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[发明专利]射频磁控溅射法制备γ－LiAlO₂单晶薄膜覆盖层衬底的方法-CN200410067894.2无效
发明人：夏长泰;王银珍;周圣明;张连翰;徐军 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种射频磁控溅射法制备γ－LiAlO₂单晶薄膜覆盖层衬底的方法，先合成制备γ－LiAlO₂靶材，然后利用射频磁控溅射法在α－Al₂O₃或硅等单晶衬底上制备γ－LiAlO₂单晶薄膜，本发明的射频磁控溅射法制备γ－LiAlO₂单晶薄膜覆盖层衬底的工艺简单、易操作，此种具有γ－LiAlO
射频磁控溅射法制 lialo sub 薄膜覆盖层衬底方法

[发明专利]一种射频磁控溅射法制备高性能全固态薄膜锂电池的方法-CN201811476575.5有效
发明人：李硕;谭飞虎;梁晓平;魏峰;杜军 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频磁控溅射法制备高性能全固态薄膜锂电池的方法。该方法包括以下步骤：(1)设计在不同径向尺寸上相同电池形状的掩模版；(2)在衬底基片上覆盖掩模版，在磁控溅射设备上装样，安装靶材；(3)射频磁控溅射法溅射正极集流体、正极、电解质、负极、负极集流体，制备薄膜电池
一种射频磁控溅射法制性能固态薄膜锂电池方法

[发明专利]一种直流/射频共溅射法制备高浓度梯度AZO单晶导电薄膜的方法-CN201510549214.9有效
发明人：唐立丹;王冰;赵斌;齐锦刚;彭淑静 -专利权人：辽宁工业大学
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种直流/射频共溅射法制备高浓度梯度AZO单晶导电薄膜的方法，溅射使用的靶材为ZnO靶和Al靶，氧化锌靶安装在磁控溅射设备的射频靶上，铝靶安装在磁控溅射设备的直流靶上，同时在磁控溅射设备的真空室顶部的样品台安装单晶硅基片；采用共溅射法制备梯度AZO薄膜，Al的初始掺杂量为40％～60％，Al靶材的功率在整个镀膜过程中不断变化，变化规律随着溅射沉积薄膜厚度的不断增加，Al靶材的功率减小，Al的掺杂量减少到3％，制得梯度AZO
一种直流射频溅射法制浓度梯度 azo 导电薄膜方法

[发明专利]一种复合透明导电薄膜及其制备方法-CN202210000728.9在审
发明人：廖珺晨;陈冬;罗国平;朱伟玲 -专利权人：广东石油化工学院
申请日： 2022-01-03 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合透明导电薄膜及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、衬底前处理：对衬底表面进行清洗以保证衬底表面干净无杂质并进行烘干；S2、第一氧化物层制备：使用射频磁控溅射法在衬底上沉积第一氧化物层；S3、金属层制备：使用直流磁控溅射法在第一氧化物层上沉积金属层；S4、第二氧化物层制备：使用射频磁控溅射法在金属层上沉积第二氧化物层。
一种复合透明导电薄膜及其制备方法

[发明专利]FZO/金属/FZO透明导电薄膜及其制备方法-CN201110082032.7无效
发明人：朱丽萍;贝亮亮 -专利权人：浙江大学
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：其制备是采用射频磁控溅射法生长FZO薄膜，采用直流磁控溅射法生长金属薄膜。本发明方法所用设备简单，可控性强，制备出来的薄膜光学性能和电学性能优良，重复性好。
fzo 金属透明导电薄膜及其制备方法

[发明专利]用铜锌锡硫化合物单一靶材制备薄膜太阳能电池的方法-CN201210184793.8无效
发明人：丘立安;李宗雨 -专利权人：成都先锋材料有限公司
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能领域，具体涉及一种用铜锌锡硫化合物单一靶材制备薄膜太阳能电池的方法，该方法包括：A．用真空磁控溅射法，在钠钙玻璃钼Mo衬底或不锈钢片钼Mo衬底上溅射具有黄铜矿结构Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2铜锌锡硫化合物单一靶材，形成太阳能电池吸收层；B．在真空下，对所述太阳能电池吸收层通过快速加热进行退火处理；C．用真空磁控溅射法，在B步骤处理的所述太阳能电池吸收层上沉积In2Se3或In2S3缓冲层；D.用射频真空磁控溅射法，在沉积的In2Se3或In2S3缓冲层上进行本征氧化锌i-ZnO高阻抗层的沉积；E．用射频真空磁控溅射法，在沉积的所述本征氧化锌i-ZnO上进行参铝氧化锌ZnO:Al低阻抗层的沉积。
用铜锌锡硫化单一制备薄膜太阳能电池方法

[发明专利]一种大面积13-CN202210926032.9有效
发明人：卢子伟;刘凤琼;朱亚滨;张宏斌;李海霞;李荣华;王秀华;陈翠红;李占奎 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：采用热压法将13C同位素粉末热压到背靶材上，得到用于磁控溅射的13C同位素块状靶材；将热压成型的13C同位素块状靶材装入磁控溅射设备中，抽真空，采用射频磁控溅射法对待镀膜样品进行镀膜，得到所需大面积13C同位素靶。采用该方法成功制备出了满足核物理实验需求的大面积13C同位素靶，制备出的13C同位素靶的有效面积可以达到直径40mm，并且由于本方法采用的是磁控溅射法，磁控溅射法产生的辉光直径约为40mm，而重离子溅射法的重离子束斑直径仅为2mm左右，因此采用本方法制备的13C同位素靶的均匀性和制备效率也得到了明显提升。
一种大面积 base sup 13

[发明专利]电极结构及制备方法、阵列基板及制备方法-CN201010156378.2有效
发明人：张金中;张文余 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2010-04-22 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：本发明公开一种电极结构及制备方法、阵列基板及制备方法，其中电极结构包括：采用射频磁控溅射法制备的第一铝层，采用直流磁控溅射法制备的第二铝层，及采用直流磁控溅射法制备的金属层；金属层位于第一铝层和第二铝层的上方
电极结构制备方法阵列

[发明专利]一种钛酸锶钡铁电薄膜的制备方法-CN200610018792.0无效
发明人：章天金;李颂战;张柏顺 -专利权人：湖北大学
申请日： 2006-04-17 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备钛酸锶钡(Ba_xSr_1－xTiO3，简称BST)铁电薄膜的方法，采用的是射频磁控溅射法。利用溅射气体放电产生粒子轰击BST陶瓷靶材，产生靶材粒子沉积在基片，再经过不同的退火工艺退火形成不同择优取向的BST薄膜。本发明的射频磁控溅射法制备的BST铁电薄膜是通过控制溅射过程中的工艺参数和溅射后的退火工艺实现的，其工艺简单、易操作控制，此种方法制备的BST薄膜适合于微电子器件开发对不同特性BST铁电薄膜的需要。
一种钛酸锶钡铁电薄膜制备方法

[发明专利]一种制备高储能密度BaTiO3-CN202110097825.X有效
发明人：欧阳俊;赵玉垚 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：base:Sub>3铁电薄膜的方法包括如下步骤：基体处理、在基体上沉积底电极、在底电极上沉积缓冲层、在缓冲层上沉积钛酸钡介电层、在钛酸钡介电层上沉积顶电极，其中，在基体上沉积底电极采用射频磁控溅射法完成，射频磁控溅射法的溅射气氛为纯Ar，气压控制在0.3Pa。
一种制备高储能密度 batio base sub

[发明专利]一种利用射频磁控溅射法制备单分散、尺寸可控纳米银颗粒的方法-CN201410674820.9在审
发明人：闫兰琴;褚卫国;宋志伟;张先锋 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用射频磁控溅射法制备单分散、尺寸可控纳米银颗粒的方法。本发明所述方法选择99.999％超纯银作为磁控溅射的靶材，选用玻璃或硅作为衬底，高纯氩(Ar)作为工作气体，采用射频磁控溅射的方法，在设备靶基距固定的情况下，通过调整真空度、工作气压、射频功率、衬底温度和沉积时间等工艺参数
一种利用射频磁控溅射法制分散尺寸可控纳米颗粒方法

[发明专利]具有导电耐蚀涂层的燃料电池金属极板及其制备方法-CN202210206361.6有效
发明人：邵文婷;王瑜;陈建;杨巍;刘曜;何佳华;卢帅丹 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有导电耐蚀涂层的燃料电池金属极板及其制备方法，在真空条件下对金属基体进行等离子清洗；采用磁控溅射法，在等离子清洗后的金属基体上依次沉积纯钛层、氮化钛层和掺银氮化钛层；磁控溅射法为采用直流电源或射频电源周期性进行磁控溅射；将沉积有纯钛层、氮化钛层和掺银氮化钛层的金属基体作为燃料电池金属极板；本发明通过磁控溅射法周期性的在金属基体上依次沉积为等轴晶结构的导电耐蚀涂层，能够有效阻止燃料电池环境中的腐蚀介质与金属极板接触；并且有效延长了掺银氮化钛涂层中银自发逸出的路径
具有导电涂层燃料电池金属极板及其制备方法

[发明专利]一种氟掺杂氧化锡透明导电膜的制备方法-CN200910017946.8无效
发明人：闫金良;赵银女;石亮;刘建军;李厅 -专利权人：鲁东大学
申请日： 2009-08-17 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种偏压射频磁控溅射法制备SnO₂:F透明导电膜的方法，属于电子材料技术领域。将靶材和清洗过的有机柔性基材送入射频磁控溅射仪，用偏压射频磁控溅射技术在有机柔性基材衬底上室温制备SnO₂:F透明导电膜。溅射仪靶材到衬底的距离40～80mm，溅射室基础真空小于1.0×10^-3Pa，溅射气体氩气压强0.3～5Pa，溅射偏压0～-100V，溅射功率50～200W。
一种掺杂氧化透明导电制备方法

[发明专利]一种CdS/SiO₂纳米透明复合薄膜的制备方法-CN201310167243.X无效
发明人：秦娟;王国华;陈振一;廖阳;李季戎;钱隽;史伟民;孙纽一 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明采用CdS/SiO2共溅射法，射频磁控溅射制备CdS量子点纳米复合薄膜，属于半导体纳米复合薄膜材料制备技术领域。溅射法与化学水浴法等比较，具有快速、低温，以功率及时间控制复合薄膜密度、厚度等优势。溅射制备CdS量子点纳米薄膜采用两步法：先在超高真空磁控溅射设备上，射频溅射沉积非晶CdS/SiO2复合薄膜；沉积完的非晶薄膜与硫在N2中进行退火处理成多晶膜。
一种 cds sio sub 纳米透明复合薄膜制备方法

[发明专利]一种制备抗菌镀银皮革的方法-CN200910304566.2无效
发明人：来侃;陈美玉;孙润军;姚穆;刘呈坤 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2009-07-20 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： C14C13/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种制备抗菌镀银皮革的方法，其方法特征在于所采用的溅射法为磁控溅射和/或射频溅射法，首先去除皮革材料表面污渍；然后将皮革材料作为基底放入溅射室内，以金属银或银合金材料为溅射靶材料，通过调整溅射工艺中的基底温度、银靶材温度等工艺参数，进行溅射镀膜，得到抗菌镀银皮革。
一种制备抗菌镀银皮革方法

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