶槽可以方便地把弹性层去除，便于显影辊的回收再利用。
一种显影硒鼓

[发明专利]非感光性光刻胶的涂布方法-CN202010342187.9有效
发明人：朱联合;吴长明;姚振海;陈骆;王绪根;韩建伟 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请公开了一种非感光性光刻胶的涂布方法，涉及半导体制造领域。该方法包括通过旋涂方式在晶圆的表面涂布非感光性光刻胶；利用N‑甲基吡咯烷酮清洗所述晶圆的边缘和背面；利用挥发性有机溶剂清洗所述晶圆的背面，所述挥发性有机溶剂用于去除残留在所述晶圆背面的N‑甲基吡咯烷酮；控制所述晶圆旋转，甩干所述晶圆的背面；解决了现有方法中在晶圆的边缘和背面清洗后容易残留N‑甲基吡咯烷酮的问题；达到了有效去除晶圆的边缘和背面残留的N‑甲基吡咯烷酮，避免传输手臂沾污，保证机台连续性生产，同时保证非感光性光刻胶的厚度满足产品需求的效果。
感光性光刻方法

[发明专利]一种微纳复合结构抑霜表面的制备工艺-CN202210669293.7在审
发明人：龚建英;吴馨;黄启望;靳龙;刘高艺 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明涉及金属材料表面处理及改性技术领域，具体公开了一种微纳复合结构抑霜表面的制备工艺，所述的微纳复合结构设置在金属基材表面，使金属基材表面表现出多孔、山脉状的微观结构，静态接触角大于160°。主要包括以下步骤：利用皮秒激光在金属表面加工微米级圆柱形盲孔，并通过化学反应在微米级结构基础上培育纳米级结构，最后采用氟化反应降低微纳结构表面能，将材料由亲水性转变为超疏水性(接触角163.9°，滚动角1.2°)，最终实现在霜晶的初始阶段有效延缓霜晶的生长速度，具有更优异的抑霜性能和耐久性。通过本发明制备的微纳复合结构抑霜表面，借助激光加工出具有优异机械强度且排列整齐的微米级结构，有效延长了材料的强度和使用寿命。
一种复合结构表面制备工艺

[发明专利]反胶团法分离纯化纳豆激酶的方法-CN200410037391.0有效
发明人：刘俊果;邢建民;沈睿;阳承利;刘会洲 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2004-04-30 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： C12N9/00 文献下载
摘要：本发明涉及的反胶团法分离纯化纳豆激酶的方法，特别涉及一种新的直接从母液中为直接从固态或液态发酵制得的纳豆激酶粗提液中萃取纯化纳豆激酶，包括萃取步骤和反萃取步骤；所述的萃取步骤为纳豆激酶粗提液作为水相与反胶团溶液按比例混合，在10－35℃下进入萃取，使纳豆激酶进入反胶团溶液；再在反萃液中进行反萃取，在20－45℃温度下离心，分离得到纯化后的纳豆激酶水溶液。可解决目前纳豆激酶纯化工艺复杂、步骤多、周期长的问题；酶活回收率达到80％以上，纯化因子达到3以上；并且同时具有浓缩和脱色作用；采用反胶团技术分离纯化纳豆激酶周期短，便于连续操作，易于放大。
反胶团法分离纯化激酶方法

[发明专利]光刻胶涂覆方法-CN202310317785.4在审
发明人：罗先刚;王璞;乔帮威;高平;邓坤;向遥 -专利权人：天府兴隆湖实验室
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种光刻胶涂覆方法。该光刻胶涂覆方法包括：在晶圆的第一表面滴第一液体，驱动晶圆旋转以使第一液体从滴落点向晶圆的边缘运动，带走晶圆的第一表面上的颗粒物；在晶圆的第一表面喷涂粘结剂后，再次向晶圆的第一表面滴第一液体，驱动晶圆旋转以使第一液体从滴落点向晶圆的边缘运动，通过第一液体的运动使吸附在硅片表面的气相雾状的粘结剂均匀铺在晶圆的第一表面；最后向晶圆的中心滴光刻胶，驱动晶圆旋转使光刻胶均匀涂覆在晶圆的第一表面。采用本申请实施例的光刻胶涂覆方法可以在晶圆表面旋涂超薄、高均匀性的光刻胶。
光刻胶涂覆方法

[发明专利]光刻胶涂布方法和涂布装置-CN202011215536.7在审
发明人：李飞;李文亮;吴鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶涂布方法，包含：在晶圆的上方至少二个点喷出光刻胶。本发明还提供了一种光刻胶涂布装置，包含：喷盘，所述喷盘上设有至少二个喷口。据此，本发明能够达到的技术效果在于，能够使得光刻胶在晶圆上的涂布均匀性提高，并且，适用于更大尺寸的晶圆，能够覆盖整个晶圆，降低光刻胶分布上晶圆边缘分布不到的不良，不需要旋转或者提高旋转速度，不会导致晶圆因离心作用产生的应力而甩出或破裂
光刻胶涂布方法装置

[发明专利]碳化硅衬底晶圆的背面减薄方法-CN202111421813.4在审
发明人：孙永生;颜剑;李勇强;陈采;杜大为 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅衬底晶圆的背面减薄方法，包括：获取碳化硅衬底晶圆；碳化硅衬底晶圆正面形成有器件结构和划片槽；在所述碳化硅衬底晶圆正面涂覆光刻胶；涂覆的光刻胶厚度为所述器件结构与划片槽之间形成的台阶的高度的5～10倍，并且通过旋转所述碳化硅衬底晶圆使得涂覆的光刻胶的正面平整；在所述涂覆的光刻胶正面贴保护膜；对所述碳化硅衬底晶圆的背面进行减薄处理。本发明在晶圆正面涂覆厚胶，并利用胶的流动性通过旋转涂覆使光刻胶将划片槽填满、同时光刻胶正面无凹坑和台阶。这样背面减薄产生的颗粒就无法从晶圆的侧面侵入，从而可以避免SiC器件正面出现沾污。
碳化硅衬底背面方法

[发明专利]一种单芯片DAF胶带粘晶方法-CN202110663132.2在审
发明人：梅志鹏;岳永豪;张宁 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种单芯片DAF胶带粘晶方法，属于半导体封装技术领域，通过将待粘晶的单芯片贴附在经过预处理DAF胶带上，实现单芯片与DAF胶带的贴合，然后通过传统的粘晶工艺实现芯片与载体的紧密粘接。通过本发明的实施，有效解决了单芯片无法预先贴附DAF胶带进行粘晶的问题，从而解决了单芯片粘晶工艺中容易出现的溢胶、翻胶、胶层不均、空洞等问题。本发明方法是一种使用DAF胶带进行单芯片粘晶的新思路、新方法。应用本发明方法对于单芯片的粘晶，可以将底部空洞率控制在5％以内，胶层均匀性控制在10％，溢胶范围不超过20μm，杜绝翻胶的发生。
一种芯片 daf 胶带方法

[实用新型]一种LED灯的光源组件-CN201420369914.0有效
发明人：李二成;安辉;钟桂源;徐国安 -专利权人：深圳市德润达光电有限公司
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种LED灯的光源组件，包括基板，其上设有第一固晶区和第二固晶区，在第一固晶区和第二固晶区的四周外缘处均设有包围所述第一固晶区和第二固晶区的封胶槽，在所述封胶槽上设有3～5个定位孔，所述第一固晶区上设有第一LED芯片，所述第二固晶区上设有第二LED芯片；所述第一固晶区和第二固晶区上均设有若干凹槽，在第一LED芯片或第二LED芯片的侧面与凹槽之间的侧面之间设有围坝胶。该光源组件具有高可靠性、发光效率高、散热性好、寿命长的优点，其提高了光通量、提升了出光效率，此外，采用围坝方式封胶，杜绝缝隙，提高可靠性。
一种 led 光源组件

[实用新型]一种加胶装置-CN201720156295.0有效
发明人：吕文松 -专利权人：深圳市嘉明特科技有限公司
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种加胶装置，包括固晶胶盘、固晶胶盘盖、固晶胶盘旋转驱动部、挤胶部。固晶胶盘盖呈槽状，固晶胶盘盖盖在固晶胶盘上。固晶胶盘的上面设有胶道。固晶胶盘盖的底面上设有进胶通道。固晶胶盘盖的槽内的底部设有若干个胶水挡板。胶水挡板位于胶道内。胶水挡板的底端与胶道的底面之间有间隔。挤胶部挤出的固晶材料从进胶通道进入到胶道内。固晶胶盘旋转驱动部驱动固晶胶盘旋转；胶水挡板保持固晶材料的厚度；经胶水挡板保持厚度的固晶材料从一出胶口送出。该加胶装置在固晶胶盘上盖有固晶胶盘盖，隔绝空气中的杂质，减少固晶材料与空气的接触面，有效延长了固晶材料在线使用时间。
一种装置